V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Дифрактометр для измерений рентгено –акустического резонанса

№19 Отдел дифракционных исследований структуры полупроводников
В.Ф. Мачулин, В.П. Кладько

Назначение. Для анализа структурного совершенства монокристаллов, припо-верхностных областей и эпитаксиальных пленок (структурный фактор Дебая-Валлера, деформации).

004

Состав установки: дифрактометр ДРОН-3М, гониометр ГУР-8, регистрирующее устройство Роботрон-20046, частотомер Ф5311, высокочастотные генераторы Г4-143, Г4-148, вольтметр В7-15, частотные преобразователи из LiNiO3 с рабочими частотами 10, 25 и 40 МГц.                     

Наименование параметр Параметры
прибора RAR-1
Единица
измерений
1. Время однократного измерения 30-240 минуты
2. Диапазон частот 10-400 МГц
3. Разрешающая способность 0.005 градусы
4. Интерфейс RS232  
5. Программная среда Win9X, DOS