2019

• Atomic force microscopy and Raman spectroscopy of Pb1-xSnxTe surfaces polished after treatment with H2O2–HBr–ethylene glycol etchants

  G.P. Malanych, O.F. Kolomys, A.A. Korchovyi, N.V. Safriuk, V.M. Tomashyk // Applied Nanoscience, 6 February (2019). https://doi.org/10.1007/s13204-019-00974-x

• Chemical-mechanical polishing of CdTe, ZnxCd1-xTe and CdxHg1-xTe single crystal surfaces by K2Cr2O7 – HBr – solvent etchants

  M.V. Chayka, Z.F. Tomashyk, V.M. Tomashyk, G.P. Malanych, A.A. Korchovyi // Functional Materials, V. 26, №. 2, P. 412-418 (2019). https://doi.org/10.15407/fm26.02.412

• Optimization of bromine-emerging etching compositions K2Cr2O7–HBr–ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd1-x and CdxHg1-xTe

  M.V. Chayka, Z.F. Tomashyk, V.M. Tomashyk, G.P. Malanych, A.A. Korchovyi // Functional Materials, V. 26, № 1, Р. 189-196 (2019). https://doi.org/10.15407/fm26.01.189

• Optoelectronic properties and carrier transport mechanisms in amorphous SiCN

  A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, А.І. Тkachuk, O.K. Porada, A.O. Kozak, V.I. Ivaschenko, V.S. Manzhara // Journal of Non-Crystalline Solids, V. 523, P. 119603_1-11963_7 (2019).  https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2019.119603

• Влияние исходной концентрации бромистоводородной кислоты на характер химического травления монокристаллов PbTe и Pb1-xSnxTe в водных растворах H2O2–HBr–этиленгликоль

  Г.П. Маланич, В.Н. Томашик // Неорганические материалы, Т. 55, № 7, С. 687-693 (2019). DOI: 10.1134/S0002337X1907011X  

• Германієвий фотоперетворювач та спосіб його виготовлення

  В.В. Тетьоркін, А.В. Сукач, А.Т. Ворощенко, І.Г. Луцишин, Є.Ф. Венгер, В.П. Маслов, Н.В. Качур, А.Ф. Федоренко // Патент на винахід України № 25336/3А/19 від 30.10. 2019.

• Жидкофазное взаимодействие CdTe, ZnxCd1-xTe (х = 0,04; 0,1) и Cd0,2Hg0,8Te с травильными композициями HNO3–НІ–C2H4(OH)2

  Е.Е. Гвоздиевский, Р.О. Денисюк, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, Г.П. Маланич, А.А. Корчевой // Вопросы химии и хим. технологии, № 6, С.31–38 (2019) http://dx.doi.org/10.32434/0321-4095-2019-127-6-31-38...

• Спосіб нейтралізації відпрацьованих газів хімічних реакторів при колоїдному синтезі напівпровідникових нанокристалів CdTe

  О.А. Капуш, А.І. Ємець, К.С. Дремлюженко, С.Є. Гатілов, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, В.М. Єрмаков, Л.І. Тріщук, В.М. Джаган, С.І. Борук, О.Г. Косінов, Б.Н. Кульчицький // Патент на корисну модель № 136827, опубл. 10.09.2019, бюл. № 17.

• Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду з парамагнітною домішкою

  О.А. Капуш, А.І. Ємець, В.М. Джаган, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, М.Я. Валах, Л.А. Демчина, К.С. Дремлюженко, О.Ф. Ісаєва, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик // Патент на корисну модель № 132984, опубл. 25.03.2019, бюл. № 6.

• Спосіб синтезу прекурсору телуру для вирощування нанокристалів кадмію телуриду

  О.А. Капуш, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, К.С. Дремлюженко, А.І. Ємець, В.М. Джаган, О.Г. Косінов, Б.Н. Кульчицький // Патент на корисну модель № 131709, опубл. 25.01.2019, Бюл. № 2.

2018

2017

• Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb

  S.V. Stariy, V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, V.O. Yukhumchuk, T.R. Stara // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.20, № 1, P. 105–109, (–2017)

• Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing

  A.V. Fomin, G.A. Pashenko, M.Yu. Kravetskyi, I.G.Lucyshyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.20, № 1, P.118–122, (2017)

• Polishing etchant compositions for the chemical treatment of the PbTe and Pb1-xSnxTe solid solutions single crystals and methods of their processing (review)

  G.P. Malanych // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 20, № 2, Р. 217–223, (2017)

• Ternary alloys based on III-V semiconductors

  V. Tomashyk // London : CRC Press, 362 p (2017) 

• The influence of ethylene glycol on the chemical interaction of PbTe and Pb1-xSnxTe crystals with H2O2–HBr–ethylene glycol etching compositions

  G.P. Malanych, V.M. Tomashyk, O.S. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 20, № 1, Р. 91–95, (2017)

• Trap-assisted conductivity in anodic oxide of InSb

  G.V. Beketov, A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, S.P. Trotsenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 20, № 4, P. 110–114, (2017)

• Взаимодействие InAs, InSb, GaAs, GaSb с травильными растворами (NH4)2Cr2O7–HBr–C4H6O6

  И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич // Неорганические материалы, Т. 53, № 9, С. 914–919, (2017)

• Влияние изменения концентрации C6H8O7 на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7

  И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, Т. 15, № 3, С. 495–506, (2017)

• Морфология, структурные и механические свойства поверхности кристаллов PbTe после травления растворами H2O2–HBr–этиленгликоль

  Г.П. Маланич, В.Н. Томашик, О.С. Литвин, O.Ф. Коломыс // Неорганические материалы, Т. 53, № 12, С. 1262–1268, (2017)

• Особенности химического полирования кристаллов InAs, GaAs, InSb, И GaSb в растворах (NH4)2Cr2O7–HBr–CH2(OH)CH2(OH)

  И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.А. Корчевой // Вопросы химии и хим. технологии, № 2, С.29–35, (2017)

• Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду

  С.І. Будзуляк, О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик , Д.В. Корбутяк, В.М. Єрмаков, Л.А. Демчина, Н.Ф. Серпак, С.Д. Борук, С.В.  Оптасюк // Патент на корисну модель № 116463. (Бюл. 25.05.2017)

• Травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1−xTe і CdxHg1−xTe водними розчинами HNO3 – НІ – гліцерин

  Є.Є. Гвоздієвський, Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла, Т.18, №1, С.117–121, (2017)

• Хімічне розчинення InAs, InSb, GaAs та GaSb в травильних композиціях (NH4)2Cr2O7−HBr−H2O

  І.В. Левченко, І.Б. Стратійчук, В.М. Томашик, Г.П. Маланич, А.А. Корчовий // Вісник Одеського національного університету, Сер. Хімія, Т. 22, № 3(63), С. 63–72, (2017) 

• Химическое взаимодействие кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с водными растворами (NH4)2Cr2O7–HBr

  И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая // Неорганические материалы, Т. 53, № 8, С. 796–800, (2017)

• Химическое взаимодействие поверхности кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH4)2Cr2O7–HBr–лимонная кислота

  И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Неорганические материалы, Т. 53, № 11, С. 1137–1142, (2017)

2016

• Electrical properties of InSb p-n junctions preparated by diffusion methods

   A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 19, № 3, P. 295-298, (2016)

• InSb фотодіоди (Огляд. Частина І)

  В.В. Тетьоркін, А.В. Сукач, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупровод. техника, Вып. 51, C. 20–43, (2016)

• InSb фотодіоди (Огляд. Частина ІІ)

  В.В. Тетьоркін, А.В. Сукач,І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупровод. техника, Вып. 51, C. 44–62, (2016)

• Взаємодія монокристалів твердих розчинів ZnxCd1–xTe та Cd0,2Hg0,8Te з травильними композиціями І2–НІ

   Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, Є.Є. Гвоздієвський // Вопросы химии и химической технологии, Т. 2, № 106, С. 51-55, (2016)

• Взаимодействие твердых растворов ZnxCd1-xTe и Cd0,2Hg0,8Te с травителями системы NaNО2–НІ–молочная кислота

  Р.А. Денисюк, В.Н. Томашик, Т.Н. Денисюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 51, С. 119–122, (2016)

• Влияние рН среды на оптические свойства НК CdTe при коллоидном синтезе и постсинтетической обработке

   О.А. Капуш, Л.И. Трищук, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, C.И. Будзуляк, С.Д. Борук, В.Н. Ермаков, Л.А. Демчина // Журнал неорган. химии, Т. 61, № 5, С 581-587, (2016)

• Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7–HBr–C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV

  І.В. Левченко, І.Б. Стратійчук, В.М. Томашик, Г.П. Маланич // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 17, № 4, С. 604–610, (2016)

• Жидкофазное травление поверхности кристаллов PbTe и Pb1-xSnxTe бромвыделяющими водными растворами H2O2–HBr–лимонная кислота

  Г.П. Маланич, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук,З.Ф. Томашик // Неорганические материалы, Т. 52, № 2, С. 136-143, (2016)

• Напівпровідникові монокристали PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe: природа, технологія обробки та застосування (огляд)

  Г.П. Маланич // Вісник ЧНУ, Сер. Хімія, Вип. 771, С. 38–46, (2016)

• Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку

   О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, С.І. Будзуляк, А.О. Курик, Д.В. Корбутяк, В.М. Єрмаков, Л.А. Демчина, С.Д. Борук // Патент на корисну модель № 103983. (Бюл. 12.01.2016)

• Разработка нових эффективных методов синтеза наноразмерных кристаллов полупроводников типа AIIBVI и внедрение в твердотельные матрицы дл создания высокоэффективных светоизлучающих устройств

  В.Н. Томашик, Л.И. Трищук, О.А. Капуш, З.Ф. Томашик, Г.М. Окрепка, Д.В. Корбутяк, С.И. Будзуляк // Фундаментальные проблемы создания новых веществ и материалов химического производства, К. : Академпериодика, С. 133–145, (2016)

• Спосіб виготовлення світловипромінюючого пристрою на основі нанокристалів кадмій телуриду

   Д.В. Корбутяк, О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, В.М. Єрмаков, С.І. Будзуляк, А.О. Курик, Л.А. Демчина, С.Д. Борук // Патент на корисну модель № 103984. (Бюл. 12.01.2016)

• Спосіб отримання монодисперсних нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині

   С.І. Будзуляк, О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, І.О. Мазарчук, Д.В. Корбутяк, А.О. Курик, В.М. Єрмаков, Л.А. Демчина, С.Д. Борук // Патент на корисну модель № 110303. (Бюл. 10.10.2016)

• Спосіб синтезу легованих нанокристалів кадмію телуриду

   Д.В. Корбутяк, О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, В.М. Єрмаков, С.І. Будзуляк, А.О. Курик, Л.А. Демчина, С.Д. Борук  // Патент на корисну модель № 105846. (Бюл. 11.04.2016)

• Спосіб хімічної обробки кадмій телуриду та твердих розчинів на його основі

   В.Г. Іваніцька, П.М. Фочук, В.М. Томашик, Г.П. Маланич, О.В. Копач // Патент на корисну модель № 110400. (Бюл. 10.10.2016)

• Фотолюмінесцентні властивості НК CdTe в колоїдних розчинах та полімерних плівках

   C.І. Будзуляк, Л.А. Демчина, В.М. Єрмаков, О.А. Капуш, Д.В. Корбутяк, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, Л.І. Тріщук, С.Д. Борук // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 17, № 1, С. 60-64, (2016)

• Хімічна обробка CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і Cd0,2Hg0,8Te водними розчинами HNO3–НІ–лактатна кислота

   Є.Є. Гвоздієвський, Р.О. Денисюк, В.М. Томашик,З.Ф. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 17, № 2, С. 247-250, (2016)

• Хімічне травлення поверхні InAs, InSb, GaAs та GaSb

  І.В. Левченко, І.Б. Стратійчук, В.М. Томашик, Г.П. Маланич, М.Ю. Кравецький, А.А. Корчовий // Вісник ЧНУ, Сер. Хімія, Вип. 781, С. 60–67, (2016)

2015

• Development, optimization and improvement of ZnSe crystal surfaces mechanical and chemical treatment and washing methods

   A.S. Stanetska, V.М. Tomashyk, І.B. Stratiychuk, Z.F. Tomashyk, M.Yu. Kravetskyy, S.М. Galkin // Semiconductors Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.18, №4, Р. 416-421, (2015)

• Modeling the process of cutting traces on semiconductor wafers under removal them by the method of chemical-mechanical non-contact polishing

  A.V. Fomin, G.A. Paschenko, M.Yu. Kravetscy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.18, №3, P.186-189, (2015)

• Multinary alloys based on II-VI semiconductors

  V. Tomashyk // London : CRC Press, 670 p (2015)

• Вплив природи дисперсійного середовища на закономірності формування нанокристалів CdTe/ТГК у колоїдних розчинах і полімерних плівках

   О.А. Капуш, С.Д. Борук, В.М. Томашик, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, С.І. Будзуляк, Л.А. Демчина, В.М Єрмаков  // Наук. вісник Чернівецького ун-ту, Вип. 753, Хімія, С. 35-40, (2015)

• Использование травителей H2O2–HBr–молочная кислота для химического растворения кристал лов PbTe и Pb1-xSnxTe

   Г.П. Маланич, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Неорган. материалы, Т. 60, № 9, С. 1254-1259, (2015)

• Особливості полірування пластин GaAs хіміко-динамічним та безконтактним хіміко-механічним методами

   А.В. Фомин, Г.А. Пащенко, М.Ю. Кравецкий // Фізика і хімія твердого тіла, № 2, с. 305-310, (2015)

• Полирование поверхности кристаллов PbTe и Pb1-xSnxTe растворами H2O2–HBr–C2H2O4

   Г.П. Маланич, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Неорган. материалы, Т. 51, № 1, С. 17-22, (2015)

• Получение концентрированных монодисперсных коллоидных растворов нанокристаллов CdTe

   О.А. Капуш, Л.И. Трищук, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, С.Д. Борук, А.В. Зынюк // Журн. неорган. химии, Т. 60, № 10, С. 1376-1380, (2015)

• Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe

  Г.М. Окрепка, В.М. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 16, № 4, С. 711-715, (2015)

• Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, І.О. Мазарчук, В.Й. Морозовська, С.Д. Борук, С.І. Будзуляк, А.О. Курик, Д.В. Корбутяк, В.М. Єрмаков,  Л.А. Демчина // Патент на корисну модель № 102352.  (Бюл. 26.10.2015)

• Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду

   О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, О.В. Зинюк, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, С.І. Будзуляк, А.О. Курик, Д.В. Корбутяк, В.М. Єрмаков, Л.А. Демчина // Патент на корисну модель № 99205. (Бюл. 25.05.2015)

• Фотолюминесцентные свойства пленочных структур на основе нанокристаллов теллурида кадмия, полученных методом коллоидного синтеза

   О.А. Капуш, Л.И. Трищук, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, С.И. Будзуляк, А.О. Курик,  В.Н. Ермаков // Вопросы химии и хим. технологии, Т.6, № 104, С. 4-8, (2015)

• Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1-xSnxTe растворами H2O2 – HBr с использованием разной исходной концентрации HBr

   Г.П. Маланич, В.М. Томашик, И.Б. Стратийчук,З.Ф. Томашик // Оптоэлектроника и полупровод. техника, Вып. 50, С. 94-101, (2015)

‹2014

• Технологія газодетонаційного осадження біосумісних покриттів для сучасних медичних імплантів

   М.І. Клюй, В.П. Темченко, В.Б. Лозінський, І. В. Затовський, Л.І. Цабій, В.С. Чорний// Всеукраїнська наукова конференція з фізики ітехнології тонкихплівок і наносистем” (МКФТТПН-XVІ-2017), 15-20 травня 2017.: тези доп. Івано-Франківськ, 2017. − С. 115

• Characteristics of CdTe-based M-p-n diodes developed for high-energy radiation detection

  V.A. Gnatyuk, O.I. Vlasenko, M.O. Semenenko, S.N. Levytskyi, T. Aoki, //  2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science, Program, 2014, 1. (20-21 January 2014, Hamamatsu, Japan).

• Chemical polishing of CdTe and CdZnTe in iodine–methanol etching solutions

  V.G. Ivanits’ka, P. Moravec, J. Franc, V.M. Tomashik, Z.F. Tomashik, K. Mašek, P.S. Chukhnenko, P. Höschl, J. Ulrych  Chemical polishing of CdTe and CdZnTe in iodine–methanol etching solutions // J. Electron. Mater, V. 40, № 8, P.1802-1808, (2011)

• Comparative Investigation of Structural and Optical Properties of Si-Rich Oxide Films Fabricated by Magnetron Sputtering

  L. Khomenkova, M. Baran, O. Kolomys, V. Strelchuk, A. V. Kuchuk, V.P. Kladko, J. Jedrzejewski, I. Balberg, Y. Goldstein, P. Marie, F. Gourbilleau, N. Korsunska // Advanced Materials Research.-2014.- V.854. - p.117-124.

• Composite Silicate Films with Gold Nanoparticles for Surface-Enhanced Raman Spectroscopy : Synthesis Using Natural Products

  V. Snitka, D. Naumenko, L. Ramanauskaite, S.A. Kravchenko, B. Snopok // Theoretical and Experimental Chemistry, V.47, №5, С.296-302 (2011)

• Detector of THz/subTHz radiation

  Detector of THz/subTHz radiation Spectral region: ~30-300 GHz;Operating temperature: T = 300 K;Noise equivalent power: NEP140 GHz ~3-5*10-10 W/Hz1/2;Sensitive area: S ~40x40 mkm2 (without antenna) and S ~2x2 mm2 (with antenna);Responce time: 10-7 s;Signal at detector output: 2.5 V;Dimensions: 50x90 mm;Diameter of focused  spot (DAiry(140 GHz)): ~ 5 mm.

• Effect of H Implantation on the Optical Properties of Semi-Insulating GaAs Crystals in the IR Spectral Region

   N. I. Klyui, V. B. Lozinskii, A. I. Liptuga , V. N. Dikusha , A. P. Oksanych , M. G. Kogdas’, A. L. Perekhrest, S. E. Pritchin  // Semiconductors, 2017, Vol. 51, No. 3, pp. 305–309

• Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under condition of low-temperature impurity breakdown

  A.B. Aleinikov, V.A. Berezovets, V.L. Borblik, M.M. Shwarts, Yu.M. Shwarts //Semicond. Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 15, N3, p.289-294 (2012)

• Effect of Microwave Action on Composite Materials

  V.V. Shynkarenko // Materials of XIV International Conference "Physics And Technology Of Thin Films And Nanosystems". May, 20-25, 2013. Ivano-Frankivsk, Ukraine, P. 513. (2013)

• Electron Paramagnetic Resonance in boron carbide

  B.D. Shanina, N. G. Kakazey, J. G. Honsales-Rodrigez, M. N. Vlasova // Journal of Applied Physics V. 91, №6, P. 4438-4446 (2002)

• Engineering of 3D self-directed QD ordering in multi-layer InGaAs/GaAs nanostructures by flux gas composition

  P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, Jr.E. Marega, V.G. Dorogan, V.P. Kladko, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, M.L. Hussein, M.E. Ware, Gregory J. Salamo // Nanotechnology V. 19, No 50, P. 505605 (2008)

• Enhancing the cycling stability of the polyaniline hybrids benefited from the hollow manganese dioxide/acetylene black skeleton

  YunlongXi, GuodongWei, XilongLiu, MingjunPang, LiangbaoLiu, YuYang, YuanJi, V.Yu. Izotov, N.I. Klyui, WeiHan // Chemical Engineering Journal 290 (2016) 361–370

• Evolution in Structural and Optical Properties of Stannic Oxide Xerogel Upon Heat Treatment

  N. L. Wu, L. F. Wu, I. A. Rusakova, A. Hamed, A. P. Litvinchuk // J. American  Ceramic Society V. 82, P. 67-73 (1999)

• Features of transparent material marking with nano- and subnanosecond laser pulses

  Gnatyuk V.A., Kanev K., Gagarsky S.V., The 10th International Conference on Global Research and Education (IA-2011), Book of Abstracts, - 26-29 September 2011, - Sucevita, Romania. – Р. O1.3.

• First-order piezoresistance coefficients in silicon crystals.

  I.I. Boiko, S.I.Kozlovskiy //Sensors and Actuators A., vol.118, №1-2.p.33-43 (2005)  

• Formation of ordered nanosize structure on the surface of CdTe under pulse laser radiation

  А.Baidullaeva, A. Vlasenko, P. Mozol’ // The 6th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-2008), Tentative Technical Program -  Sapporo, Hokkaido, Japan, 9-12 September 2008 – № P-38

• Ge Nanostructures Embedded in ZrO2 Dielectrics for Non-Volatile Memory Applications

  D. Lehninger, L. Khomenkova, C. Röder, G. Gärtner, J. Beyer, F. Schneider, V. Klemm, D. Rafaja, J. Heitmann // ECS Transactions. – 2015. - Vol. 68(4). - P. 203-212.

• Gold nanoparticles aggregation: drastic effect of cooperative functionalities in a single molecular conjugate

  V. Chegel, O. Rachkov, A. Lopatynskyi, Sh. Ishihara, I. Yanchuk, Y. Nemoto,  J.P. Hill, K. Ariga // Journal Phys. Chem. C, V. 116, P. 2683 (2012) 

• Hot exciton relaxation in diluted magnetic semiconductor ZnMnSe/CdSe superlattices

  G. Yu. Rudko, I. A. Buyanova, B. Monemar, W. M. Chen // Proc. of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (Edinburgh, UK; July 29 - August 2) (2002)

• Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells

  Kostylyov V.P., Sachenko A.V., Serba O.A., et al. //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2015.- V. 18, N 4.- pp. 464 -467.

• Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching

  V.M. Tomashyk, A.S. Kravtsova, Z.F. Tomashyk, I.B. Stratiychuk, S.M. Galkin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 16, N 2, Р. 140-145, (2013)

• A slightly oxidizing etchant for polishing of CdTe and CdZnTe surfaces

  V.G. Ivanits’ka , P. Moravec, V.M. Tomashik, K. Mašek, Z.F. Tomashik, J. Franc, R. Grill, P. Höschl // J. Electron. Mater.,  V. 42, № 11, P. 3059-3065, (2013)

• Aluminium–Boron–Nitrogen

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum A. Pt. 1. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 56-66, (2004)

• Aluminium–Boron–Nitrogen

  Tomashik V. // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum A. Pt. 1, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 56-66, (2004)

• Aluminium–Iron–Phosphorus

  R. Schmid-Fetzer, V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 1. Selected Systems from Al–B–Fe to C–Co–Fe, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 136-146, (2008)

• Aluminium–Tantalum–Titanium

  T. Velikanova, M. Turchanin, S. Ilyenko, G. Effenberg, V. Tomashik, D. Pavlyuchkov //  In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems, Pt. 1, Selected Systems from Al–B–C to B–Hf–W, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 242-260, (2009)

• Arsenic–Gallium–Indium

  I. Ansara, Ch.Chatillon, A. Watson, O. Bodak, V. Tomashik, Chong Wang // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 159-177, (2006)

• Bismuth–Antimony–Tellurium

  V. Tomashik, P. Perrot // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 242-254, (2006)

• Boron–Carbon–Nitrogen

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems, Pt. 1. Selected Systems from Al–B–C to B–Hf–W, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,  P. 323-346, (2009)

• Boron–Chromium–Zirconium

  V. Tomashik, T.Velikanova, M.Turchanin, D. Pavlyuchkov // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems, Pt. 1. Selected Systems from Al–B–C to B–Hf–W, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 494-499, (2009)

• Boron–Iron–Nitrogen

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 1. Selected Systems from Al–B–Fe to C–Co–Fe,. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 368-378, (2008)

• Boron–Iron–Phosphorus

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 1. Selected Systems from Al–B–Fe to C–Co–Fe, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 434-443, (2008)

• Boron–Nitrogen–Titanium

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum A. Light Metal Systems. Pt. 4. Selected Systems from Al–Si–Ti to Ni–Si–Ti, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 113-120, (2006)

• Boron–Oxygen–Silicon

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems. Pt. 2. Selected Systems from B–Mo–Ni to C–Ta–Ti, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,  P. 163-178, (2009)

• Cadmium–Mercury–Tellurium

  V. Tomashik, L. Shcherbak, P. Perrot //  In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 255-268, (2006) 

• Cadmium–Tellurium–Zinc

  V. Tomashik, L. Shcherbak // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 269-287, (2006)

• Calcium–Iron–Oxygen

  J. Groebner, S. Delsante, N. Solak, V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 2. Selected Systems from C–Cr–Fe to Co–Fe–S, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 387-421, (2008)

• Carbon–Chromium–Vanadium

  T.Velikanova,  M. Turchanin, D. Pavlyuchkov, V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems, Pt. 2. Selected Systems from B–Mo–Ni to C–Ta–Ti, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P.369-378, (2009)

• Carbon–Nitrogen–Silicon

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems, Pt. 2. Selected Systems from B–Mo–Ni to C–Ta–Ti, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,  P. 531-550, (2009)

• Carrier transport mechanisms in InSb diffusions p-n-junctions

  A. Sukach, V. Tetyorkin, A. Voroschenko, A. Tkachuk, M. Kravetskii, I. Lucyshyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics &Optoelectronics, Vol. 17, №4, P.486–491, (2014)

• CdTe quantum dots precipitation of monodisperse fractions from colloid solutions

  O.A. Savchuk, L.I. Trishchuk, I.A. Mazarchuk, V.M. Tomashik, Z.F. Tomashik, O.P. Dimitriev, S.D. Boruk, D.O. Kapush //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics,  V.13, N 4, Р. 428-431, (2010)

• Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg1-xTe single crystals by using solutions of H2O2–HCl–tartaric acid system

  Z.F. Tomashik, E.M. Lukiyanchuk, V.M. Tomashik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.7, N 4, Р. 452-455, (2004)

• Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg1-xTe single crystals by using solutions of H2O2–HCl–tartaric acid system

  Tomashik Z.F., Lukiyanchuk E.M., Tomashik V.M. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.7, N 4, Р. 452-455, (2004)

• Chemical etching of CdTe in aqueous solutions of H2O2–HI–citric acid

  V.G. Ivanits’ka, P. Moravec, J. Franc, Z.F. Tomashik, P.I. Feychuk, V.M. Tomashik, L.P. Shcherbak, K. Mašek, P. Höschl // J. Electron. Mater,  V. 36, № 8, P. 1021-1024, (2007)

• Chemical etching of CdTe, CdxHg1-xTe, ZnxCd1-xTe and Te in the HNO3–HCl–citric acid

  TomashikZ.F., Bilevych Ye.O., Feichuk P.I., Tomashik V.M. // Functionalmaterials, V.12, N2, С. 396-400, (2005)

• Chemical Interaction of CdTe and CdZnTe with AqueousSolutions of H2O2-HI-Tartaric Acid

  P. Moravec,V.G. Ivanits’ka, J. Franc, Z.F. Tomashik, V.M. Tomashik, K. Mašek, P.I.Feychuk, L.P. Shcherbak, P. Höschl, R. Grill, J. Walter // J. Electron. Mater., V. 38, №8, P. 1645-1651, (2009)

• Chemical polishing of CdTe and CdZnTe by iodine-containing etching solutions

  V.G. Ivanits’ka, P. Moravec, J. Franc, V.M. Tomashik, Z.F.Tomashik, K. Mašek, L.P. Shcherbak, P. Höschl, J. Ulrich  // The 2009 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials. Extended Abstracts. Chicago, Illinois, USA,  P. 85-86, (2009)

• Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2–HI–citric acid etchant compositions

  R.O. Denysyuk, V.M. Tomashik, Z.F.Tоmashik, O.S. Chernyuk, V.I. Grytsiv // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics,  V.12, N 2, Р. 125-128, (2009)

• Chemical treatment of the CdTe and ZnxCd1-xTe surfaces

  V.N. Tomashik, Z.F. Tomashik // In: CdTe and Related Compounds; Physics, Defects, Hetero- and Nano-Structures, Crystal Growth, Surfaces and Applications. P. II. Editors R.Triboulet and P. Siffert, Netherlands, P. 119-144, (2010)

• Chemical-dynamic polishing of semiconductor materials based on Bi and Sb chalcogenides by HNO3–HCl solutions

  I.I. Pavlovich, Z.F. Tomashik, I.B. Stratiychuk, V.M. Tomashik, O.A. Savchuk, A.S. Kravtsova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics &Optoelectronics, V.14, N 2, Р. 200-202, (2011)

• Chemical–Mechanical Polishing of CdTe and ZnxCd1-xTeSingle Crystals by H2O2(HNO3)–HBr–Organic Solvent Etchant Compositions

  Z.F. Tomashik, V.M. Tomashik, I.B. Stratiychuk, G.M. Okrepka, I.I. Hnativ, P. Moravec, P. Höschl, J. Bok  // J. Electron. Mater.,  V. 38, №8, P. 1637-1644, (2009)

• Chromium–Iron–Sulfur

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 3. Selected Systems from Co–Fe–Si to Cu–Fe–Pt, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 215-241, (2008)

• Cobalt–Iron–Sulfur

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 2. Selected Systems from C–Cr–Fe to Co–Fe–S, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 513-539, (2008)

• Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation

  V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, N.M. Krolevec // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 17, №3, P.291–294, (2014)

• Copper–Germanium–Selenium

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 288-299, (2006)

• Copper–Hydrogen–Nickel

  V. Tomashik, P. Perrot // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 2. Selected Copper Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 287-299, (2006)

• Copper–Indium–Sulfur

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 300-318, (2006)

• Copper–Iron–Platinum

  V. Tomashik, A. Watson // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 2. Selected Copper Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 243-251, (2006)

• Copper–Selenium–Tin

  V. Tomashik, N. Lebrun, P. Perrot // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 361-373, (2006)

• Copper–Tin–Tellurium

  V. Tomashik, N. Lebrun // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 374-386, (2006)

• Heterostructure ohmic contacts to p- CdTe polycrystalline films

  A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 17, №3, P.268–271, (2014)

• Hydrogen as a source of high-temperature charge instability in silicon-on-insulator structures and field effect transistors

  T.M. Nazarova ,V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, V.M. Tomashik, D. Flandre  // Фізика і хімія твердого тіла,  Т. 12, № 2, С. 521-525, (2011)

• Influence of the dispersion environment nature on photoluminescence properties of CdTe nanocrystals in colloidal solutions

  O.A. Kapush, S.M. Kalytchuk, L.I. Trishchuk, V.M. Tomashyk, Z.F. Tomashyk, A.S. Kravtsova, D.V. Korbutyak, S.D. Boruk  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 15,  № 3, P. 223-226, (2012)

• Injection current and infrared photosensivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions

  V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, A.I. Tkachuk, S.P. Movchan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics,  Vol.16, №4, P.59-63, (2013).

• Iron–Hydrogen–Nickel

  V. Tomashik, L. Shcherbak, O. Fabrichnaya // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 4. Selected Systems from Cu–Fe–Si to Fe–N–U, Springer-Verlag,. Berlin, Heidelberg, P. 50-64, (2008)

• Iron–Manganese–Sulfur

  V. Tomashik, H.L. Lukas // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 4. Selected Systems from Cu–Fe–Si to Fe–N–U, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 220-245, (2008)

• Iron–Molybdenum–Nitrogen

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems. Pt. 4. Selected Systems from Cu–Fe–Si to Fe–N–U,. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 311-320, (2008)

• Iron–Nickel–Sulphur

  O. Fabrichnaya, V. Tomashyk, A. Kozlov  // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum D. Iron Systems, Pt. 5. Selected Systems from Fe–N–V to Fe–Ti–Zr, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,  P. 113-154. (2009)

• Iron–Nitrogen–Uranium

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems, Pt. 4. Selected Nuclear Materials and Engineering Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 276-279, (2007)

• Molybdenum–Nitrogen–Titanium

  V. Tomashik, T.Velikanova, M. Turchanin, D. Pavlyuchkov // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems, Pt. 3. Selected Systems from C–Ta–W to Ti–V–W, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,  P. 339-349, (2009)

• Multicomponent Alloys Based on II-VI Semiconductor Compounds

  V. Tomashik, P. Feychuk, L. Shcherbak // Chernivtsi : Chernivtsi National University,  480 p, (2012)

• Nanodimensional formations on the CdTe and ZnxCd1-xTe surfaces at chemical etching

  Z.F. Tomashyk, V.M. Tomashyk, I.I. Hnativ, I.B. Stratiychuk, P. Moravec, J. Franc, V. Ivanitska // Functionalmaterials, V. 15,. N2, P. 265-268, (2008)

• Nitrogen–Oxygen–Silicon

  V. Tomashik // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data. Subvolum E. Refractory Metal Systems, Pt. 3. Selected Systems from C–Ta–W to Ti–V–W, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 455-474, (2009)

• Pecularities of ZnSe dissolution in H2O2–HBr–ethylene glycol (oxalic acid) etchant compositons

  A.S. Kravtsova, V.M. Tomashyk, Z.F. Tomashyk, I.B. Stratiychuk, A.O. Kuryk, S.M. Kalytchuk, S.M. Galkin  Pecularities of ZnSe dissolution in H2O2–HBr–ethylene glycol (oxalic acid) etchant compositons // Functional Materials,  V. 20, № 3, Р.321-328. (2013)

• Phase diagram of the Cu1.95(Ag2)Te–ZnTe(CdTe) quasibinary systems and liquidus surfaces of the Cu1.95(Ag2)Te–ZnTe–CdTe quasiternary systems

  L.I. Trishchuk, G.S. Oliynyk, V.M. Tomashyk // Chem. Met. Alloys, V. 1, № 1, P. 58-61, (2008)

• Quaternary alloys based on II-VI semiconductors

  V. Tomashyk // London : Taylor & Francis, 512 p (2014)

• Silver–Arsenic–Sulfur

  R. Schmid-Fetzer, V. Tomashik, A. Watson, O. Bodak, Chong Wang. // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems. Pt. 1. Selected Semiconductor Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 1-29, (2006)

• Silver–Copper–Titanium.

  O. Kubaschewski, J. DeKeyzer, R. Schmid-Fetzer, O. Shcherban, V. Tomashik, Y. Jialin, L. Tretyachenko // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11, Ternary Alloy Systems. Subvolum B. Noble Metal Systems. Selected Systems from Ag–Al–Zn to Rh–Ru–Sc, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 144-155, (2006)

• Silver–Indium–Tin

  V. Tomashik,  R. Schmid-Fetzer,  L. Tretyachenko, J. De Keyzer // In: Landolt–Börnstein New Series. Group IV: Physical Chemistry, Vol. 11. Ternary Alloy Systems. Subvolum C. Non-Ferrous Metal Systems, Pt. 3. Selected Soldering and Brazing Systems, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, P. 96-112, (2007)

• Slow-polishing iodine-based etchant for CdTe and CdZnTe single crystals

  P. Moravec, Z.F. Tomashik, V.G. Ivanits’ka, V.M. Tomashik, J. Franc, K. Mašek, P. Höschl // J. Electron. Mater, V. 41, № 10, P. 2838-2845, (2012)

• Slow-polishing iodine-based etchant for CdTe and CdZnTe single crystals

  P. Moravec, Z.F.Tomashik,V.G. Ivanits’ka, V.M. Tomashik, J. Franc, K. Mašek, P. Höschl // The 2011 U.S. Workshopon the Physics and Chemistry of II-VI Materials. Extended Abstracts. Chicago, Illinois, USA,  P. 113-115. (2011)

• Ternary alloys based on II-VI semiconductor compounds

  V. Tomashyk , P. Feychuk , L. Shcherbak // London : Taylor & Francis, 546 p (2013)

• Ternary Alloys Based on II-VI Semiconductor Compounds

  V. Tomashik, P. Feychuk, L. Shcherbak // Chernivtsi : Books–XXI, 440 P, (2010)

• Активация люминесценции сульфида цинка при модификации его поверхности органическими растворителями

  Бачериков Ю.Ю., Охрименко О.Б., Томашик З.Ф., Лукиянчук Э.М., Кардашов К.Д. // Журн. прикл. спектроскопии, Т. 72, № 6, С. 799-804, (2005)

• Взаємодія кадмій телуриду з йодвиділяючими розчинами потрійної системи H2O2–HI–етиленгліколь

  З.Ф. Томашик, В.Г. Іваніцька, В.М. Томашик, П.І. Фейчук // Наук. вісник ЧНУ. Хімія,  Вип. 307,  С. 136-141, (2006)

• Взаємодія монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTeз травильними композиціями HNO3–HBr–розчинник

  Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик // Вісник Прикарпатського нац. ун-ту ім. Василя Стефаника, Сер. Хімія, Вип. 8, С. 23-33, (2009).

• Взаємодія монокристалічного CdTe різної кристалографічної орієнтації з розчинами системи I2–CH3OH

  В.Г. Іваніцька, З.Ф. Томашик, П.І. Фейчук, Л.П. Щербак, В.М. Томашик // Вопросы химии и хим. технологии, № 3, С. 15-18, (2006)

• Взаємодія нелегованого та легованого CdTe з травильними розчинами системи H2O2–HBr–тартратна кислота

  Томашик З.Ф., Стратійчук І.Б., Томашик В.М. // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 6, № 1, С. 99-103, (2005)

• Взаємодія поверхні CdTe змінної кристалографічної орієнтації з розчинами на основі I2 та H2O2–HI

  В.Г. Іваніцька, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик // Вісник Прикарпатського нац. ун-ту ім. Василя Стефаника, Сер. Хімія, Вип. 7, С. 51-62, (2009)

• Взаимодействие Ga2Te3 и GaTe с кадмием

  О.В. Серицан, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук, Л.П. Щербак, О.В. Копач // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 39, С. 111-114, (2004)

• Взаимодействие InSb с растворами HNO3–HBr–молочная кислота

  Кусяк Н.В., Томашик В.Н., Томашик З.Ф. // Журн. неорган. химии, Т. 50, № 5, С. 867-869, (2005)

• Взаимодействие нелегированного и легированного оловом InAs с растворами системы HNO3–HBr–CH3CH(OH)COOH

  Н.В. Кусяк, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик // Неорган. материалы, Т. 40, № 10, С. 1159-1162, (2004)

• Взаимодействие теллура и теллурсодержащих полупроводниковых соединений с растворами системы HCl–HNO3–H2O

  Томашик В.Н., Сава А.А., Томашик З.Ф., Мизецкая И.Б. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.24, № 5, С. 730-734, (1988)

• Взаимодействие теллура и теллурсодержащих полупроводниковых соединений с растворами системы HJ–HNO3–H2O

  Томашик В.Н., Сава А.А., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.30, № 1, С. 49-52, (1994)

• Вирощування монокристалів сульфідів цинку і кадмію кристалізацією із розчинів у розплаві

  Л.І. Тріщук, Г.С. Олійник, В.М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 42, С. 84-88, (2007)

• Вирощування монокристалів телуридів цинку та кадмію кристалізацією із розчинів-розплавів

  Л.І. Тріщук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника,  Вып. 44, С. 99-106, (2009)

• Влияние концентрации пероксида водорода на травление монокристаллов Cd1-xMnxTe растворами Н2О2–НІ–винная кислота

  З.Ф. Томашик, Р.А. Денисюк, В.Н. Томашик, А.С. Чернюк, В.И. Грыцив, Л.И. Трищук // Химия, физика и технология поверхности, Вып. 15, С. 43-50, (2009)

• Влияние кристаллографической ориентации CdTe на его травление иодвыделяющими смесямиН2О2–HI–C6H8O7/этиленгликоль

  В.Г. Иваницкая, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук, П. Моравец, Я. Франц // Конденсир. среды и межфаз. границы, Т.9, № 1, С. 47-52, (2007)

• Влияние кристаллографической ориентации монокристаллов CdTe на закономерности их химического травления в растворах иода в диметилформамиде

  Томашик З.Ф.,Иваницкая В.Г, Томашик В.Н., Фейчук П.И., Щербак Л.П. // Журн. неорган. химии, Т. 50, № 11, С. 1765-1768, (2005)

• Влияние легирования теллурида кадмия на химическое взаимодействие с растворами системы H2O2–HBr

  И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Журн. неорган. химии, Т. 49, № 12, С. 2095-2100, (2004)

• Влияние природы растворителя на устойчивость высокодисперсного и наноразмерного теллурида кадмия

  О.А. Капуш, Л.И. Трищук, В.Н. Томашик, З.Ф.Томашик, С.Д. Борук // Журн. неорган. химии,  Т. 58, № 10, С.1305-1310, (2013)

• Влияние тиогликолевой кислоты на устойчивость и фотолюминесцентные свойства коллоидных растворов нанокристаллов CdTe

  О.А. Капуш, Л.И. Трищук, В.Н. Томашик, З.Ф.Томашик // Неорган. материалы, Т. 50, № 1, С. 18-23, (2014)

• Влияние фосфониевых кислот на устойчивость высокодисперсных систем теллурида кадмия

  О.А. Савчук, С.Д. Борук, С.Г. Дремлюженко, В.Н. Томашик, И.Н. Юрийчук // Уч. зап. Таврич. нац. ун-та им. В.И. Вернадского. Сер. “Биология, химия”, Т. 23(62), № 4, С. 294-300, (2010)

• Вплив енергії адгезійної взаємодії в системі дисперсійне середовище – адсорбент на адсорбційну здатність тіогліколевої кислоти високодисперсним кадмій телуридом

  С.Д. Борук, О.А. Савчук, С.Г. Дремлюженко, В.М. Томашик, О.В. Кушнір, І.М. Юрійчук // Наук. вісник ЧНУ. Хімія, Вип. 606, С. 7-12, ( 2012)

• Вплив енергії адгезійної взаємодії на формування адсорбційного шару модифікаторів на поверхні частинок телуриду кадмію

  С.Д. Борук, О.А. Савчук, С.Г. Дремлюженко, В.М. Томашик, І.М. Юрійчук  // Наук. вісник Чернівецького ун-ту,  Вип. 555, Хімія, С. 17-20, (2011)

• Вплив механічної та хімічної обробок поверхні на спектри низькотемпературної фотолюмінесценції кристалів ZnSe

  З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, С.І. Будзуляк, А.С. Кравцова, В.М. Томашик, С.М. Галкін, О.О. Сосницька, С.М. Калитчук, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 13, № 3, С. 728-732, (2012)

• Вплив обробки на термоелектричні властивості твердих розчинів на основі Bi2Te3

  І.І. Павлович, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, О.І. Копил // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 12, № 1, С. 134-137, (2011)

• Вплив постсинтетичної обробки на оптичні властивості колоїдних розчинів нанокристалів CdTe, стабілізованих тіогліколевою кислотою

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, І.О. Мазарчук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, О.П. Дімітрієв, І.С. Бабічук, С.Д. Борук // Наук. вісник Чернівецького ун-ту, Вип. 581, Хімія, С. 41-44, (2011)

• Вплив природи стабілізатора та pH середовища на закономірності формування нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, С.Д. Борук // Фізика і хімія твердого тіла,  Т. 13, № 4, С. 1022-1026, (2012)

• Вплив стабілізаторів на закономірності формування нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, І.С. Бабічук, С.Д. Борук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника,  Вып. 47, С. 91-96, (2012)

• Вплив умов синтезу на закономірності формування наночастинок CdS в колоїдних розчинах

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, З.Ф. Томашик, А.О. Курик, С.І. Будзуляк // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 14, № 3, С. 610-614. (2013)

• Вплив умов синтезу на фотолюмінесцентні властивості наночастинок CdS в колоїдних розчинах

  О.А. Капуш, Л.І.Тріщук, І.О. Мазарчук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, В.Й. Морозовська, А.О. Курик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 48, С. 82-88, (2013).

• Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію p-типу провідності

  А.Т. Ворощенко, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук // Патент на корисну модель № 91417. (Бюл.10.07.2014)

• Диагональное сечение PbTe–Cu2S тройной взаимной системы PbTe+Cu2S ↔ PbS+Cu2Te

  Грыцив В.И., Венгель П.Ф., Томашик З.Ф., Томашик В.Н. // Неорган. материалы, Т.30, № 3, С. 346-349, (1994) 

• Диаграмма состояния системы PbSe-CdSe

  Томашик З.Ф., Олейник Г.С., Томашик В.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.16, № 2, С. 261-263, (1980)

• До питання про українські назви деяких хімічних елементів

  В.М. Томашик // UkrainicaBioorganicaActa, Т. 4, № 2, С. 64-65, (2006)

• Електричні властивості структур In/p-PbTe

  Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В.Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупровод. техника, В. 47, С. 84-90, (2012)

• Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si

  А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводн. техника, Вип.48, С.115-123, (2013)

• Жидкофазное травление полупроводниковых соединений типа AIIBVI и физико-химические процессы на границе раздела (обзор)

  Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Любченко А.В., Фомин А.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 28, С.3-15, (1994)

• Застосування бромвиділяючих травників для хімічного полірування поверхні PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe

  З.Ф. Томашик,  В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук, Г.П. Маланич, І.І. Павлович  // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 12, № 4, С. 1007-1012, (2011)

• Застосування водних розчинів HNO3–HBr для хімічного полірування монокристалів Cd1-xZnxTe

  Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.І. Гнатів // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 9, № 4, С. 854-858, (2008)

• Исследование системы PbTe-ZnTe

  Грыцив В.И., Томашик В.Н, Олейник Г.С., Томашик З.Ф. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.16, № 3, С. 543-544, (1980)

• Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками

  І.І. Павлович, О.І. Копил, В.М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып.45, С. 117-121, (2010)

• Механізми переносу заряду в сандвіч-структурах p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe

  А.В. Сукач, В.В.Тетьоркін, А.І.Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводн. техника, Вип.48, C.102-109, (2013)

• Механическая и химико-механическая обработка полупроводниковых соединений типа AIIBVI

  Томашик В.Н., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.30, № 12, С. 1498-1503, (1994)

• Обработка монокристаллов нелегированного и легированного CdTe травителями системы H2O2–HBr–молочная кислота

  Стратийчук И.Б., Томашик З.Ф., Фейчук П.И., Томашик В.Н. // Конденсир. среды и межфаз. границы, Т.7, № 2, С. 154-160, (2005)

• Определение основного состава твердых растворов AIIBIICVI и AIIBVICVI расчетным методом

  Томашик В.Н., Томашик З.Ф. // Заводск. лаборатория, Т.49, № 3, С.19-20, (1983)

• Оптимізація складів травильних композицій Н2О2–HBr–оксалатна кислота для формування полірованої поверхні кристалів нелегованого та легованого ZnSe

  З.Ф. Томашик, А.С. Кравцова, І.Б. Стратійчук, В.М. Томашик, С.Н. Галкін // Наук. вісник Чернівецького ун-ту. Хімія,  Вип. 658, С. 89-95, (2013)

• Оптимізація складу бромвиділяючих щавників для хеміко-динамічного полірування монокристалів PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe

  Г.П. Маланич, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук // Металлофиз. новейшие технологии,  Т. 33, Спецвыпуск, С. 255-263, (2011)

• Оптимизация бромвыделяющих травителей для химического полирования поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe

  З.Ф. Томашик, А.С. Кравцова, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, С.Н. Галкин // Вопросы химии и хим. технологи, № 5, С. 133-137, (2012)

• Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

  З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, С.И. Будзуляк, И.И. Гнатив, В.К. Комар, Н.Г. Дубина, А.П. Лоцько, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, Н.Д. Вахняк  // Технология и конструирование электронной аппаратуры,  № 1, С. 42-44 (2013)

• Особенности кристаллизации фаз в тройных обратимо-взаимных системах

  В.Н. Томашик, Л.П. Щербак, П.И. Фейчук, В.И. Грыцив // Журн. неорган. химии, Т. 51, № 3, С. 513-517, (2006)

• Особенности химического травления монокристаллов PbTe и Pb1-xSnxTe растворами I2–ДМФА

  З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, Г.П. Маланич, И.И. Павлович  // Журн. неорган. химии,  Т. 58, № 3, С. 420-424, (2013)

• ОсобенностирастворенияCdTeитвердыхрастворовZnxCd1-xTeиCdxHg1-xTeвтравильныхсмесяхсистемыI2–диметилформамид

  О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Журн. неорган. химии, Т. 49, № 10, С. 1750-1754, (2004)

• Особливості хімічного травлення монокристалів CdTe та Cd1-xZnxTe травильними розчинами H2O2–HBr–H2O

  І.І. Гнатів, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 9, № 2, С. 357-362, (2008)

• Поверхность ликвидуса тройной взаимной системы CdSe + PbTe ↔ CdTe + PbSe

  Томашик З.Ф. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.17, № 9, С. 1575-1574, (1981)

• Поверхность ликвидуса тройной взаимной системы PbTe + CdS ↔ PbS + CdTe

  Томашик З.Ф., Томашик В.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.23, № 12, С. 1981-1984, (1987)

• Подбор и оптимизация состава травителей для бездефектной обработки полупроводниковых материалов

  Томашик В.Н., Фомин А.В., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.32, № 12, С. 1473-1476, (1996)

• Полупроводниковые материалы на основе соединений типа AIIIBV, AIIBVI, AIVBVI

  В.Н. Томашик //  В кн.: Неорганическое материаловедение, Энциклопед. изд. в 2-х т. Под ред. В.В. Скорохода, Г.Г. Гнесина, Т. 2, Материалы и технологии, Кн. 2: П–Я. Киев : Наук. думка, С. 77-86, (2009)

• Свойства монокристаллов твердых растворов на основе селенида свинца в системах PbSe–CdSe(CdS)

  Тетеркин В.В., Томашик З.Ф., Томашик В.Н., Олейник Г.С. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.27, № 7, С. 1557-1558, (1991)

• Синтез та фотолюмінесцентні властивості нанокристалів кадмій телуриду, впроваджених в желатин методами швидкої одноступеневої та двоступеневої десольватації

  О.А. Савчук, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, С.М. Калитчук, І.Б. Стратійчук, С.Д. Борук // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 12, № 1, С. 182-185, (2011)

• Система PbTe-CdTe

  Томашик З.Ф., Томашик В.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.18, № 12, С. 1994-1996, (1982)

• Состав поверхностных слоев, образующихся при растворении CdTe в кислотных травителях

  Томашик В.Н., Сава А.А., Томашик З.Ф., Фомин А.В. // Неорган. материалы, Т.30, № 1, С. 44-48, (1994)

• Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором

  Д.В. Корбутяк, А.Т. Ворощенко, А.В. Сукач, О.П. Лоцько, Л.А. Демчина, В.В. Тетьоркін // Патент на корисну модель №76097.  (Бюл. 25. 12. 2012)

• Спосіб синтезу вібраційностійких нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, А.О. Курик // Патент на корисну модель № 88968. (Бюл. 10.04.2014)

• Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, А.О. Курик // Патент на корисну модель № 86545.  (Бюл. 10.01.2014)

• Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмій телуриду

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, С.М. Калитчук, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, С.І. Будзуляк // Патент на корисну модель № 72767. (Бюл. 27.02.2012)

• Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині

  О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, А.О. Курик // Патент на корисну модель № 92850. (Бюл. 10.09.2014)

• Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe

  Г.П. Маланич, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, П.М. Литвин, О.С. Литвин, О.І. Копил // Патент на корисну модель № 95348.  (Бюл. 25.12.2014)

• Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду

  З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, А.С. Кравцова, В.М. Томашик, С.М. Галкін, О.О. Сосницька, С.М. Калитчук, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина , С.І. Будзуляк // Патент на корисну модель № 71056. (Бюл. 25.06.2012)

• Термодинамика химического взаимодействия между халькогенидами германия и соединениями типа AIIBVI

  Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Грыцив В.И. // Ж. неорган. химии, Т.24, № 8, С. 2261-2263, (1979)

• Термодинамическая оценка взаимодействия соединений AIIBVI и халькогенидов олова

  Грыцив В.И., Томашик В.Н., Томашик З.Ф. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.15, № 1, С. 42-44, (1979)

• Термодинамический анализ взаимодействия соединений AIIBVI и PbBVI

  Томашик З.Ф., Томашик В.Н, Грыцив В.И. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.16, № 4, С. 635-637, (1980)

• Травильні композиції на основі розчинів HNO3–HBr–розчинник для хімічної обробки поверхні InAs, InAs(Sn), InSb та GaAs

  З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, Н.В. Кусяк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника,  Вып. 42, С. 80-83, (2007)

• Травление CdTe растворами системы K2Cr2O7–HCl–H2O

  Томашик В.Н., Панчук О.О., Сава АА., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.31, № 9, С. 1241-1244, (1995)

• Травление CdTe сернокислыми растворами бихромата калия

  Томашик В.Н., Панчук О.О., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.31, № 8, С. 1023-1026, (1995)

• Травление ZnxCd1-xTeрастворами системыHNO3–HBr–лимонная кислота

  З.Ф. Томашик, Г.М. Окрепка, В.Н. Томашик // Неорган. материалы,  Т. 45, № 7, С. 793-798, (2009)

• Травление монокристаллов CdTe, CdTe(Ge), CdTe(Sn), CdTe(Pb) водными растворами (NH4)2Cr2O7 + HBr + лимонная кислота

  З.Ф. Томашик, П.С. Чухненко, В.Г. Иваницкая, В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, И.Б. Стратийчук // Неорган. материалы,  Т. 48, № 2, С. 157-161, (2012)

• Травление нелегированного и легированного CdTe смесями водный раствор H2O2 + HBr + этиленгликоль

  Томашик З.Ф., Стратийчук И.Б., Томашик В.Н., Фейчук П.И., Щербак Л.П. // Неорган. материалы, Т. 41, № 7, С. 775-781, (2005)

• Травление поверхности кристаллов PbTe И Pb1–xSnxTe водными рас творами H2O2–HBr–винная кислота

   Г.П. Маланич, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, З.Ф. Томашик // Неорган. материалы, Т. 50, № 7, С. 713-718, (2014)

• Травление СdTe водными растворами Н2О2 + НI + С6Н8О7

  З.Ф. Томашик, В.Г. Иваницкая, В.Н. Томашик, Л.П. Щербак, Я. Франц, П. Моравец, П. Хьошль, И. Вальтер // Неорган. материалы,  Т. 46, № 8, С. 907-912, (2010)

• Тройная взаимная система CdS + PbSe ↔ CdSe + PbS

  Томашик З.Ф., Томашик В.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.20, № 4, С. 568-570, (1984)

• Фазовые равновесия в системе PbSe-CdS

  Томашик З.Ф., Олейник Г.С.,Томашик В.Н., Низкова А.И. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.17, № 12, 2155-2158, (1981)

• Физико-химическое взаимодействие полупроводниковых соединений типа AIIIBV с металлами (обзор)

  Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Серицан О.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 31, С.18-27, (1996)

• Формирование наноструктурированных объектов на поверхности полупроводников типа A2B6 методами химического травления и коллоидного синтеза

  В.Н. Томашик, Л.И. Трищук, О.А. Капуш, З.Ф. Томашик, Д.В. Корбутяк, С.И. Будзуляк, Л.В. Борковская, Н.Е. Корсунская // Наноразмерные системы и материалы: исследования в Украине, К. : Академпериодика, С. 219-225, (2014)

• Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd1-xTe травителями HNO3–HBr–этиленгликоль

  В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Химия, физика и технология поверхности, Вып. 14, С. 186-192, (2008)

• Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr

  И.И. Павлович, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Технология и конструирование электронной аппаратуры, № 6, С. 27-29, (2011)

• Формирование полированных поверхностей монокристаллов PbTe и Pb1-xSnxTe бромвыделяющими травителями H2O2–HBr–этиленгликоль

  З.Ф. Томашик, Г.П. Маланич, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, Г.А. Пащенко, А.С. Кравцова // Вопросы химии и хим. технологи, № 4, С.120-125, (2012)

• Формування полірованої поверхні кристалів нелегованого та легованого ZnSe травниками H2O2–HBr–етиленгліколь

  В.М. Томашик, А.С. Станецька, З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, С.І. Будзуляк, С.М. Калитчук, С.М. Галкін // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 14, № 4, С. 840-846, (2013)

• Формування полірованої поверхні нелегованого та легованого елементами IV групи CdTe травильними розчинами (NH4)2Cr2O7–HCl–цитратна кислота

  П.С. Чухненко, В.Г. Іваніцька, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук // Фізика і хімія твердого тіла,  Т. 13, № 1, С. 171-175, (2012)

• Хіміко-динамічне полірування монокристалів CdTeта Cd1-xZnxTe травниками H2O2–HI–оксалатна кислота

  З.Ф.Томашик,  Г.М. Окрепка, В.М.Томашик, О.Р. Гуменюк // Вопросы химии и хим. технологии, № 6, С. 55-58, (2007)

• Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота

  П.С. Чухненко, Ю.Б. Халавка, В.Г. Іваніцька, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук // Хімія, фізика та технологія поверхні, Т. 3, № 2, С. 178-183, (2012)

• Хіміко-динамічне полірування поверхні монокристалів CdTe та ZnxCd1-xTeтравильними композиціями HNO3–HI–тартратна кислота

  З.Ф. Томашик, Є.О. Білевич, В.М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 41, С. 108-111, (2006)

• Хіміко-механічне полірування монокристалів PbTe та твердих розчинів Pb1-хSnхTe в травильних композиціях H2O2–HBr–етиленгліколь

  Г.П. Маланич, З.Ф.Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук, Н.В. Сафрюк, В.П. Кладько // Наук. вісник Чернівецького ун-ту. Хімія, Вип. 640, С. 72-78, (2013)

• Хімічна взаємодія Cd1-xMnxTe з травильними композиціями Н2О2–НІ–лактатна кислота

  Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, В.І. Гриців // Фізика і хімія твердого тіла,  Т. 13, № 2, С. 410-414, (2012)

• Хімічна взаємодія GaSb та GaAs з травильними композиціями систем HNO3–HBr––оксалатна (тартратна, цитратна) кислота

  О.С. Чернюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, В.І. Гриців // Вопросы химии и хим. технологии, № 5, С. 194-198, (2004)

• Хімічна взаємодія GaSb та GaAs з травильними композиціями систем HNO3–HBr––оксалатна (тартратна, цитратна) кислота

  Чернюк О.С., Томашик З.Ф., Томашик В.Н., Гриців В.І. // Вопросы химии и хим. технологии, № 5, С. 194-198, (2004)

• Хімічна взаємодія монокристалів Cd1-xMnxTe з розчинами йоду в диметилформаміді

  З.Ф. Томашик, Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, О.С. Чернюк, І.І. Гнатів, І.М. Раренко // Вопросы химии и хим. технологии, № 5, С. 104-107, (2008)

• Хімічна взаємодія монокристалів GaAsз розчинами системи H2O2–HNO3–етиленгліколь

  Е. Лукіянчук, З. Томашик, В. Томашик // Вісник Львів. ун-ту, Хімія, Вип. 44, С. 82-85, (2004)

• Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb зводними розчинами Н2О2–HBr

  І.О. Шелюк, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук, Р.О. Денисюк // Фізика і хімія твердого тіла,  Т. 12, № 2, С. 411-415, (2011).

• Хімічна взаємодія нелегованого та легованого CdTe із водними розчинами (NH4)2Cr2O7–HCl

  П.С. Чухненко, З.Ф. Томашик, В.Г. Іваніцька, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук // Наук. вісник Чернівецького ун-ту, Вип. 581, Хімія, С. 30-34, (2011)

• Хімічна обробка кристалівBi2Te3 та твердих розчинів на його основі травниками I2–ДМФА

  І.І. Павлович, З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, В.М. Томашик, Г.П. Маланич // Фізика і хімія твердого тіла,  Т. 11, № 4, С. 994-997, (2010)

• Хімічне розчинення монокристалів PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe в травильних композиціях H2O2–HBr–ацетатна кислота

  Г.П. Маланич, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук, Е.М. Лукіянчук // Наук. вісник Чернівецького ун-ту, Вип. 581, Хімія, С. 63-69, (2011)

• Хімічне розчинення монокристалів СdTe та твердих розчинів Cd1-xMnxTe в травильних сумішах І2–НІ

  Р.О. Денисюк, З.Ф. Томашик, О.С. Чернюк, В.М. Томашик, І.І. Гнатів // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 10, № 1, С. 134-137, (2009)

• Хімічне травлення легованих елементами IV групи монокристалів CdTe водними розчинами (NH4)2Cr2O7–HBr

  П.С. Чухненко, В.Г. Іваніцька , З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук  // Наук. вісник Чернівецького ун-ту,  Вип. 473, Хімія, С. 43-46, (2009)

• Хімічне травлення монокристалів InAsводними розчинами K2Cr2O7–HBr–ацетатна кислота (трилон Б)

  Н.В. Кусяк, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, В.І. Гриців // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып.41, С. 112-115, (2006)

• Хімічне травлення поверхні монокристалів GaAs, GaSb, InAsта InSb травильними композиціямиH2O2–HBr–цитратна кислота

  І.О. Шелюк, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, Р.О. Денисюк, І.Б. Стратійчук // Вопросы химии и хим. технологии, № 1, С. 110-114, (2011)

• Хімічне травлення термоелектричних матеріалів на основі телуридів бісмуту та стибію розчинами H2O2–HBr

  І.І. Павлович, З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, В.М. Томашик, Г.П. Маланич // Вопросы химии и хим. технологии, № 2, С. 101-104, (2011)

• Характер химического взаимодействия монокристаллов CdTe и твердых растворов Cd1-xZnxTe с водными растворами системы H2O2–HBr–лимонная кислота

  З.Ф.Томашик, И.И. Гнатив, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Журн. неорган. химии, Т. 52, № 7, С. 1234-1238, (2007)

• Химико-динамическое полирование монокристаллов Cd1-xMnxTeтравителями H2O2–HI–винная кислота

  Р.А. Денисюк, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, А.С. Чернюк, В.И. Грыцив // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 44, С. 80-83, (2009)

• Химико-динамическое полирование монокристаллов GaAs, GaSb, InAs и InSb травителями H2O2–HBr–молочная кислота

  З.Ф. Томашик, И.А. Шелюк, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук, А.С. Чернюк // Вопросы химии и хим. технологии, № 5, С.117-120, (2009)

• Химико-динамическое полирование монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxTe травителями H2O2–HBr–винная кислота

  В.Н. Томашик, И.И. Гнатив, З.Ф., Томашик, И.Б. Стратийчук // Вопр. химии и хим. технологи, № 5, С. 47-51, (2006)

• Химико-динамическое полирование поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe растворами системы Н2О2–HBr–Н2О

  В.Н. Томашик, А.С. Кравцова, З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, С.Н. Галкин // Неорган. материалы, Т. 49, № 10, С. 1045–1049, (2013)

• Химико-динамическое полирование полупроводниковых материалов на основе CdTe растворами системы H2O2–HBr-винная кислота

  Стратийчук И.Б., Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Фейчук П.И. // Нові технології, Т. 6, № 3, С. 29-33, (2004)

• Химико-динамическое полирование полупроводниковых материалов на основеCdTe растворами системы H2O2–HBr-винная кислота

  И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, П.И. Фейчук // Нові технології, Т 6, № 3, С. 29-33, (2004)

• Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями

    И.И. Павлович, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, А.И. Копыл  // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника,  Вып.46, С.68-73, (2011)

• Химико-механическое полирование монокристаллов твердых растворов Zn0,1Cd0,9Te с бромвыделяющими композициями

  Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Вопросы химии и хим. технологии, № 5, С. 100-104, (2008)

• Химико-механическое полирование полупроводников типа AIIIBV бромвыделяющими растворами

  З.Ф. Томашик, И.А. Шелюк, В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, А.С. Чернюк, Р.А. Денисюк, П. Моравец // Вопросы химии и хим. технологии, № 4, С. 119-122, (2010)

• Химическое взаимодействие монокристаллов CdTe и твердых растворов ZnxCd1-xTe с бромвыделяющими травителями водный растворH2O2 + HBr + молочная кислота

  З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.И. Гнатив, И.Б. Стратийчук // Неорган. материалы, Т. 42, № 8, С. 949-953, (2006)

• Химическое взаимодействие монокристаллов CdTe с растворами системH2O2–HNO3–растворитель

  З.Ф. Томашик, Э.М. Лукиянчук, В.Н. Томашик // Конденсир. средыимежфаз. границы, Т.6, № 2, С. 188-194, (2004)

• Химическое взаимодействие монокристаллов ZnxCd1-xTe с водными растворами HNO3–HBr–молочная кислота

  З.Ф. Томашик, Г.М. Окрепка, В.Н. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Конденсир. среды и межфаз. границы, Т. 10, № 2, С. 166-171, (2008)

• Химическое растворение монокристаллов CdTe и твердых растворов Cd1-xZnxTe в бромвыделяющих травильных композициях системы H2O2–HBr–этиленгликоль

  З.Ф. Томашик, И.И.Гнатив, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Журн. неорган. химии, Т. 51, № 8, С. 1406-1409, (2006)

• Химическое травление GaAs, GaSb, InAs и InSb рас творами H2O2–HBr–этиленгликоль

  З.Ф. Томашик, И.А. Шелюк, В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, П. Моравец, И.Б. Стратийчук // Неорган. материалы, Т. 48, № 2, С. 157-161, (2012)

• Химическое травление монокристаллов CdxHg1-xTe в бромвыделяющих водных растворах H2O2–HBr–растворитель

  И.И. Гнатив, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Журн. прикл. химии, Т. 79, № 6, С. 914-919, (2006)

• Химическое травление монокристаллов твердых растворов Cd1-xMnxTe растворами иода в метаноле

  З.Ф. Томашик, Р.А. Денисюк, В.Н. Томашик, А.С. Чернюк, И.М. Раренко  // Ж. неорган. химии, Т. 54, № 6, С. 945-949, (2009)

• Химическое травление нелегированного илегированного CdTe бромвыделяющими травильными композициями системы H2O2-HBr-лимонная кислота

  Томашик В.Н., Стратийчук И.Б., Томашик З.Ф., Фейчук П.И. // Вопросы химии и хим. технологии, № 1, С. 43-47, (2005) 

• Химическое травление полупроводниковых соединений типа AIIBVI

  Томашик В.Н., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.29, № 5, С. 717-718, (1993)

• Химическое травление твердых растворов CdxHg1-xTe в иодвыделяющих растворах на основе системы H2O2–HI

  Томашик З.Ф., Гуменюк О.Р., Томашик В.Н., Сизов Ф.Ф. // Прикладная физика, № 1, С. 106-109, (2005)