Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Відділ хімії напівпровідників

tomashyk
 
 
 
 
 
 
 
 
Завідувач відділу
доктор хім. наук, професор
Василь Миколайович Томашик
Тел.: 525-22-01, тел.внутр. 2-62
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Склад відділу

Trishuk
Тріщук Любомир Іванович
ст.н.с., канд.хім.наук,
тел. 383-67-08, тел. внутр. 4-22,
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Tomashik
Томашик Зінаїда Федорівна 
ст.н.с., канд.хім.наук,
тел.525-57-55, тел. внутр. 4-17, 2-27,
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
 стратийчук
Стратійчук Ірина Борисівна
ст.н.с., канд.хім.наук,
тел. 525-57-55, тел. внутр. 4-17, 2-27,
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Malanich
Маланич Галина Петрівна
c.н.с., канд.хім.наук, тел. 525-54-53,
тел. внутр. 4-17, 2-27,
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
 Sukatch
Сукач Андрій Васильович
ст.н.с.,
тел. 525-61-69, тел. внутр.7-01
 Paschenko
Пащенко Галина Андріївна
н.с., канд.фіз.-мат.наук,
тел. 525-25-74, тел. внутр. 2-02, 2-49
 Kravetsh
Кравецький Михайло Юрійович
н.с., тел.525-25-74, тел. внутр. 2- 49, 6-57
 Mazarshuk
Мазарчук Ірина Опанасівна
м.н.с., тел. 525-64-76, тел. внутр.6-34
 Voroschenko
Ворощенко Андрій Тарасович 
м.н.с., тел. 525-61-69, тел. внутр. 7-01
 Sedletska
Седлецька Ірина Іванівна 
пров. інж, тел. 525-96-51, тел. внутр. 5-42
 Lutsichin
Луцишин Ірина Григорівна
пров.інж, тел. 525-61-69, тел. внутр. 6-57
 Morozovska
Морозовська Валентина Йосипівна
пров. інж., тел. 525-64-76, тел. внутр.6-34
 Levchenko

Левченко Ірина Валеріївна

аспірант

тел.: (44) 525-54-63, 2-27

тел. Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
 Nujna
Нужна Тамара Петрівна
пров. інж.
 Dovgodko
Довгодько Тетяна Віталіївна
інж. І категорії.
 Yashin
Яшин Адольф Іванович
технік І категорії

Дослідження

 Основними напрямками наукових досліджень і науково­технічних розробок є:

 

      • хімічна обробка поверхні напівпровідникових сполук типу AIIBVI, AIIIBV, AIVBVI;
      • отримання наноструктурних матеріалів типу AIIBVI;
      • фізико-хімічна взаємодія в напівпровідникових системах.

Переважна більшість робіт проводиться в галузі напівпровідникового матеріалознавства та сенсорних систем і фізики низьковимірних систем, мікро-, нано- та молекулярної електроніки. Здійснюються фундаментальні дослідження та проводяться науково методичні розробки для формування полірованої та бездефектної поверхні напівпровідникових матеріалів, що використовуються для виготовлення різноманітних приладів електронної техніки.

Відділ приймає активну участь у дослідженнях за цільовими програмами відділення фізики та астрономії НАН України, Державними науково-технічними програмами, виконував конкурсні інноваційні науково-технічні проекти НАН України, та ін.

 

Досягнення

 Основні досягнення відділу хімії напівпровідників

 

У відділі розроблено схему (алгоритм) дослідження процесів травлення напівпровідникових матеріалів, що успішно застосовується в ІФН НАН України при розробці активних середовищ з великими швидкостями травлення для хімічної різки, а також середніми та малими швидкостями для зменшення товщини пластин і полірування монокристалів та плівок.

 

Запропоновано комплексний підхід до дослідження процесів травлення напівпровідникових матеріалів типу AIIBVI, AIIIBV та AIVBVI який дозволяє науково обґрунтовано вибирати і оптимізовувати склади травильних композицій для різних технологічних операцій та дає можливість розробляти оптимальні режими і ефективні методи підготовки поверхні напівпровідників для подальшого створення робочих елементів приладів.

 

Вперше встановлено вплив легування на характеристики хімічного травлення телуриду кадмію (швидкість розчинення та концентраційні межі розчинів, що можуть бути використані для хіміко-динамічного полірування).

 

Вперше виявлено вплив швидкості обертання диску на уявну енергію активації травлення, що викликає необхідність враховувати це явище при практичному використанні розроблених травильних композицій.

Показано існування компенсаційного ефекту (компенсація уявної енергії активації величиною передекспоненційного множника) в кінетиці хімічного травлення напівпровідникових матеріалів типу AIIBVI, AIIIBV та AIVBVI, в результаті якого швидкість хімічного травлення при збільшенні енергії активації може не лише зменшуватися, але й залишатися постійною чи, навіть, збільшуватися. Встановлено, що на компенсаційну залежність впливає характер розчинів, які використовуються для хімічного травлення, а впливу природи напівпровідникового матеріалу не виявлено.

 

Розробки

Розробки відділу хімії напівпровідників

 

Вперше розроблено спосіб хіміко-механічного і хіміко-динамічного полірування нелегованого та легованого ZnSe травниками H2O2–HBr–оксалатна кислота (етиленгліколь).Методами профілографічного аналізу, оптичної, електронної і атомно-силової мікроскопії та низькотемпературної (Т = 5 К) фотолюмінесценції встановлено вплив легування та дефектності кристалів ZnSe на стан поверхні після різних етапів хімічної обробки. Показано, що використання запропонованого способу сприяє формуванню нанорозмірного рельєфу (Rz = 2-4 нм) на поверхні ZnSe, що можна застосовувати при виготовленні робочих елементів низькотемпературних сцинтиляційних болометрів.

 

Розроблено методику пошарового осадження нанокристалів (НК) CdTe і отримано тонкі плівки (10-20 мкм) НК CdTe/полімер. Показано, що внаслідок перенесення НК CdTe з колоїдного розчину в полімер відбувається зсув смуги фотолюмінесценції (ФЛ). Таке зміщення свідчить про те, що при використаному способі перенесення НК з колоїдного розчину в полімерну матрицю інкорпоруються переважно НК менших розмірів, тобто процес впровадження є розмірно-селективним. Проведено дослідження вольт-амперних характеристик діодних структур, виготовлених на основі полімерної матриці з інкорпорованими нанокристалами CdTe.

 

Розроблено технологічний маршрут безабразивної обробки поверхні підкладок InSb, оптимізовано склад травника Br2 в HBr для ХДП, що забезпечує високу якість полірування (шорсткість Rz ≈ 0,05 мкм на площі ~ 6 см2). Вперше в Україні розроблено технологічні режими виготовлення InSb p-n-переходів дифузією акцепторної домішки Cd в монокристалічні підкладки n-InSb з концентрацією електронів ~ 1.6×1015см-3 (T = 77 K). Встановлено, що кращі за фізичними властивостями p-n-переходи з глибиною залягання порядку ~3 мкм формуються при t ~ 400oC впродовж 30 хв.

 

Показано вплив природи вихідних речовин та тривалості синтезу на швидкість росту і оптичні властивості НК CdTe в колоїдному розчині. Розроблено і оптимізовано методику отримання НК CdTe, інкорпорованих в полімерну матрицю (желатин), нанесення полімерних плівок на скляні підкладки, поверхня яких заряджена позитивно, та отримано тонкі плівки з достатньо високою адгезійною здатністю. Спектри ФЛ і оптичного поглинання таких композитів свідчать, що наночастинки надійно оточені полімером, і процес осадження не супроводжується їх агрегацією.

 

Підібрано полімерні та кристалічні матриці і розроблено оптимальні методики впровадження в них НК АІІВVI, досліджено їх оптичні та люмінесцентні властивості. Розроблено оптимальні методики виготовлення впорядкованих і невпорядкованих структур НК АІІВVI в твердотільних матрицях з необхідними випромінювальними властивостями. Визначено енергії активації температурного гасіння смуг фотолюмiнесценцiї КТ CdTe, інкорпорованих у полімерну матрицю, що вiдповiдають смугам ФЛ квантових точок різних розмірів. Виготовлено експериментальні зразки наноструктур НК АІІВVI в полімерних і кристалічних матрицях та досліджено їх основні властивості.

 

 

Обладнання

текст...

{tab Проекти}

текст...

Публікації

2017