Деталі

Перегляди: 8036

Академік АН УРСР Олег В’ячеславович Снітко (1928 – 1990 ) - видатний український вчений галузі фізики напівпровідників і фізики поверхні та організатор науки.

О.В. Снітко народився 14 квітня 1928 р. в м. Києві. Закінчив Київський державний університет ім. Т.Г. Шевченка в 1951 році.

Десятий відділ Інституту напівпровідників АН УРСР було створено ним в 1961 р.

Спочатку відділ мав назву ”Фізика тонкоплівочних напівпровідників”. В 1970 р. відділ було перейменовано у відділ фізики поверхні напівпровідників. В 1967 році О.В. Снітко став заступником   директора по науковій роботі Інституту напівпровідників АН УРСР, а в 1970 році –директором Інституту. На цій посаді він працював до 1990 року.

Йому належать визначні наукові результати в галузі фотоелектричних явищ на поверхні напівпровідників та в галузі атомарно-чистої поверхні напівпровідників,   зокрема, ним разом з Б.О. Нестеренком вперше досліджено динамічні явища та фазово-структурні атомні перетворення на поверхні; була висунута ідея контрольованого створення поверхневих станів шляхом поверхневого легування; отримано визначні результати на гетеропереходах метал-напівпровідник типу Шотткі та в тонких плівках.

Ним, разом із співробітниками, було відкрито ефект глибокого нерівноважного виснаження напівпровідника під дією змінного електричного поля, який складає основу надзвичайно важливого нового класу мікроелектронних приладів, так званих приладів із зарядовим зв’язком (ПЗЗ).

Важливий цикл робіт, виконаний О.В.Снітком разом з В.А.Тягаєм,  присвячений дослідженню поглинання світла в напівпровідниках електромодуляційними методами. Їхні результати дозволили зробити висновок про те, що екситонні ефекти як у непрямозонних (германій, кремній), так і в прямозонних напівпровідниках (група А_IIB_VI) проявляються як в електропоглинанні, так і в електровідбиванні не тільки при низьких, але й при високих (аж до кімнатних) температурах.

Наукові дослідження О.В. Снітка стосувалися широкого кола об’єктів: актуальних до цього часу напівпровідників германію та кремнію, дво- та багатокомпонентних кристалів CdS, CdSe, CdTe, GaAs, InP, HgCdTe, а також плівок PbS, PbSe, чутливих до опромінення у широкому діапазоні спектра – від ультрафіолетового до інфрачервоного. Протягом усієї своєї наукової діяльності О.В. Снітко приділяв велику увагу дослідженням фотоелектричних та оптичних явищ і розробці відповідних методів. Ним разом з учнями В.Є. Примаченком, А.В. Саченком та іншими вперше було досліджено детально вивчено ефект поверхневого прилипання нерівноважних носіїв заряду і виконано великий цикл робіт, обумовлений впливом поверхневих чинників на фотоефекти в напівпровідниках та поверхнево-бар’єрних структурах на їх основі.

О.В. Снітко був удостоєний Державної премії УРСР з науки та техніки та премії ім. академіка К.Д. Синельникова.

Олег В’ячеславович Снітко опублікував більш ніж 250 наукових праць, у тому числі шість монографій, є автором багатьох авторських свідоцтв, декількох популярних статей про напівпровідники та їх застосування. Багато уваги він приділяв вихованню наукової зміни, підготував 8 докторів та 35 кандидатів наук.

Плідну наукову діяльність О.В. Снітко успішно поєднував з науково-організаційною та громадською роботою, був головою Наукової ради АН УРСР з проблеми ”Фізика напівпровідників”, членом Бюро Відділення фізики та астрономії АН УРСР, Наукової ради з проблеми ”Фізика і хімія напівпровідників” та секції АН СРСР з проблеми ”Фізика поверхні напівпровідників”. О.В. Снітко очолював відділення Інституту ”Фізика поверхні напівпровідників”, що об’єднувало шість відділів. Він був членом редколегії таких відомих наукових журналів як ”Физика и техника полупроводников” та ”Поверхность”.

Більш детальні відомості про Олега В’ячеславовича Снітка опубліковані в таких матеріалах.

1. Олег В’ячеславович Снітко, Київ, Академперіодика, 2008.
2. Глєбова А.М., Саченко А.В. Наукова школа О.В. Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України. Наука та наукознавство, 2011, № 1, с. 79 - 104