- Деталі
- Перегляди: 3575
- Деталі
- Перегляди: 3758
- Деталі
- Перегляди: 3772
- Деталі
- Перегляди: 1685
- Деталі
- Перегляди: 3753
Більше статей...
- Stimulated oxygen impurity gettering under ultra-shallow junction formation in silicon.
- Oxygen gettering in low-energy arsenic or antimony ion implanted Cz-silicon.
- Structural and electrical properties of oxygen complexes in Cz and FZ silicon crystals implanted with carbon ions.
- Peculiarities of the Impurity Redistribution Under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon.