Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
Відділ оптоелектроніки
Відділ фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки
Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики
Лабораторія нетрадиційних та відновлювальних джерел енергії
Лабораторія фізики адсорбційних та поверхневих ефектів в напівпровідникових і тонких плівках
Відділ фізики оптоелектронних приладів
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 18605
S.V. Plyatsko, J.E. Kulumbetov, A.A. Osmonalieva, G.K. Tolbaeva, "Operation property of PbTe by laser epitaxy", / Herald of the IUK, Bishkek, 2016. P.71-77.