- Деталі
- Перегляди: 15096
|
Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки |
|
|
|
Керівник Шутов Станіслав Вікторович тел.: 0552-51-54-57 ел. пошта:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Склад відділу
 |
Краснов Василь Олександрович к.т.н.,с.н.с., тел.: 0552-515457 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. |
|
Марончук Олександр Ігорович м.н.с., тел.: 0552-515457 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. |
|
Єрохін Сергій Юрійович н.с., тел.: 0552-515457 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. |
|
Цибуленко Вадим Володимирович м.н.с., тел.:0552-515457 ел. пошта:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
|
Деменський О.М. м.н.с., тел.: 0552-515457 ел. пошта:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
|
Самойлов Микола Олександрович пров.інж, тел.: 0552-515457 ел. пошта:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
|
Євдокімов Олексій В’ячеславович технік, тел.: 0552-515457 ел. пошта:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Дослідження
Основні напрямки наукової і науково-технічної діяльності
1.Розробка фізико-технологічних і матеріалознавчих основ технологій структур карбіду кремнію широкозонного політипу SiC-4H та ін. широкозонних напівпровідників.
2. Розробка і дослідження і фізико-технологічних способів отримання приладових напівпровідникових структур для низькорозмірних систем обробки та передавання інформації.
3.Розробка нового методу рідиннофазної епітаксії для виготовлення дослідних зразків структур фотоперетворювачів на основі твердих розчинів сполук системи А3В5.
Досягнення
Основні результати і досягнення
Розроблено основи комплексу автоматичного контролю і регулювання діаметру злитків напівпровідників та заготівок металічних сплавів, призначений для застосування у складі технологічних ліній витягування монокристалів сонячного кремнію, напівпровідникових сполук А3В5 та А2В6, а також дротів та листових заготівок кольорових металів і сплавів.
Розроблено дослідну технологію виготовлення приладових структур ТФВ-перетворювачів. Технологія базується на використанні мало затратних технологій термічного напилення у вакуумі з наступною перекристалізацію у градієнті температури. Створена феноменологічна модель процесу отримання бінарних та багатокомпонентних шарів А3В5 на основі GaSb, яка дозволила розробити технічні вимоги до експериментального обладнання. Отримано дослідні зразки моно- та полікристалічних структур, на основі n- GaSb.
Розроблено наукові основи методу отримання тонких та надтонких, а також періодичних шарів з рідинної фази. Розроблено та виготовлено експериментальну установку, що дозволяє одночасно досягати і короткочасність переохолодження на границі росту і короткочасність контактування розчину-розплаву з робочою підкладкою. Керування процесами росту здійснюється електромагнітним полем. Виконано експериментальну перевірку виготовленої установки в технологічному процесі вирощування шару Ge на робочій підкладці GaAs з Ga+Ge розчину-розплаву.
Розроблено методику отримання діодних епітаксійних структур фосфиду галію (p+-n-типу) з рідкої фази, виготовлено дослідні зразки сенсорів температури на їх основі. В диапазоні температур 80-520 К встановлені термометричні та вольтамперні характеристики зразків, встановлені основні техничні параметри.
Завідувач лабораторії с.н.с. Шутов С.В. є постійним членом науково-координаційної ради Південного наукового центру НАН України та МОН України, а також членом редакційної колегії (Editorial Board) міжнародного журналу „Applied Physics Research” (Canadian Center of Science and Education) http://ccsenet.org/journal/index.php/apr/about/editorialTeam
Обладнання
Обладнання та установки
- установка для рідиннофазової епітаксії «ЕПОС” з горизонтальним та вертикальним розташуванням реактору.
- Експериментальна установка рідиннофазової епітаксії з керуванням процесу кристалізації електромагнітним полем.
- Технологічна лінійка фотолітографії
- Установка для термічного вакуумного напилення
- Установка для дослідження спектрів фотолюмінесценції на основі спектрометру СДЛ-1 та лазерів ЛГ-75 та ЛГН 502.
- Спектрофотометр СФ-26
- автоматизована система аналізу люмінесцентних харатеристик на основі МДР-2
- комп’ютеризована система аналізу вольт-амперних, вольт-фарадних характеристик
- загальне фізичне та хімічне обладнання (витяжна шафа, мікроскопи, та ін..,).
Проекти
Участь у державних і міжнародних програмах і проектах
Державна цільова науково-технічна програма “Розроблення і створення сенсорних наукоємних продуктів на 2008-2012 роки:
проекти:
№1.4.5/23 “Розроблення і створення термофотовольтаїчних генераторів”(завершено),
№1.4.10/23 “Розроблення і створення методів контролю геометричних розмірів продукції високотемпературних металургійних процесів”(завершено)