- Деталі
- Перегляди: 5115
V. Dobrovolsky, Electrodynamic model of the field effect transistor application for THz/subTHz radiation detection: Subthreshold and above threshold operation. J. Appl. Phys. 2014. 116, p. 154503-1 – 154503-10.
 |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
V. Dobrovolsky, Electrodynamic model of the field effect transistor application for THz/subTHz radiation detection: Subthreshold and above threshold operation. J. Appl. Phys. 2014. 116, p. 154503-1 – 154503-10.