- Деталі
- Перегляди: 1960
Glushko E.Ya. // 2019 International Experts’ Gathering in Guiyang. International Forum on Mid-range and Advanced Manufacturing. – Guiyang (China). – 2019. – P.9.
- Деталі
- Перегляди: 928
Онищенко В.Ф. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2019. – №54. – С.112-118.
- Деталі
- Перегляди: 1058
Глушко Є.Я. Патент України на винахід № 118350, МПК (2018.01) G02F 3/00, G02B 6/122 (2006.01), B82Y 20/00 від 10.01.19.
- Деталі
- Перегляди: 984
Григор’єв М.М., Кравецький М.Ю., Матіюк І.М., Онищенко В.Ф., Сукач А.В., Тетьоркін В.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2019. – №54. – С.5-50.
- Деталі
- Перегляди: 1075
Карачевцева Л.А. Патент України на корисну модель № 136455, МПК (2019.01) G02B 5/00, G02F 3/00, B82Y 30/00 від 27.08.2019.
Більше статей...
- Effect of porous layer thickness on photoconductivity relaxation time in macroporous silicon
- Excess minority carrier concentration in macroporous silicon with various arrangements of macropores
- Photoconductivity of macroporous and monocrystalline silicon in conditions of strong surface light absorption
- Photoconductivity relaxation in the macroporous silicon in the ultraviolet range of the optical spectrum