2019

2018

2017

• CONDITIONS OF GROWING OF EPITAXIAL LAYERS FOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES FROM UNDERSATURATED SOLUTION-MELT

  TsybulenkoV. V., ShutovS. V., YerochinS. Yu. //ProceedingsoftheXVIIINTERNATIONALYOUNGSCIENTISTS’ CONFERENCE ON APPLIED PHYSICS,May 23-27, 2017, Kyiv, Ukraine. – P. 107-108.

• Minimal operation current estimation for the temperature sensors based on p+-n GaP diode structures

  YerochinS. Yu., DemenskiyA. N., KrasnovV. A., ShutovS. V., ShwartsYu. M.//Матеріали та програма науково-технічної конференції ФЕЕ::2017 “фізика, електроніка, електротехніка”, Суми, 17-21 квітня 2017 р. – С. 122.

• Аналіз методів вимірювання частоти

  Литвиненко В. М., Дощенко Г. Г., Самойлов М. О.//Биомедицинская инженерия и электроника. – №1(15), 2017,C. 63-83.

• Зависимость температуры перегрева мощных UV LEDs AlGaInN от параметров импульсов питания

  Деменский А. Н., Ерохин С. Ю., Краснов В. А.//Збірник тез конференції молодих вчених з фізики напівпровідників “Лашкарьовські читання” з міжнародною участю, Київ, 5-7 квітня 2017 р., Україна. – С. 107-108.

• Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния

  Фролов А. Н., Самойлов Н. А., Марончук А. И.//Матеріали та програма НАУКОВО-ТЕХНІЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ ФЕЕ::2017“ФІЗИКА, ЕЛЕКТРОНІКА, ЕЛЕКТРОТЕХНІКА”, Суми, 17-21 квітня 2017 р. – С. 121.

• Керований струмом напівпровідниковий резистор

  Деменський О. М., Єрохін С. Ю., Краснов В. О., Лебедь О. М., Шутов С. В. // Патент України на корисну модель № 114943 U, МПК H01L 29/8605, G05F 3/16; заявл. 17.10.2016; опубл. 27.03.2017, Бюл. №6.

• Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії

  Цибуленко В. В., Шутов С. В.//Матеріали та програма науково-технічної конференції ФЕЕ::2017 “фізика, електроніка, електротехніка”, Суми, 17-21 квітня 2017 р. – С. 76.

• Определение температуры рабочего перегрева серийных быстродействующих выпрямительных диодов FES10G

  Деменский А. Н., Ерохин С. Ю., Краснов В. А.//Матеріали та програма НАУКОВО-ТЕХНІЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ ФЕЕ::2017“ФІЗИКА, ЕЛЕКТРОНІКА, ЕЛЕКТРОТЕХНІКА”, Суми, 17-21 квітня 2017 р. – С. 123.

• Формирование внутренних дефектов в p-n структурах SiC для перспективных источников одиночных фотонов

  Краснов В. А., Ерохин С. Ю., Деменский А. Н., Шутов С. В.//Матеріали та програма НАУКОВО-ТЕХНІЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ ФЕЕ::2017“ФІЗИКА, ЕЛЕКТРОНІКА, ЕЛЕКТРОТЕХНІКА”, Суми, 17-21 квітня 2017 р. – С. 105.

2016

• Diode temperature sensors with tunable sensitivity

  YerochinS. Yu., DemenskiyA. N., KrasnovV. A., ShutovS. V.//Матеріали та програма НАУКОВО-ТЕХНІЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ ФЕЕ::2016 “ФІЗИКА, ЕЛЕКТРОНІКА, ЕЛЕКТРОТЕХНІКА”, Суми, 18-22 квітня 2016 р. – С. 153.

• Utilization of double heterostructures based on AlGaInP as high temperature thermal sensors

  DemenskiyA. N., KrasnovV. A., ShutovS. V., YerochinS. Yu., LebedO. N.//МАТЕРІАЛИ IV ВСЕУКРАЇНСЬКОЇ НАУКОВО-ПРАКТИЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ МОЛОДИХ ВЧЕНИХ ТА СТУДЕНТІВ “Фізика і хімія твердого тіла. Стан, досягнення і перспективи”, 28-29 жовтня, 2016, Луцьк, C. 166-168.

• Wide-range diode temperature sensor based on DH InGaN/AlGaN/GaN

  DemenskiyA. N., KrasnovV. A., ShutovS. V., Yerochin S. Yu.//ProceedingsoftheXIIINTERNATIONAL CONFERENCE“ELECTRONICS AND APPLIED PHYSICS”,October 19-22, 2016, Kyiv, Ukraine, P. 111-112.

• Вплив гомогенного зародкоутворення на якість шарів при імпульсних методах РФЕ

  Цибуленко В. В., Шутов С. В., Марончук О. І.//Труди XVІІ міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні інформаційні та електронні технології", Одеса, 23-27 травня 2016 р. – С. 174-175.

• Исследование геттерирующих свойств пленок халькогенидных стекол

  Литвиненко В. Н., Дощенко Г. Г., Самойлов Н. А.//Биомедицинская инженерия и электроника. – №3(14), 2016,C. 22-26.

• Монокристаллические наноструктуры с квантовыми точками

  Мирошниченко Е. В., Марончук А. И., Кулюткина Т. Ф.//Сб. тр. IХ Международной научной конференции “Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах”Минск, 6-сентября 2016 г. – С. 302-307.

• Определение температуры перегрева силовых SiC-диодов Шоттки

  Деменский А. Н., Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Шутов С. В.//Матеріали та програма НАУКОВО-ТЕХНІЧНОЇ КОНФЕРЕНЦІЇ ФЕЕ::2016 “ФІЗИКА, ЕЛЕКТРОНІКА, ЕЛЕКТРОТЕХНІКА”, Суми, 18-22квітня 2016р. – С. 159.

• Особливості вирощування напівпровідникових шарів імпульсними методами рідиннофазної епітаксії

  Цибуленко В. В., Шутов С. В.//Матеріали науково-технічної конференції "Фізика, електроника електротехніка", Суми, 18-22 квітня 2016 р. – С. 92.

• Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода

  Деменський О. М., Єрохін С. Ю., Краснов В. О., Лебедь О. М., Шутов С. В. // Патент України № 110340 U, МПК H01L 21/00; заявл. 11.03.2016; опубл. 10.10.2016, Бюл. №19.   

• Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах

  Деменський О. М., Єрохін С. Ю., Краснов В. О., Лебедь О. М., Шутов С. В. // Патент України № 104132 U, МПК H01L 21/00; заявл. 17.07.2015; опубл. 12.01.2016, Бюл. №1.

2015

• Temperature dependence of the lifetime of nonequilibrium charge carriers in GaP diodes under condition of recombination current domination

  Krasnov V. A., Shutov S. V., Yerochin S. Yu. // Current Applied Physics, 2015, Vol.15, Issue 4, P. 504-510.

• Сенсоры высоких температур на основе 4H-SiC структур диодов Шоттки

    Деменский А. Н., Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Шутов С. В.//Тезисы докл. междунар. молод. конф. "ФизикА.СПб", С.-Петерб., 26-29 октября 2015 г. – С. 90-92.

• Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю

  Фролов О. М., Шевченко В. В., Філіпщук О. М., Шутов С. В., Деменський О. М., Боскін О. О. // Патент України на корисну модель № 102197 U, МПК H01L 29/93, H01L 21/31, H01L 21/329; заявл. 20.03.2015; опубл. 26.10.2015, Бюл. №20.    

• Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода

  Деменський О. М., Єрохін С. Ю., Краснов В. О., Лебедь О. М., Шутов С. В. // Патент України на корисну модель № 102780 U, МПК H01L 21/00; заявл. 06.04.2015; опубл. 25.11.2015, Бюл. №22.

• Улучшение обратных характеристик кремниевых диодов при использовании геттерирования дефектов

  Литвиненко В. Н., Дощенко Г. Г., Самойлов Н. А. // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2015. – № 1.

‹2014

• ActivestructuresofGaAsandAlGaAsdiodesforhigh-temperaturethermosensors

  YerochinS. Yu., KrasnovV. A., ShwartsYu. M. // Матеріали І Міжнародної науково-практичної конференції "Актуальні проблеми прикладної фізики". – Севастополь, Україна, 24-28 вересня 2012 р. – С. 108-109.

• Determination of temperature dependence of GaP bandgap energy from diode temperature response characteristics

  Determination of temperature dependence of GaP bandgap energy from diode temperature response characteristics / Krasnov V. A., Shutov S. V., Shwarts Yu. M. and Yerochin S. Yu.// Rev. Sci. Instrum. – 2011. – Vol.82. – P. 086109.

• Obtaining of SiC nanolayers and powders by electric explosion of composite wires

  Demenskiy A. N., Krasnov V. A., Lebed O. N., Yerochin S. Y. // Book of abstracts, E-MRS 2014 FALL MEETING, Symp. S 35. September 15-18, 2014, Warsaw University of Technology, Poland.

• Temperature sensors based on AlGaAs diodes

  Krasnov V. A., Shutov S. V., Shwarts Yu. M., Yerochin S. Yu. // International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers (IC-MAST 2013), 13-17 September, 2013, Abstract book. – Prague, Czech Republic, 2013. – P. 117-118.

• ε(T) dependence behavior in GaP diodes at high temperatures

  Krasnov V. A., Shutov S. V., Yerochin S. Yu. // Rev. Sci. Instrum., 2012, Vol. 83, P. 066104.

• Аналіз умов отримання тонких та надтонких епітаксійних шарів методом рідиннофазної епітаксії

   ЦибуленкоВ. В., Шутов С. В., МарончукО. І. // Труды 15-ой Межд. научно-практической конференции "Современные информационные и электронные технологии", Одесса, 26–30 мая 2014 г. – т. 2. – С. 132-133.

• Влияние времени текстурирования на коэффициент отражения поверхности GaAs при создании на ней дендритного микрорельефа

  Деменский А. Н. // Матеріали IVВсеукраїнської науково-практичної конференції “АКТУАЛЬНІ ПРОБЛЕМИ ПРИКЛАДНОЇ ФІЗИКИ”. 18–22 жовтня 2011 р. Севастополь, Україна. – С. 129 – 130.

• Влияние формы на структуру воды

   Коваленко В.Ф., Шутов С.В. // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2012. – № 2.

• Зависимость предельных характеристик широкозонных диодных сенсоров температуры от параметров полупроводникового материала

  Ерохин C. Ю., Краснов В. А., Шварц Ю. М., Шутов С. В. // Труды XI Межд. конф. "Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов". Ч. 2. Курск, Россия, 13-14 маяг. – C. 325-332.

• Измерение термометрических характеристик диодов на основе GaAs и твердых растворов AlGaAs при повышенных температурах

   Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Шварц Ю. М., Шутов С. В. // Матеріали IV Всеукраїнської науково-практичної конференції “Актуальні проблеми прикладної фізики”. – Севастополь, Україна, 18-22 жовтняр. – С. 138-141.

• Использование диодных структур на основе GaAs и твердых растворов AlGaAs в качестве высокотемпературных датчиков температуры

  Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Шварц Ю. М. // Тезисы докладов VII Международной конференции "Проблемы промышленной теплотехники". – Киев, Украина, 23-27 маяг. – С. 152.

• Масоперенос в рідинній фазі при наявності теплового, електричного і магнітного полів

   ЦибуленкоВ. В., Шутов С. В. // Матеріали І Міжнародної науково-практичної конференції "Актуальні проблеми прикладної фізики". – Севастополь, Україна, 24-28 вересня 2012 р. – С. 237-238.

• О тайнах тороидального трансформатора

  О тайнах тороидального трансформатора / Китаев А. В.,Войцеховский А. Н.,Войцеховский С. А., Евдокимов А. В. // Электротехнические и компьютерные системы, 2013. – № 09 (85) – С. 65 – 70.

• Определение омических потерь из анализа темновой ВАХ ТФВ-преобразователя

  Курак В.В.,АппазовЭ.С., МарончукА.И. // Матеріали І Міжнародної науково-практичної конференції "Актуальні проблеми прикладної фізики". – Севастополь, Україна, 24-28 вересня 2012 р. – С. 300 – 301.

• Оптимизация очистки кварцевых труб в технологии полупроводниковой электроники

  Оптимизация очистки кварцевых труб в технологии полупроводниковой электроники / Литвиненко В. Н., Дощенко Г. Г., Самойлов Н. А. // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2013. – № 2.

• Оценка уровня токов утечки широкозонных диодов из термометрических измерений

  Деменский А. Н., Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Шутов С. В. // Труды 15-ой Межд. научно-практической конференции "Современные информационные и электронные технологии", Одесса, 26–30 мая 2014 г. – т. 2. – С. 113 – 114.

• Покращення зворотних характеристик діода Шотткі з охоронним кільцем

  Богач М. В., Бежан П. Л.,ЛитвиненкоВ. М., Самойлов М. О., Шутов С. В. // Електроніка та зв'язок, 2013. – №4 – С. 9-13.

• Спектральная зависимость коэффициента пропускания системы ITO-стекло от технологических режимов нанесения слоя ITO на поверхность стекла

   Самойлов Н. А., Литвиненко В. Н., Фролов А. Н., Деменский А. Н. // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2014. – № 3.

• Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем

  Фролов О. М., Шутов С. В., Самойлов М. О., Деменський О. М. // Патент України на корисну модель № 79669 U, МПК H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329, H01L 29/872; заявл. 19.11.2012; опубл. 25.04.2013, Бюл. №8.

• Спосіб виготовлення композитної кераміки для емітера термофотовольтаїчної системи

  Смикало М. М., Шутов С. В., Аппазов Е. С. // Патент України на корисну модель № 57108 U, МПК C04B 35/00, H01L 21/331, H01L 21/34; заявл. 19.07.2010; опубл. 10.02.2011, Бюл. №3.

• Спосіб визначення температури на фронті кристалізації злитків легованих монокристалів

   Краснов В. О., Шутов С. В., Прохорович А. В., Деменський О. М. // Патент України на корисну модель № 79670 U, МПК G01J 5/00; заявл. 19.11.2012; опубл. 25.04.2013, Бюл. №8.

• Спосіб керування складом твердого розчину

  Цибуленко В. В., Шутов С. В. // Патент України на корисну модель № 58298 U, МПК H01L 21/208; заявл. 09.09.2010; опубл. 11.04.2011, Бюл. №7.

• Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази

  Цибуленко В. В., Шутов С. В., Євдокимов О. В., Боскін О. О. // Патент України на корисну модель № 93097 U, МПК C30B 19/00; заявл. 14.11.2013; опубл. 25.09.2014, Бюл. №18.

• Спосіб створення просвітлюючих покриттів на поверхні оптичних деталей з використанням ITO

  Самойлов М. О., Марончук О. І., Литвиненко В. М., Деменський О. М., Щербіна А. П. // Патент України на корисну модель № 70310 U, МПК С03С 21/00; заявл. 31.10.2011; опубл. 11.06.2012, Бюл. №11.

• Термометрические характеристики диодов на основе GaAs и твердых растворов AlGaAs

   Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Шварц Ю. М. // Тез. доп. конф. молодих вчених з фізики напівпровідників "Лашкарьовські читання – 2011", ІФН НАНУ ім. В.Є. Лашкарьова. – Київ, 12-14 квітня 2011 р. – С. 170-172.

• Термочувствительные элементы высокотемпературных диодных датчиков температуры на основе твердых растворов AlGaAs

  Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Фонкич А. М., Шварц Ю. М., Шутов С. В. // Матеріали І Міжнародної науково-практичної конференції "Актуальні проблеми прикладної фізики". – Севастополь, Україна, 24-28 вересня 2012 р. – С. 143-144.

• Улучшение обратных характеристик кремниевого варикапа при использовании предокислительного геттерирования

   Новиков А. А., Литвиненко В. Н., Игнатьева Т. М., Самойлов Н. А., Урда И. П. // Вестник ХНТУ, № 2 (45), 2012. – С. 86 – 88.

• Характеристикиустойчивостидифференциальной моделиростаи формообразованияслитков GaAs большихдиаметров, выращиваемыхметодом Чохральского

  ЕрохинС. Ю.,КрасновВ. А., ЛебедьО. Н., ПрохоровичА. В.,ШутовС. В. // Матеріали ІМіжнародної науково-практичної конференції"Актуальні проблемиприкладної фізики".Севастополь, Україна,24-28 вересня 2012 р., С.145-146.

• Широкодиапазонные термочувствительные элементы датчиков температуры на диодах AlGaAs

  Широкодиапазонные термочувствительные элементы датчиков температуры на диодах AlGaAs / Ерохин С. Ю., Краснов В. А., Фонкич А. М., Шварц Ю. М., Шутов С. В. // Тезисы докладов 4-й Всероссийской и стран-участниц КООМЕТ конференции по проблемам термометрии "Температура-2011". – Санкт-Петербург, Россия, 19-21 апреля 2011 г. – С. 70-71.

• Экспериментальное исследование зависимости добротности варикапа от его физических и электрических параметров

   Игнатенко И. П., Литвиненко В. Н., Самойлов Н. А. // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2014. – № 2.