2019

• Investigation of undoped and Tb-doped ZnO films on Al2O3 substrate by infrared reflection method

   O. Melnichuk, L. Melnichuk, B. Tsykaniuk, Z. Tsybrii,P. Lytvyn, C. Guillaume, X. Portier, V. Strelchuk, Ye. Venger, L. Khomenkova, N. Korsunska // Thin Solid Films.- 2019.- Volume 673.- Pages 136-140. AlGaN/GaN Field Effect Transistor with Two Lateral Schottky Barrier Gates towards Resonant Detection in Sub-Mm Range

  P. Sai, D. B. But, I Yahniuk, M. Grabowski, M. Sakowicz, P. Kruszewski, et all. Semicond. Sci. Technol. 34, no. 2, 024002 (2019). DOI: 10.1088/1361-6641/aaf4a7

• Based on Pneumatic Photonic Structures, High-Accuracy Measurement Procedure for the Universal Gas Constant

  Glushko E.Ya. // In: Fesenko O., Yatsenko L. (eds) Nanophotonics, Nanooptics, Nanobiotechnology, and Their Applications. Springer Proceedings in Physics. – Springer, Cham. – 2019. – Vol.222. – P.103–120. https://doi.org/10.1007/978-3-030-17755-3_7

• Brief history of THz and IR detectors

  F. Sizov, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2019. V. 22, N 1. P. 67-79.DOI:https://doi.org/10.15407/spqeo.22.01.67

• Carbon sp3 hybridization bonds in composites “polymer – CNT

  Kartel M., Karachevtseva L., Bo W., Sementsov Yu., Trachevskyi V., Bakalinska O., Lytvynenko O., Onyshchenko V. // Chemistry, physics and technology of surface. – 2019. – Vol.10, № 3. – P.219-226.https://doi.org/10.15407/hftp10.03.219

• Charge-carrierrelaxationinsonochemicallyfabricateddendronizedCaSiO3–SiO2–Sinanoheterostructures

  Savkina, R., Smirnov, A., Kirilova, S., Shmid, V., Podolian, A., Nadtochiy, A., Odarych, V., Korotchenkov, O. // ApplNanosci. - 2019. - vol.9. - pp. 1047–1056. https://doi.org/1010.1007/s13204-018-0763-3

• Electric and Terahertz Characterisation of FET based on BLG/h-BN

  J. V. Gumenjuk-Sichevska, Robin Huber, Aleksej N. Nazarov, Sergij V. Korinets, Yurii Gomenyuk, Mykola V.Vuychik, Ihor O. Lysjuk, Tamara Rudenko, Sergey N.Danilov., 2019 IEEE 9th International Conference Nanomaterials: Applications & Properties (NAP), Odesa, Ukraine, 2019, pp. 01P03-1-01P03-4, doi: 10.1109/NAP47236.2019.216986.

• Features of the Formation of Ohmic Contacts to N+-InN

  P. O. Sai, N. V. Safryuk-Romanenko, D. B. But, G. Cywiński, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, N. V. Jmeric, S. V. Ivanov, and V. V. Shynkarenko, Ukr. J. Phys., no. 64(1), pp. 56–62 (2019). DOI: https://doi.org/10.15407/ujpe64.1.56

• Functional Selective Nanostructured Coatings Synthesized by Low-Temperature Ion-Plasma Method on Polymeric Substrates

  Z. Tsybrii, F. Sizov, M. Vuichyk, K. Svezhentsova, E. Rudenko, I. Korotash, D. Polotskiy. pp. 235-247, in bookAlexanderPogrebnjak, Valentine Novosad “Advances in Thin Films, Nanostructured Materials, and Coatings”, Springer (2019). https://doi.org/10.1007/978-981-13-6133-3_24.

• Island Photonic Structures: Properties and Application in Sensing and Metrology

  Glushko E.Ya., Stepanyuk A.N. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronic. – 2019. – Vol.22, №4. – P.430-436. https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.430

• Laser-induced Point Defects in CdTe:Mn Single Crystals Irradiated by IR Laser.

    S.V. Plyatsko, Yu.S. Gromovyi, O.M. Stril’chuk, L.V. Rashkovets’kyi, Z.I. Zaharuk. Journal Of Nano-And Electronic Physics, 2019 V. 11 No 6, 06005(5pp). https://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2019/6/articles/jnep_11_6_06005.pdf

• Low Frequency Noise and Trap Density in GaN/AlGaN Field Effect Transistors

  P. Sai, J. Jorudas, M. Dub, M. Sakowicz, V. Jakštas, D. B. But, P. Prystawko, et al., Appl. Phys. Lett. 115, no. 18, 83501 (2019). DOI: 10.1063/1.5119227

• MBE-grown MCT hetero- and nanostructures for IR and THz detectors

    S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.G. Remesnik, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, D.G. Ikusov, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, J.V. Gumenjuk-Sichevska, A.G. Golenkov, I.O. Lysiuk, Z.F. Tsybrii, A.V. Shevchik-Shekera, F.F. Sizov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev // Opto-ElectronicsReview.- 2019.- 27.- P. 282–290. https://doi.org/10.1016/j.opelre.2019.07.002.

• Optical arrangement for surface plasmon-assisted directional enhanced Raman scattering spectroscopy

   Gennadii V. Beketov, Olena V. Shynkarenko, Volodymyr O.Yukhimchuk // Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy.- 2019.- Volume 219.- P. 488-495. https://doi.org/10.1016/j.saa.2019.04.039

• Optoelectronic properties and carrier transport mechanisms in amorphous SiCN

  Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Тkachuk, А.І., Porada, O.K., Kozak, A.O., Ivaschenko, V.I., Manzhara, V.S. (2019). Journal of Non-Crystalline Solids, 523, 119603. https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2019.119603

• Scafolds in periodontal surgery

  ChumachenkoO.V., Topchii D.V., GromovyiYu.S., Plyatsko S.V. MedicalScienceofUkraine, 2019, v. 15, 87-92. https://doi.org/10.32345/2664-4738.1.2020.06

• Time Resolution and Dynamic Range of Field-Effect Transistor–Based Terahertz Detectors

    P. Zagrajek, S. N. Danilov, J. Marczewski, M. Zaborowski, C. Kolacinski, D. Obrebski, P. Kopyt, B. Salski, D. But, W. Knap, S. D. Ganichev, J. Infrared Millim. Terahertz Waves, 40(7), p.703-719 (2019). https://doi.org/10.1007/s10762-019-00605-0

• Індикація тиску за часом всередині потоку рідини сенсором на основі пневматичного фотонного кристалу

  Глушко Є.Я., Степанюк О. М. // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (Sensor Electronics and Мicrosystem Technologies). – 2019. – Т.16, №1. – С. 59–67https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.1.159488

• Вплив термічно та радіаційно стимульованих процесів дифузії на властивості матеріалів мікроелектроніки та приладів на їх основі

  Корсунська Н.О., Маркевич І.В., Борковська Л.В., Хоменкова Л.Ю., Савкіна Р.К., Смірнов О.Б., Венгер Є.Ф., Мельничук Л.Ю., Мельничук О.В. Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 2019. – 211 с. ISBN: 978-617-527-201-5

• Маскувальні покриття із селективними властивостями

  Сизов Ф.Ф., Цибрій З.Ф., Вуйчик М.В., Свеженцова К.В., Короташ І.В., Руденко Е.М., Полоцький Д. Ю., Патент на винахід UA 118901 C2, опубл. 25.03.2019, Бюл. №6.

• Оптичні властивості пористого кремнію p-Si (100)

  П.О. Генцарь, М.В. Вуйчик, М.В. Ісаєв, П.О. Ліщук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2019.- Том 20, № 3.- С. 264-268. https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.264-268

• Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

  З.Ф. Цибрій// Доповіді НАНУ.- 2019.- №9.- C. 34-40. https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.09.034

2018

• 1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p-n junctions

  Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Тkachuk, А.І., Trotsenko, S.P. (2018). Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. 21(4), 374 – 379. doi: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.374

• An effective method for antenna design in field effect transistor terahertz detectors

  Z. Bo-Wen, Y. Wei, L. Zhao-Feng, B. Long, Cywinski G., Yahniuk I., Szkudlarek K., Skierbiszewski C., J. Przybytek, D.B But., D. Coquillat, W. Knap, Y. Fu-Hua, J. Infrared Millim. Terahertz Waves 37, 398-392, (2018).DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.04.002

• Deep Radiation-Induced Defect Centers Created by a Fast Neutron Fluxin CdZnTe Single Crystals

  Plyatsko S.V., Rashkovetskyi L.V. 201852(3):305-309 https://doi.org/10.1134/S1063782618030181

• Designing and manufacturing aspherical polystyrene lenses for the terahertz region

  Shevchik-Shekera, V. Zabudsky, A. Golenkov, S. Dvoretsky, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2018. V. 21, N 1. P. 83-88. DOI: 10.15407/spqeo21.01.083.

• Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures

  E.O. Melezhik, F.F. Sizov, N.N. Mikhailov, J.V.Gumenjuk-Sichevska, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 21 (2), P. 187-194 (2018). DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.02.187

• Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTequantum wells at high temperatures

  E. O.Melezhik, F. F. Sizov, N. N. Mikhailov, J. V.Gumenjuk-Sichevska, Semic. Phys. Quant. ElectrOptoel., 2018. 21, N 2. P. 187-194,DOI: 10.15407/spqeo21.02.187

• Functionalization of 2D macroporous silicon under the high-pressure oxidation

  Karachevtseva L., Kartel M., Kladko V., Gudymenko O., Bo Wang, Bratus V.,O., Onyshchenko V., Stronska O. // Applied Surface Science. – 2018. – Vol.434. – P.142-147. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.10.029

• InSb фотодіоди (Огляд. Частина IV)

  Тетьоркін В.В, Сукач А.В., Ткачук А.І, Троценко С.П. InSb фотодіоди (Огляд. Частина IV). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2018. – Вып. 53. – С. 60–82.

• InSb фотодіоди (Огляд. Частина V)

  Сукач А.В., Тетьоркін В.В, Ткачук А.І, Троценко С.П., Кравецький М.Ю., Матіюк І.М., Федоренко А.В.. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2019. – Вып. 54. – С. 51–78.

• IR blocking and transparent in visible and THz filters

  FedirSizov, ZinoviiaTsybrii, IhorKorotash, EduardRudenko. LAP LAMBERT Academic Publishing, (2018) 78 рр.

• Optical characterization of the HgCdTe-based composite structure obtained by Ag ion implantation

  Smirnov, A.B., Savkina, R.K., Nasieka, I.M., Strelchuk, V.V., Demchenko, I.N., Kryshtab T. // J Mater Sci: Mater Electron.2018.- vol. 29. - pp. 15708–15714. https://doi.org/10.1007/s10854-018-9177-y

• Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon

  Karachevtseva L.A., Onyshchenko V.F. // Chemistry, Physics and Technology of Surface. – 2018. – Vol.9, №2. – P.158-166.https://doi.org/10.15407/hftp09.02.158

• Sol-gel synthesis, surface morphology and spectral properties of ZnO ultrathin films on a silicon single crystal

  MoskvinP.P., SkybaG.V., DobryakovV.L., KolodiiM.A., RashkovetskyiL.V., KolomysO.F., RarataS.V., 2018, 4, p.36-42. http://www.vhht.dp.ua/arhiv-2018-4-2/

• Solid State Composites and Hybrid Systems: Fundamentals and Applications

  Savkina, R. (Ed.), Khomenkova, L. (Ed.). Boca Raton: CRC Press, 2018. - 216 p. ISBN: 9780815386032

• Terahertz radiation detectors: the state of the art

  F. Sizov, Semicon. Sci ,Technol., 33, 123001 (2018)DOI: 10.1088/1361-6641/aae473

• Високоякісні епітаксійні плівки CdZnTe для напівпровідникової оптоелектроніки: синтез і властивості

  Л.В. Рашковецький, С.В. Пляцко,П.П. Москвін, В.Л. Добряков, Г.В. Скиба. Вісник ЖДТУ. 2018. No 1 (81) https://doi.org/10.26642/tn-2018-1(81)-202-209

• Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-і-n фотодіодів

  Маслов В.П., Сукач А.В., Тетьоркін В.В, Кравецький М.Ю., Качур Н.В., Ворощенко А.Т., Луцишин І.Г., Матіюк І.М. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2018. – Вып. 53. – С. 188–198 с.

• Релаксація фотопровідності в макропористому кремнії

  Онищенко В.Ф., Карась М.І. / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2018. – №53. – С.248-253.DOI:10.15407/jopt.2018.53.248

• Хімічне травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe та CdxHg1-xTe водними розчинами– HBr – ацетатна кислота

  Чайка М.В., Томашик З.Ф., Томашик В.М., Маланич Г.П., Денисюк Р.О. Вісник ЧНУ. Сер. Хімія. – 2018. – Вип. 805. – С. 46-52. http://eprints.zu.edu.ua/28229/

• Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением

  Ф. Ф. Сизов, А. Г. Голенков, В. П. Рева, В. В. Забудский, С. В. Коринец, А. М. Торчинский, ТКЭА, № 2, 9-14, 2018. http://dx.doi.org 10.15222/TKEA2018.2.09

2017

• Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb

  Stariy, S.V., Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Yukhumchuk, V.O., Stara, T.R. (2017). Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 20(1), 105–109.doi:https://doi.org/10.15407/spqeo20.01.105

• Enhanced Nonlinear Optical Effect in Hybrid Liquid Crystal Cells Based on Photonic Crystal

  Bugaychuk S., Iljin A., Lytvynenko O., Tarakhan L., Karachevtseva L.// Nanoscale Research Letters. – 2017. – Vol.12. – Art.#449.DOI: 10.1186/s11671-017-2217-3

• Dynamical dielectric function of 2DEG in HgTe-based quantum wells in RPA formalism

  Evgen Melezhik., J.V. Gumenjuk-SichevskaJ, S. A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov// September 2017 Conference: 2017 IEEE 7th International Conference Nanomaterials: Application & Properties (NAP), DOI: 10.1109/NAP.2017.8190385

• Effect of Ge Content on the Formation ofGe Nanoclusters in Magnetron-SputteredGeZrOx-Based Structures

  L. Khomenkova, D. Lehninger, O. Kondratenko, S. Ponomaryov, O. Gudymenko, Z. Tsybrii, V. Yukhymchuk, V.Kladko, J. vonBoranyand J. Heitmann //Nanoscale Research Letters.- 2017.- 12: 196.- P.1-12. https://doi.org/10.1186/s11671-017-1960-9.

• Electromagnetic Modes Inside the Island Kind 2D Photonic Crystal Resonator

  Glushko E.Y., Stepanyuk A.N. // Springer Proceedings in Physics. – 2017. – Vol.195. – P.263-274. https://doi.org/10.1007/978-3-319-56422-7_18

• Frequency sensitive effect of rectifying FET terahertz detectors

  A. Golenkov, F. Sizov, I. Lysiuk. Frequency sensitive effect of rectifying FET terahertz detectors // Proceedings of the 46 Evropean microwave Conference, p. 1107- 1110, 2017, DOI: 10.1109/EuMc.2016.7824541.

• GridPix detectors–introduction and applications

  J. Kaminski, Y. Bilevych, K. Desch, C. Krieger, M. Lupberger, GridPix detectors–introduction and applications, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 845, 233-235, 2017.

• Hg1-xCdxTe vapor deposition on CdZnTe substrates by Closed Space Sublimation technique

  Sandra Rubio, Nikolai V. Sochinskii, Eva Repiso, Zinoviia Tsybrii, Fiodor Sizov, Jose Luis Plaza, Ernesto Dieguez // Journal of Crystal Growth.- V. 457.-2017.- P. 211–214.http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.02.035.

• HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics

  S. Ruffenach, A. Kadykov, V. V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, and F. Teppe, “HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics,” APL Mater., vol. 5, no. 3, 2017.

• Infrared and terahertz in biomedicine

  F. Sizov, Infrared and terahertz in biomedicine, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 20, N 3 (2017).

• Infrared blocking, microwave and terahertz low-loss transmission AlN films grown on flexible polymeric substrates

  E. Rudenko, Z. Tsybrii, F. Sizov, I. Korotash, D. Polotskiy, M. Skoryk, M. Vuichyk, and K. Svezhentsova, Infrared blocking, microwave and terahertz low-loss transmission AlN films grown on flexible polymeric substrates, J. Appl. Phys., 121, 135304 (2017). 8 p.p.

• InSb фотодіоди (Огляд. Частина ІІІ)

  Сукач А.В., Тетьоркін В.В., Ткачук А.І., Троценко С.П. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2017. – Вып. 52. – С. 5 – 36.

• Invariance of multifractal spectrums of spatial forms on the surface of ZnxCd 1-xTe – Si heterocompositions synthesized by electron beam epitaxy and hot wallJournal of Crystal Growth

  Moskvin, P.P., Kryzhanivskyy, V.B., Rashkovetskyi, L.V., Morozov, A.V., Lytvyn, P.M. 2017 v.475, p.144-149. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.06.010

• Ion Beam Nanostructuring of HgCdTe Ternary Compound

  O.B. Smirnov, Savkina R.K., R.S. Udovitska, A.I. Gudymenko, V.P. Kladko, A.A Korchovyi, "Ion Beam Nanostructuring of HgCdTe Ternary Compound" / Nanoscale research letters. - 2017.-Vol. 12: 320, DOI: 10.1186/s11671-017-2093-x.

• Lamellar structures from graphene nanoparticles produced by anode oxidation

  Kartel M., Sementsov Y., Dovbeshko G., Karachevtseva L., Makhno S., Aleksyeyeva T., Grebel’na Y., Styopkin V., Bo W., Stubrov Y. // Advanced Materials Letters. – 2017. – Vol.8, №3. – P.212-216.DOI: 10.5185/amlett.2017.1428

• Light emitting “polymer-nanoparticles” coatings on macroporous silicon substrates

  Karachevtseva L. A., Kartel M. T., Konin K. P., Lytvynenko O. O., Onyshchenko V. F., Bo W. // Chemistry, Physics and Technology of Surface. – 2017. – Vol.8(1). – P.18-29. DOI:10.15407/hftp08.01.018

• Nanostructuring surface of HgCdTe by Ion bombardment

  O.B. Smirnov, Savkina R.K., "Nanostructuring surface of HgCdTe by Ion bombardment" / Chapter 30 in Springer Proceedings in Physics, 2017, Vol. 195, ISBN 978-3-319-56244-5, DOI 10.1007/978-3-319-56422-7.

• Polymer-nanoparticle coatings on macroporous silicon matrix

  Karachevtseva L.A., Kartel M.T., Lytvynenko O.O., Onyshchenko V.F., Parshyn K.A., Stronska O.J. // Advanced Materials Letters. – 2017. – Vol.8, №4. – P.336-341.DOI:10.5185/amlett.2017.1412

• Silicon surface functionalization based on cavitation processing

  Savkina, R.K., A.B. Smirnov, A.I. Gudymenko, V.A.Morozhenko, A.S. Nikolenko, M.I. Smoliy, T.G. Кryshtab// Surf Coat Technol.- 2017.- Vol.343, N15.- pp. 17-23. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2017.11.065  

• THz Beam Shaper Realizing Fan-Out Patterns

  Liebert, K., Rachon, M., Siemion, A., Suszek, J., But, D., Knap, W., & Sypek, M. . THz Beam Shaper Realizing Fan-Out Patterns / Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, 1-12., 2017.

• Toward the Pixel-TPC: Construction and Operation of a Large Area GridPix Detector

  M. Lupberger, Y. Bilevych, H. Blank, D. Danilov, K. Desch, A Hamann, et. al., Toward the Pixel-TPC: Construction and Operation of a Large Area GridPix Detector, IEEE Transactions on Nuclear Science 64 (5), 1159-1167, 2017

• Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb

  G.V. Beketov, A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, S.P. Trotsenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2017.- Volume 20, N 4, P. 470-474. https://doi.org/10.15407/spqeo20.04.470

• Дискретные фотоприемники средневолнового ИК диапазона спектра на основе HgCdTe

  Цибрий З.Ф., Андреева Е.В., Апатская М.В., Бунчук С.Г., Вуйчик Н.В., Голенков А.Г., Дмитрук Н.В., Забудский В.В., Лысюк И.А., Свеженцова Е.В., Смолий М.И., Сизов Ф.Ф. ТКЭА.- 2017.- №6.- C. 8-13 (2017). http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2017.6.08.

• Особливості виготовлення CdTep-n-переходів та транспорт носіїв заряду в них

  Ворощенко А.Т., Сукач А.В., Тетьоркін В.В., Ткачук А.І., Кравецький М.Ю., Луцишин І.Г., Матіюк І.М. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2017. – Вып. 52. – С. 81 – 90.

• ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением

  В. П. Рева, С. В. Коринец, А. Г. Голенков, С. Сапон, А. М. Торчинский, В. В. Забудский, Ф. Ф. Сизов, ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением, Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 1-2, c. 33-37 (2017).

• Розрахунок спектрів фотопровідності в кремнії з поверхнями структурованими макропорами

  Онищенко В.Ф., Карась М.І. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2017. – №52. – С.123-127.DOI:10.15407/jopt.2017.52.123

• “Медленные” поверхностные уровни и релаксация фотопроводимости в структурах макропористого кремния в фиолетовой области оптического спектра

  Карась Н.И., Онищенко В.Ф., Калустова Д.А., Корнага В.И. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2017. – №52. – С.135-140.DOI: 10.15407/jopt.2017.52.135

2016

• Asymmetric devices based on carbon nanotubes as detectors of sub-THz radiation

  I. A. Gayduchenko, G. E. Fedorov, T. S. Stepanova, N. Titova, B. M. Voronov, D. But, D. Coquillat, N. Diakonova, W. Knap, and G. N. Goltsman, “Asymmetric devices based on carbon nanotubes as detectors of sub-THz radiation” / J. Phys. Conf. Ser., vol. 741, no. 1, 2016.

• Detection of IR and sub/THz radiation using MCT thin layer structures: design of the chip, optical elements and antenna pattern

  F.F. Sizov, Z.F. Tsybrii, V.V. Zabudsky, M.V. Sakhno, A.V. Shevchik-Shekera, S.Ye. Dukhnin, A.G. Golenkov, E. Dieguez, S.A. Dvoretsky, “Detection of IR and sub/THz radiation using MCT thin layer structures: design of the chip, optical elements and antenna pattern” / SPQEO, V. 19, N 2, P. 149-155, 2016, doi: 10.15407/spqeo19.02.149.

• Electron mobility in semi-metal HgCdTe quantum wells: dependence on the well width

  Melezhik, E.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F. // Electron mobility in semi-metal HgCdTe quantum wells: dependence on the well width // SpringerPlus, 5(1), 80, pp. 1-10 (2016).

• Hg1−xCdxTe vapor deposition on CdZnTe substrates by Closed Space Sublimation technique

  S. Rubio, N. Sochinskii, E. Repiso, Z. Tsybrii, F. Sizov, J. L. Plaza, E. Diéguez, "Hg1−xCdxTe vapor deposition on CdZnTe substrates by Closed Space Sublimation technique" / Journal of Crystal Growth, 417, 211-214, March 2016, doi: 10.1016/j.jcrysgro.2016.02.035.

• HgCdTe photodiodes for infrared mid-wavelength region

  F. Sizov, Z. Tsybrii, M. Vuichyk, К. Аndreyeva, М. Аpatsка, S. Bunchuk, N. Dmytruk, М. Smolii. HgCdTe photodiodes for infrared mid-wavelength region, Sensor Electronics and Мicrosystem Technologies, 13, № 1, p.49-55 (2016).

• High-speed room temperature terahertz detectors based on InP double heterojunction bipolar transistors

  1. D. Coquillat, V. Nodjiadjim, S. Blin, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, P. Nouvel, A. Pènarier, J. Torres, D. But, S. Ruffenach, F. Teppe, M. Riet, A. Muraviev, A. Gutin, M. Shur, and W. Knap, “High-speed room temperature terahertz detectors based on InP double heterojunction bipolar transistors” / Int. J. High Speed Electron. Syst., vol. 25, no. 3–4, 2016.

• Imaging and gas spectroscopy for health protection in Sub-THz frequency range

  W. Knap, D. B. But, D. Couquillat, N. Dyakonova, M. Sypek, J. Suszek, E. Domracheva, M. Chernyaeva, V. Vaks, K. Maremyanin, V. Gavrilenko, C. Archier, B. Moulin, G. Cywinski, I. Yahniuk, and K. Szkudlarek, “Imaging and gas spectroscopy for health protection in Sub-THz frequency range” / Int. J. High Speed Electron. Syst., vol. 25, no. 3–4, 2016.

• Modeling of Noise and Resistance of Semimetal Hg1-xCdxTe Quantum Well used as a Channel for THz Hot-Electron Bolometer

  Melezhik, E.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F. // Modeling of Noise and Resistance of Semimetal Hg1-xCdxTe Quantum Well used as a Channel for THz Hot-Electron Bolometer // Nanoscale Research Letters, 11(1), 181, 2016.

• Modeling of THz detector antenna on conductive sustrate

  Sakhno M., Gumenjuk-Sichevska J.V., Sizov,F.F. // Modeling of THz detector antenna on conductive sustrate // IEEE Conference Publications, 9th International Kharkiv Symposium on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves, MSMW (2016). DOI: 10.1109/MSMW.2016.7538062.

• Multifractal parametrization for the volume of space forms on surfaces of ZnxCd1–xTe–Si(111) heterocompositions and estimating the energy of a surface with fractal structure

  Moskvin P.P., Krizhanovskii V.B., Rashkovetskii L.V., Vuichik N.V., "Multifractal parametrization for the volume of space forms on surfaces of ZnxCd1–xTe–Si(111) heterocompositions and estimating the energy of a surface with fractal structure" / Russian Journal of Physical Chemistry A 2016, v. 90, No. 5. p. 780-787.

• Multifractal spectrums for volumes of spatial forms on surface of Zn x Cd 1-xTe-Si (111) heterostructures and estimation of the fractal surface energy

  P.Мoskvin, V.Kryzhanovskyy, P.Lytvyn, L.Rashkovetskyi "Multifractal spectrums for volumes of spatial forms on surface of Zn x Cd 1-xTe-Si (111) heterostructures and estimation of the fractal surface energy" / J.Cryst.Growth, 450 (2016) 28-33.

• Multi‐band radiation detector based on HgCdTe heterostructure

  O.B. Smirnov, T Kryshtab, R.K.Savkina, M. Kladkevich, V. Samoylov, "Multi‐band radiation detector based on HgCdTe heterostructure" / Phys. Status Solidi (c).-2016.- Vol.13, № 7-9.- P. 639-642.

• Numerical modeling of transport properties and noise in semi-metal HgCdTe quantum well channel for THz hot-electron bolometer

  Melezhik, E.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F. // Numerical modeling of transport properties and noise in semi-metal HgCdTe quantum well channel for THz hot-electron bolometer // IEEE Conference Publications, 21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON (2016). DOI: 10.1109/MIKON.2016.7492020.

• Operation property of PbTe by laser epitaxy

  S.V. Plyatsko, J.E. Kulumbetov, A.A. Osmonalieva, G.K. Tolbaeva, "Operation property of PbTe by laser epitaxy", / Herald of the IUK, Bishkek, 2016. P.71-77.

• Performance evaluation of active sub-Terahertz systems in Degraded Visual Environments (DVE)

  R. Ceolato, B. Tanguy, C. Martin, T. Huet, P. Chervet, G. Durand, N. Riviere, L. Hespel, N. Diakonova, D. But, W. Knap, J. Meilhan, B. Delplanque, J. Oden, and F. Simoens, “Performance evaluation of active sub-Terahertz systems in Degraded Visual Environments (DVE)” // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2016, vol. 9839.

• Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection

  A.G. Golenkov, F.F. Sizov, "Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection" / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 19, N 2. P. 129-138, 2016.

• Physical and photoelectrical properties of PbTe/BaF2 obtained in nonequilibrium condition

  S.V. Plyatsko, J.E. Kulumbetov, A.A. Osmonalieva, G.K. Tolbaeva, "Physical and photoelectrical properties of PbTe/BaF2 obtained in nonequilibrium condition" / Herald of the IUK, Bishkek, 2016. P. 78-86.

• Potential applications of electron emission membranes in medicine

  Y. Bilevych, S. Brunner, H. Chan, E. Charbon, H. van der Graaf, et. al., Potential applications of electron emission membranes in medicine, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 809, 171-174, 2016.

• Pressure- and temperature-driven phase transitions in HgTe quantum wells

  S. S. Krishtopenko, I. Yahniuk, D. B. But, V. I. Gavrilenko, W. Knap, and F. Teppe, “Pressure- and temperature-driven phase transitions in HgTe quantum wells,” Phys. Rev. B, vol. 94, no. 24, 2016.

• Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector

  N. Dyakonova, P. Faltermeier, D. B. But, D. Coquillat, S. D. Ganichev, W. Knap, K. Szkudlarek, and G. Cywinski, “Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector” / J. Appl. Phys., vol. 120, no. 16, 2016.

• Silicon Substrate Strained and Structured via Cavitation Effect for Photovoltaic and Biomedical Application

  O.B. Smirnov, A.I. Gudymenko, V.P. Kladko, A.A Korchovyi, A.S. Nikolenko, Savkina R.K., Stara T.R., Strelchuk V.V., "Silicon Substrate Strained and Structured via Cavitation Effect for Photovoltaic and Biomedical Application" / Nanoscale research letters. - 2016.-Vol. 11: 183, DOI: 10.1186/s11671-016-1400-2.

• Structural and magnetoresistive properties of nanometric films based on iron and chromium oxides on the Si substrate

  O.B. Smirnov, M.L.Sadovnikova, R.K.Savkina, S.A. Mulenko, S. Kryvyi, N. Stefan, "Structural and magnetoresistive properties of nanometric films based on iron and chromium oxides on the Si substrate" / Nanoscale research letters. - 2016.-Vol. 11: 467, DOI: 10.1186/s11671-016-1684-2.

• Structured Silicon Surface via Cavitation Processing for the Photovoltaic and Biomedical Application

  O.B. Smirnov, Savkina R.K., "Structured Silicon Surface via Cavitation Processing for the Photovoltaic and Biomedical Application" / Chapter 24 in Springer Proceedings in Physics, 2016, Vol. 183, pp. 291-303, ISBN: 978-3-319-30736-7.

• Temperature-driven massless Kane fermions in HgCdTe crystals

  F. Teppe, M. Marcinkiewicz, S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, C. Consejo, A. M. Kadykov, W. Desrat, D. But, W. Knap, J. Ludwig, S. Moon, D. Smirnov, M. Orlita, Z. Jiang, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, and S. A. Dvoretskii, “Temperature-driven massless Kane fermions in HgCdTe crystals” / Nat. Commun., vol. 7, 2016.

• Terahertz 3D printed diffractive lens matrices for field-effect transistor detector focal plane arrays

  K. Szkudlarek, M. Sypek, G. Cywiński, J. Suszek, P. Zagrajek, A. Feduniewicz-Zmuda, I. Yahniuk, S. Yatsunenko, A. Nowakowska-Siwińska, D. Coquillat, D. B. But, M. Rachoń, K. Wegrzyńska, C. Skierbiszewski, and W. Knap, “Terahertz 3D printed diffractive lens matrices for field-effect transistor detector focal plane arrays” / Opt. Express, vol. 24, no. 18, 2016.

• Terahertz imaging of Landau levels in HgTe-based topological insulators

  A. M. Kadykov, J. Torres, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, S. Ruffenach, M. Marcinkiewicz, D. But, W. Knap, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and F. Teppe, “Terahertz imaging of Landau levels in HgTe-based topological insulators” / Appl. Phys. Lett., vol. 108, no. 26, 2016.

• THz transport properties and noises in QW channel of MCT hot-electron bolometer

  Melezhik, E.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F. // THz transport properties and noises in QW channel of MCT hot-electron bolometer // IEEE Conference Publications, 9th International Kharkiv Symposium on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves, MSMW (2016). DOI: 10.1109/MSMW.2016.7538105.

• Two-color arrays for sub-terahertz/infrared imaging

  J. Gumenjuk-Sichevska; O. Golenkov; I. Lysjuk; E. Melezhik; M. Sakhno; A. Shevchik-Shekera; Z. Tsybrii; V. Zabudsky; F. Sizov, S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Two-color arrays for sub-terahertz/infrared imaging, 2016 IEEE IEEE Xplore Digital Library 7th International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers (CAOL), Odessa, 2016, pp. 225-227. doi: 10.1109/CAOL.2016.7851436.

• Two-dimensional plasmons in lateral carbon nanotube network structures and their effect on the terahertz radiation detection

  V. Ryzhii, T. Otsuji, M. Ryzhii, V. G. Leiman, G. Fedorov, G. N. Goltzman, I. A. Gayduchenko, N. Titova, D. Coquillat, D. But, W. Knap, V. Mitin, and M. S. Shur, “Two-dimensional plasmons in lateral carbon nanotube network structures and their effect on the terahertz radiation detection” / J. Appl. Phys., vol. 120, no. 4, 2016.

2015

• AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation

  N. Dyakonova, D. B. But, D. Coquillat, W. Knap, C. Drexler, P. Olbrich, J. Karch, M. Schafberger, S. D. Ganichev, G. Ducournau, C. Gaquiere, M.-A. Poisson, S. Delage, G. Cywinski, and C. Skierbiszewski, "AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation" / Opto-electronics Rev., vol. 23, no. 3, 2015.

• Carrier Energy Spectra And Mobilities In Semi-metallic HgTe Quantum Wells

  E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov, "Carrier Energy Spectra And Mobilities In Semi-metallic HgTe Quantum Wells", Conference publication, 2015 International Young Scientists Forum on Applied Physics (YSF), IEEExplore, 4 pages, Sept. 29 2015-Oct. 2 2015, doi: 10.1109/YSF.2015.7333269 (2015).

• Composition and concentration dependencies of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells

  E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov "Composition and concentration dependencies of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells" / Semiconductor Physics, Quantum Electronics &Optoelectronics, 2015, v. 18, No. 3 p. 110-124.

• Effect of doping by transitional elements on properties of chalcogenide glasses

  A. Stronski, O. Paiuk, A. Gudymenko, V. Klad’ko, P. Oleksenko, N. Vuichyk, M. Vlček, I. Lishchynskyy, E. Lahderanta, A. Lashkul, A. Gubanova, Ts. Krys’kov, "Effect of doping by transitional elements on properties of chalcogenide glasses" // Ceramics International – Volume 41, Issue 6, July 2015, Pages 7543–7548.

• Ellipsometric Analysis of Cadmium Telluride Films’ Structure

  Anna Evmenova, Volodymyr Odarych, Mykola Vuichyk, Fedir Sizov, "Ellipsometric Analysis of Cadmium Telluride Films’ Structure" // Advances in Materials Science and Engineering, Volume 2015, 2015, Pages 1-11.

• Formation of Nanocomposites by Oxidizing Annealing of SiOx and SiOx Films: Ellipsometry and FTIR Analysis

  Mykola V Sopinskyy, Natalya A Vlasenko, Igor P Lisovskyy, Sergii O Zlobin, Zinoviia F Tsybrii and Lyudmyla I Veligura, "Formation of Nanocomposites by Oxidizing Annealing of SiOx and SiOx<Er,F> Films: Ellipsometry and FTIR Analysis" / Nanoscale Research Letters, 10:232 (pp.1-8) (2015).

• MCT as sub-terahertz and infrared detector

  Fiodor F. Sizov, Vyacheslav V. Zabudsky, Sergey A. Dvoretsky, Vladimir A. Petryiakov, Aleksandr G. Golenkov, Katerina V. Andreyeva, Zinoviia F. Tsybrii, Anna V. Shevchik-Shekera, Ernesto Dieguez. MCT as sub-terahertz and infrared detector, Proc. SPIE 9483, Terahertz Physics, Devices, and Systems IX: Advanced Applications in Industry and Defense, 94830V (May 13, 2015); doi: 10.1117/12.2176854.

• Mercury-Cadmium-Telluride thin layers as sub-THz and IR detectors

  F. Sizov,1V. Zabudsky, S. Dvoretskii, V. Petryakov, O. Golenkov, Z. Tsybrii, E. Dieguez, E. Repiso. Mercury-Cadmium-Telluride thin layers as sub-THz and IR detectors, 8th THz Days - - 31 March – 2 April 2015, Areches, France, p. 135.

• Mercury–cadmium–telluride thin layers as subterahertz and infrared detectors

  F. Sizov, Z. Tsybrii, V. Zabudsky, O. Golenkov, V. Petryiakov, S. Dvoretsky, N. Michailov, A. Shevchik-Shekera, I. Lysiuk, E. Dieguez, "Mercury–cadmium–telluride thin layers as subterahertz and infrared detectors" / Opt. Eng. 54(12), 127102 (Dec 10, 2015). doi:10.1117/1.OE.54.12.127102

• Modeling of electron energy spectra and mobilities in semi-metallic Hg1−xCdxTe quantum wells

  E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska and F. F. Sizov, "Modeling of electron energy spectra and mobilities in semi-metallic Hg1−xCdxTe quantum wells" / Journal of Applied Physics 118(19), 194305 (2015).

• Modeling of Printed Antennas on Electrically Thick Subtrate for THz Focal Plane Array

  M. Sakhno, J. Gumenjuk-Sichevska, F. Sizov, "Modeling of Printed Antennas on Electrically Thick Subtrate for THz Focal Plane Array" / International Young Scientists Forum on Applied Physics YSF-2015, Dnipropetrovsk, Ukraine, listed in IEEExplore.

• Nano-Heterostructures Based on Solid solution HgCdTe obtained using Silver Ion Implantation

  R. S. Udovitska, "Nano-Heterostructures Based on Solid solution HgCdTe obtained using Silver Ion Implantation" / International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and Instrumentation Engineering 2015.- Vol. 4, Issue 11 8802-8808.

• Nano-scale pattern formation on the surface of HgCdTe produced by ion bombardment

  O.B. Smirnov, R.K.Savkina, A.I. Gudymenko, V.P. Kladko, A.A. Korchevyi, F.F. Sizov, R.S. Udovitska, "Nano-scale pattern formation on the surface of HgCdTe produced by ion bombardment" / Phys. Status Solidi (c).-2015.-Vol.12, №8.- P. 1175-1178.

• Photovoltage Study of Graphene Oxide with Ni Nanoparticles

  Olena Okhay, Rahul Krishna, Elby Titus, Kateryna Andreeva, Rada Savkina, Oleksii Smirnov, "Photovoltage Study of Graphene Oxide with Ni Nanoparticles" / Materials Today: Proceedings2 ( 2015 ) 431 – 435.

• Possibility of the detection in IR and sub/THz spectral region using MCT thin layer receivers: design of the chip, optical elements and antenna pattern

  F. Sizov, Z. Tsybrii, V. Zabudsky, M. Sakhno, A.Shevcik-Shekera, M. Smoliy, E. Dieguez, S. Dvoretsky, "Possibility of the detection in IR and sub/THz spectral region using MCT thin layer receivers: design of the chip, optical elements and antenna pattern" / IEEE MMS 2015 – Lecce (Italy) – 2015, p. 49-52.

• Precision tracking with a single gaseous pixel detector

  S. Tsigaridas, N. van Bakel, Y. Bilevych, V. Gromov, F. Hartjes, N. Hessey, et. al., "Precision tracking with a single gaseous pixel detector", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 795, 309-317, 2015.

• Reliable cool-down of GridPix detectors for cryogenic applications

  R. Schön, J. Schmitz, S. Smits, Y. Bilevych, N. Van Bakel, "Reliable cool-down of GridPix detectors for cryogenic applications", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 780, 100-106, 2015.

• Simulation of electron mobility in semi-metal HgCdTe quantum wells: Composition dependencies

  Melezhik E. O., Gumenjuk-Sichevska J. V., Sizov F. F., "Simulation of electron mobility in semi-metal HgCdTe quantum wells: Composition dependencies" / E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov // IEEE Conference publications, 15th Mediterranean Microwave Symposium. – 2015 [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=7375457

• Sonosynthesis of microstructures array for semiconductor photovoltaics

  O.B. Smirnov, R. Savkina, T. Kryshtab, A. Kryvko, "Sonosynthesis of microstructures array for semiconductor photovoltaics" / Materials Science in Semiconductor Processing.-2015.-vol.37.-pp. 179–184.

• Structure and optical properties of AlN films obtainedusing the cathodic arc plasma deposition technique

  A.P. Shapovalov, I.V. Korotash, E.M. Rudenko, F.F. Sizov, D.S. Dubyna, L.S. Osipov, D.Yu. Polotskiy, Z.F. Tsybrii, A.A. Korchovyi, "Structure and optical properties of AlN films obtainedusing the cathodic arc plasma deposition technique" / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 18, N 2. p. 117-122 (2015). doi: 10.15407/spqeo18.02.117.

• Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs

  A.G. Golenkov, K.S. Zhuravlev, J.V. Gumenjuk-Sichevska, I.O. Lysiuk, F.F. Sizov, "Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs" / Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. 2015. V.18, N.1. P. 040-045.

• The photoresponse of crystalline silicon strained via ultrasonic cavitation processing

  O.B. Smirnov, R.K.Savkina, "The photoresponse of crystalline silicon strained via ultrasonic cavitation processing" / Phys. Status Solidi (c).-2015.-Vol.12, №8.- P. 1090-1093.

• Two-color detector: Mercury-Cadmium-Telluride as a terahertz and infrared detector

  F. Sizov, V. Zabudsky, S. Dvoretskii, V. Petryakov, O. Golenkov, K. Andreyeva, Z. Tsybrii. Two-color detector: Mercury-Cadmium-Telluride as a terahertz and infrared detector, Applied Physics Letters, 106, p. 082104-1 – 182104-4 (2015); doi: 10.1063/1.4913590.

• Uncooled rectifying and resistive type sub-THz direct detection detectors. Upper limit performance

  F. Sizov, A. Golenkov, M. Sakhno, V. Zabudsky,Z. Tsybrii, S. Dvoretskii, N. Mikhailov. Uncooled rectifying and resistive type sub-THz direct detection detectors. Upper limit performance, Proc. of 8th UK, Europe, China Conference on Millimetre Waves & Terahertz Technologies , Cardiff, UK, 14 – 15 September 2015, p.14-17.

• Uncooled wide-range optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor

  F. Sizov, "Uncooled wide-range optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor" / Ukrainian J. Physics, 60, p. 114-119 (2015).

• Використання новітніх технологій для створення асферичних лінз ТГц/суб-ТГц діапазонів

  Шевчик-Шекера А. В., "Використання новітніх технологій для створення асферичних лінз ТГц/суб-ТГц діапазонів" / А. В. Шевчик-Шекера, С. Е. Духнін // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Приладобудування. - 2015. - Вип. 49. - С. 134-139.

• Дослідження морфології шарів p-CdHgTe структурованих ковзним опроміненням іонами срібла

  О.Б. Смірнов, Сізов Ф.Ф., Савкіна Р.К., Удовицька P.C., Корчовий А.А., Мороженко В.О., Кролевець М.М., "Дослідження морфології шарів p-CdHgTe структурованих ковзним опроміненням іонами срібла" / УФЖ.-2015.- Том.60, №10.-C. 1056-1062.

• ИК-фотоэлектроника: фотонные или тепловые детекторы? Перспективы

  Ф. Сизов, "ИК-фотоэлектроника: фотонные или тепловые детекторы? Перспективы" / Sensor Electronics and Мicrosystem Technologies, 12, № 1, с. 26-52 (2015).

• Наноструктурування поверхні гетероепітаксійної плівки КРТ методом іонної імплантації Ag+

  Р. С. Удовицька, "Наноструктурування поверхні гетероепітаксійної плівки КРТ методом іонної імплантації Ag+" / Металлофизика и Новейшие Технологии- 2015. - т. 37, с. 887-897.

• Образование нитридов на поверхности монокристаллического GaAs в криогенной жидкости при облучении ультразвуком

  А.Б. Смирнов, Савкина Р.К., "Образование нитридов на поверхности монокристаллического GaAs в криогенной жидкости при облучении ультразвуком" / ПЖТФ.-2015.- Т.41, Вып.4.- сс.15-23.

• Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx

  В.В. Курилюк, О.О. Коротченков, З.Ф. Цибрій, А.С. Ніколенко, В.В. Стрельчук, "Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx" / Журнал нано- та електронної фізики, Том 7 № 1, 04001(5cc) (2015).

• Теплофiзичнi та спектральнi характеристики квазiоптичних фiльтруючих пристроїв для крiоелектронних приймальних систем

  Е.М. Руденкo, I.В. Короташ, А.П. Шаповалов, З.Ф. Цибрiй, М.О. Бiлоголовський, Д.Ю. Полоцький, Ю.В. Шлапак, В.М. Чмiль, Е.М. Глушеченко, В.В. Чмiль, А.М. Пилипенко, Ф.Ф. Сизов, "Теплофiзичнi та спектральнi характеристики квазiоптичних фiльтруючих пристроїв для крiоелектронних приймальних систем" // Доповіді НАНУ.- 2015.- №12.- С. 49-56.

• Фотолюмінісценція порошків ZnO отриманих під дією ультразвуку

  Закіров М. І., Коротченков О. О., Свеженцова К.В., "Фотолюмінісценція порошків ZnO отриманих під дією ультразвуку" / Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Фізико-математичні науки 2015. - №3. - C. 183-188.

‹2014

• Uncooled Rectification and Bolometer Type THz/Sub-THz Detectors

  F. Sizov, M. Sakhno, A. Golenkov, V. Petryakov, Z. Tsybrii, V. Reva, and V. Zabudsky. Uncooled Rectification and Bolometer Type THz/Sub-THz Detectors, in book Corsi Carlo and Sizov Fedir “THz and Security Applications- Detectors, Sources and Associated Electronics for THz Applications”, Springer, 292p. (2014) – Chapter 3, p.53-73

• 2x64 linear LWIR arrays on the base of HgCdTe MBE grown layers and CCD silicon readouts

  V. V. Vasil'ev, S. A. Dvoretskii, D. G. Esaev, T. I. Zahariyash, A. G. Klimenko, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, F. F. Sizov, V. P. Reva, Yu. P. Derkach, S. G. Korinets, A. G. Golenkov, S. D. Darchuk, V. V. Zabudskii // Proc. SPIE, vol. 4355, p.48-55 (2000)

• 2x64 linear LWIR arrays on the base of HgCdTe MBE grown layers and CCD silicon readouts

  V. V. Vasil'ev, S. A. Dvoretskii, D. G. Esaev, T. I. Zahariyash, A. G. Klimenko, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, F. F. Sizov, V. P. Reva, Yu. P. Derkach, S. G. Korinets, A. G. Golenkov, S. D. Darchuk, V. V. Zabudskii // Proc. SPIE, vol.4355, p.48-52 (2001)

• 4x288 Linear Array with Hybrid ROIC (CCD + CMOS)

  F.F. Sizov, V.N. Ovsyuk, V.V. Vasil’ev, T.I. Zakhar’yash, A.O. Suslyakov, N.H. Talipov, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.P. Reva, A.G. Golenkov, Yu.P. Derkach, V.V. Zabudsky, S.V. Korinets // Proc. SPIE, 5726, p. 132 -139 (2005)

• 4x288 Linear FPA on the heteroepitaxial Hg1-xCdxTe base

  Yu.P. Derkach, S.A. Dvoretski, A.G. Golenkov, A.G. Klimenko, A.I. Kozlov, I.V. Marchishin, V.N. Ovsyuk, V.P. Reva, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Suslyakov, N.Ch. Talipov, V.V. Vasilyev, T.I. Zahar’yash, V.V. Zabudsky // Proc. SPIE, 5126, p. 98 – 104 (2003)

• 4x288 Readouts and FPAs Properties

  F.F. Sizov, V.P. Reva, A.G. Golenkov, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov // Optoelectronics Review, 14, р. 67 - 74 (2006)

• 576x6 ROIC for MCT LWIR Arrays

  F.F. Sizov, Yu.P. Derkach, S.V. Korinets, V.P. Reva // Proc. SPIE, 5726, p. 140 - 145 (2005)

• A novel lens-integrated direct detection linear antenna array with narrow-gap hot-carrier bolometers for mm-wave imaging

  F.F. Dubrovka, D.S. Krasilnikov, F.F. Sizov, V.A. Petriakov// International Conference on Antenna Theory and Techniques, Odessa, Ukraine, p. 1-4 (2013)

• Absorptive CdTe films optical parameters and film thickness determination by the ellipsometric method

  A.Z. Evmenova, V.A. Odarych, F.F. Sizov, M.V. Vuichyk // Optica Applicata, Vol. XXXVIII, No. 3, p. 585-600 (2008)

• Ambient temperature or moderately cooled hot electron bolometer for mm and sub-mm regions

  V.N. Dobrovolsky, F.F. Sizov, Y.E. Kamenev, and A.B. Smirnov // Opto-Electr. Review, 16, N2, p. 172-178 (2008)

• Analytical model of the thin-film silicon-on-insulator tunneling field-effect transistor

  V. Dobrovolsly, F. Sizov // J. Appl. Phys., 110, # 11, 114513 (7 p. p.) (2011)

• Application of Molecular Spectroscopy to Study the Composition of Prehistoric Pigments from Excavations (Argentina)

  L.Darchuk, Z. Tsybriy, E.A. Stefaniak, C. Vazquez, O.M. Palacios, A. Worobiec, F. Sizov, and R. Van Grieken // EUCMOS 2008, XXIX European Congress on Molecular Spectroscopy., August 31th-September 5th 2008, Opatija, Croatia, Abstracts, p. 264.

• Argentinean prehistoric pigments’ study by combined SEM/EDX and molecular spectroscopy

  L. Darchuk, Z. Tsybrii, A. Worobiec, C. Vazquez, O.M. Palacios, E.A. Stefaniak, G. Gatto Rotondo, F. Sizov, R. Van Grieken // Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy, A 75, p. 1398–1402 (2010)

• Carrier transport mechanisms in narrow-gap photodiodes

  F.F.Sizov, V.V.Tetyorkin // Int. Conf. On "Solid State Crystals", 12-16.10.1998, p.17 (Zakopane)

• Carrier transport mechanisms in narrow-gap photodiodes

  F. F. Sizov, J. V. Gumenjuk-Sichevskaya, V. V. Tetyorkin // Proc. SPIE, v.3725, p.270-280 (1999)

• CdTe как пассивирующий слой в гетероструктуре CdTe/CdHgTe

  И.С. Вирт, И.В. Курило, И.А. Рудый, Ф.Ф. Сизов, Н.Н. Михайлов, Р.Н. Смирнов // Физика и техника полупроводников. 42, №7, с.788-792 (2008)

• Characterization of compensation and trapping in CdTe and CdZnTe

  V. Babentsov, J. Franc, M. Fiederle, K.-W. Benz, N. V. Sochinskii, E. Dieguez, and R. B. James // Recent Advances, Crystal Research Technol., V. 44, N. 10, 1054 – 1058 (2009)

• Characterization of the vapor growth CdTe crystals for high energy radiation detectors

  V.D. Popovich, I.S. Virt, D.I. Tsutsura, Z.F. Tsybrij, F.F. Sizov // Abstracts of 12th Int. Conf. on II-VI compounds, Warsaw, 12-16.09.2005, p.68.

• Characterization of the vapor growth CdTe crystals for high energy radiation detectors

  V.D. Popovich, I.S. Virt, D.I. Tsutsura, Z.F. Tsybrij, F.F. Sizov, O.A. Parfenjuk, and M.I. Ilashchuk // Phys. Stat. Sol. (c), 3, # 4, p. 717 – 721 (2006)

• Chemical etching of CdTe, CdxHg1-xTe, ZnxCd1-xTe and Te in the HNO3–HCl–citric acid

  Z.F.Tomashik, Ye.O.Bilevych, P.I. Feichuk, V.M. Tomashik // Functional materials. 2005. V. 12. N 2. p. 396-400.

• Comparative analysis of 4x288 readouts and FPAs

  F.F. Sizov, V.P. Reva, Yu.P. Derkach, V.V. Vasiliev // Proceed. SPIE, 5964, p. 301 - 308 (2005)

• Compensation and carrier trapping in indium-doped CdTe: Contributions from an important near-mid-gap donor

  V. Babentsov, J. Franc, R.-B. James // Appl. Phys. Lett., V. 94, iss.5, pp. 052102-3, 2 February 2009

• Compensation and Photosensitivity in CdTe Doped with Indium

  V. Babentsov, J. Franc, R.-B. James // IEEE Translation on Nuclear Science, V. 56, N.4, 1724-30, 2009

• Compensation of native defects in PbTe and Pb1–xSnxTe

  V.N. Babentsov and F.F. Sizov // Phys. Stat. Sol., b245, p. 50-52 (2008)

• Composite readouts with TDI and «dead» elements deselection

  F. F. Sizov, V. P. Reva, Yu. P. Derkach, A. G. Golenkov, V. V. Zabudsky, S. V. Korinets // Proceed. SPIE, 5074, p. 911 – 917 (2003)

• Currents in Hg1-xHgxTe photodiodes

  J. V. Gumenyuk-Sichevskaya, F. F. Sizov // Proceed. SPIE, v.3890, p.132-137 (1999)

• Currents in narrow-gap photodiodes

  J. V. Gumenyuk-Sichevskaya, F. F. Sizov // Semiconductor Science and Technology, 14, p.1124-1133, (1999)

• Dark current transport mechanisms in narrow-gap heterojunctions for IR arrays

  Sizov F.F., Gumenjuk-Sichevska J.V., Yu. G.Sidorov et al. // Proc. SPIE, 3890, 133-137 (2001)

• Dark-current transport mechanisms in narrow-gap heterojunctions for IR arrays

  F. F. Sizov, J. V. Gumenjiuk-Sichevskaya, Yu. G. Sidorov, V. V. Vasil’ev, A. G. Golenkov, V. V. Zabudsky, V. P. Reva, Yu. P. Derkach, V. V. Tetyorkin // Proc. SPIE, v. 4454, p.123-134 (2002)

• Defects in quantum dots of IIB-VI semiconductors

  V. Babentsov, F. Sizov // Optoelectronics Review, 16, N3, p. 208-225 (2008)

• Defects instability under IR laser treatment in p-CdZnTe crystals

  S.V. Plyatsko, T.L. Petrenko, F.F. Sizov // Infrared Phys. Technol., 52, # 1, p. 57-61 (2009)

• Determination of parameters of cadmium telluride films on silicon by the method of main angle and multiangular ellipsometry

  V.A. Odarych, A.Z. Sarsembaeva, F.F. Sizov, M.V. Vuichyk // Semicond. Phys. Quant. Electr., 9, p. 55 – 62 (2006)

• Dislocation and Defect Structure Around Micro-Indentations and Te Precipitates in CZT

  V. Babentsov, F. Sizov, J. Franc, P. Fochuk, G. Yang, A. Bolotnikov, R. B. James // (Paper R04-27, Program p.108, 2 p.p.), IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, 19th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (2012 IEEE NSS/MIC/RTSD, Anaheim, California, 27 October - 3 November 2012)

• Dislocation-induced electronic levels in semi-insulated CdTe

  Babentsov V., Boiko V., Schepelskii G.A., James R.B., Franc J., Procházka J., Hlídek P. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment.- 2011.- V. 633, Supplement 1.- pp. S81-S82.

• Dislocations as an internal source of the infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence

  Savkina R.K., Smirnov A.B // International Conference on Extended Defects in Semiconductors, Halle, Germany, 2006, p. 54.

• Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic infkuence

  R.K. Savkina, A.B. Smirnov, F.F. Sizov // Semicond. Phys. Quant. Electr., 10, N 3, p. 61 – 64 (2007)

• Doping, compensation and efficiency of CdTe based semiconductor X(y)-ray detectors

  V. Babentsov, F.F. Sizov // Abstracts Int. Conf. “New Technologies for Development of Semiconductors for Device Applications”, Yerevan, ISTC, p. 44 - 45 (2006)

• Effect of stress on defect transformation in B+ and Ag+ implanted HgCdTe/CdZnTe structures

  R.K. Savkina, A.B. Smirnov, A.I. Gudymenko, V.P. Kladko, F.F. Sizov, and C. Frigeri, Effect of stress on defect transformation in B+ and Ag+ implanted HgCdTe/CdZnTe structures, Acta Physica Polonica A, V.125, No 4, P.1003-1005 (2014).

• Effect of y-irradiation on the photoluminescence of CdZnTe crystals

  К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, Ю.М. Насєка, А.В. Прохорович, Л.В. Рашковецький, О.М. Стрільчук, Ф.Ф. Сизов, О.О. Войціховська, Б.О. Данильчеко. Вплив y-опромінення на фотолюмінесценцію кристалів CdZnTe. УФЖ, 55, с. 777-783 (2010) (Ukr. J. Phys., 55, p. 776-782 (2010))

• Elastic waves induced by pulsed laser radiation in a semiconductor: effect of the long-range action

  R. Savkina, F. Sizov, A. Smirnov // Semicond. Sci. Technol., 21, p. 152-156.(2006)

• Electrical and optical properties of HgTe/CdTe superlattices

  I.S. Virt, I.S. Bilyk, F.F. Sizov, Z.F. Tsybriy, A.G. Golenkov // Abstr. EMRS Fall Meeting, 14-18.09.2009, Warsaw, p. 93.

• Electrical and Photoelectrical Properties of PbSnTe/PbTeS lattice matched heterostructure diodes

  V. V. Tetyorkin, F. F. Sizov, V. B. Alenberg, S. N. Davidenko, V. Yu. Chopik // Defect and Diffusion Forum, vols.103-105, p.453-457 (1993)

• Electrical characteristics modification in Hg1-xCdxTe epilayers subjected to ultrasonic influence

  Sizov F.F., Savkina R.K, Smirnov A.B. // Proc. of 7th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies.-2004, Montpellier, France

• Electrical characteristics of Hg1-xCdxTe epilayers subjected to ultrasonic influence

  Savkina R.K., Smirnov A.B // 2nd International Workshop on Physics and technology of Thin Films, Praha, Czech Republic, 2006, p. 74.

• Electrical characteristics of HgCdTe epilayers subjected to ultrasonic influence

  F.F. Sizov, R.K. Savkina, A.B. Smirnov // The Fifth Inern. Conf. On Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM 2004). Smolenice Castle, Slovakia, Oct. 17 – 21 (2004). p. 279 -282.

• Electrical characteristics relaxation of ion milled MCT layers

  Izhnin, V. V. Bogoboyaschyy, F. F. Sizov // Proceed. SPIE, 5881, p. 222 – 232 (2005)

• Electrical parameters of Si n-MOSFET THz detector: matching with external amplifier

  F.F. Sizov, O.G. Golenkov, V.P. Reva, D.B. But // Digest reports of Int. Symposium “Terahertz Radiation: Generation and Application”, Novosibirsk, p. 23 (2010)

• Electrical properties of CdTe:Cl single crystals grown by sublimation techniques

  V.D. Popovych, A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, L.V. Rashkovetskii, I.S. Virt // Proc. SPIE, 2003, v.5136, p. 41-46

• Electrodynamic model of the field effect transistor application for THz/subTHz radiation detection: Subthreshold and above threshold operation

  V. Dobrovolsky, Electrodynamic model of the field effect transistor application for THz/subTHz radiation detection: Subthreshold and above threshold operation. J. Appl. Phys. 2014. 116, p. 154503-1 – 154503-10.

• Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe

  Ye.O. Melezhik, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov, “Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. V. 17, N 1. P. 85-96.

• Ellipsometric investigation of CdTe films

  Anna Evmenova, Volodymyr Odarych, Mykola Vuichyk // Optica Applicata 2012. Vol.42, No.3, pp. 667-675

• Enhancement of the photoconductivity in 2D photonic macroporous silicon structures

  L.A. Karachevtseva, M.S. Karas’, V. Onischenko, F.F. Sizov // Proc. SPIE, 5360, p. 381 - 389 (2004)

• Fractal encoding as approach to processing of the medical thermal images

  E. V. Bechtir, F. F. Sizov // Proc. SPIE, 5959, p. 147 - 157 (2005)

• Gamma radiation exposure of MCT diode arrays

  F.F. Sizov, I.O. Lysiuk, J.V. Gumenjuk-Sichevska, S.G. Bunchuk, V.V. Zabudsky // Semicond. Sci. Technol., 21, p. 358-363 (2006)

• Gamma-irradiation effect on electron-phonon coupling in Ge-doped CdTe crystals: Raman and photoluminescence study

  Y.Naseka, M.Boyko, V.Stelchuk, B.Danilchenko, L.Rashkovetskyi, P.Fochuk, "Gamma-irradiation effect on electron-phonon coupling in Ge-doped CdTe crystals: Raman and photoluminescence study" / Solid State Communication, 196 (2014) 46-50.

• Gap defect states in narrow-gap semiconductors

  F. F. Sizov, S. D. Darchuk, and A. G. Golenkov // Proc. SPIE, Vol. 4355, p.194-199 (2001)

• Gate Control of Junction Impact Ionization Avalanche in SOI MISFETs: Theoretical Model

  V. Dobrovolsky, Fedir Sizov, S. Cristoloveanu // Advanced Materials Research, 276 (Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices), p. 43-49 (2011)

• Gate control of junction impact ionization avalanche in SOI MOSFETs: theoretical model

  V. Dobrovolsky, F. Sizov, S. Cristoloveanu // 6st SemOI WORKSHOP & 1st Ukrainian-French SOI Seminar. Abstracts, p.42-43, Kiev, 25-29, October (2010)

• Growth and characterization of hexagonal CdTe nanorods for novel generation of solar cell devices

  F. Sizov, V. Babentsov, N.V. Sochinskii and J. Franc // Energy and Materials Research Conf. (EMR2012), Torremolinos, Malaga, Spain, 20-22, June (2012) (Section: Solar Energy, Code 32)

• HgCdTe MBE grown LWIR linear arrays

  F. F. Sizov, V. V. Vasil'ev, D. G. Esaev, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, V. P. Reva, A. G. Golenkov, V. V. Zabudsky, J. V. Gumenjuk-Sychevskaya // Opto-Electronics Review, 9, N4, p.391-396 (2001)

• High Power Nonlinear Terahertz Photoresponse of Field Effect Transistors

  D.B. But, O. Drachenko, N. Dyakonova, D. Coquillat, K. Romanov, O.G. Golenkov, F. F. Sizov, A. Gutin, M. Shur, C. Drexler, S.D. Ganichev, W. Knap// International Workshop on Optical Terahertz Science and Technology, Kyoto, Japan (2013)

• How to achieve a homogeneousus sensitivity in THz detector arrays

  M. Sakhno, J. Gumenjuk-Sichevska, F. Sizov, "How to achieve a homogeneousus sensitivity in THz detector arrays" / MIKON 2014, 20th Int. Conf. on Microwaves, Radar and Wireless Communications, June 16-18, Gdansk, Poland (2014), p. 696-699.

• Influence of free carrier heating on IR detection in narrow-gap semiconductors

  S.P. Asmontas, J. Gradauskas, D. Seliuta, E. Sirmulis, V. Tetyorkin, A. Urbelis and G. Valusis // Proc. SPIE, 2003, v.5123, p. 134-139.

• Influence of substrate materials on the properties of CdTe thin films grown by hot-wall epitaxy

  Ye. Bilevych, A. Soshnikov, L. Darchuk, M. Apatskaya, Z. Tsybrii, M. Vuychyk, A. Boka, F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff // J. Cryst. Growth, 275, # 1-2, p. E1177 E1181 (2005)

• Infrared Detectors. Outlook and Means

  F. F. Sizov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.3, N1, pp.52-58 (2000)

• Infrared radiation detection by a piezoelectric heterostructure at room temperature

  T. Kryshtab, R. Savkina, F. Sizov, A. Smirnov, M. Kladkevich, and V. Samoylov // Phys. Status Solidi, C 9, N 8–9, 1793– 1796 (2012)

• InGrid: Pixelated Micromegas detectors for a Pixel-TPC

  M. Lupberger, Y. Bilevych, K. Desch, Fischer, T., Fritzsch, T., J. Kaminski, et. al., InGrid: Pixelated Micromegas detectors for a Pixel-TPC / Proceedings of Science, 225, 2014.

• Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition

  E.O. Melezhik, J.V. Gumenjuk-Sichevska, S.A. Dvoretskii, “Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition” / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. V. 17, N 2. P. 179-183.

• Investigation and characterization of HgCdTe epilayers

  Z.F. Tsybrii-Ivasiv, L.O. Darchuk-Korovina, F.F. Sizov, O.G. Golenkov, Ye.O. Bilevich, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin // J. Alloys and Compounds, 382, p. 288-291 (2004)

• Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate

  V. A. Odarych, A. Z. Sarsembaeva, F. F. Sizov, M. V. Vuychik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. –2005. – Vol. 8. №4

• Ion–Plasma Treatment of Cd1– xZnxTe (x ~ 0.04) Single Crystals and Application of Antireflection Diamond Like Carbon Films

  N. I. Klyui, V. B. Lozinskii, A. N. Luk’yanov, V. A. Morozhenko, R. K. Savkina, F. F. Sizov, A. B. Smirnov, and V. A. Deriglazov // Technical Physics. – 2012. - Vol. 57. - No. 8. pp. 1121–1126

• IR region challenges: Photon or thermal detectors? Oulook and means

  F. Sizov // Semicond. Phys., Quantum Electr. & Optoelectr., 15, N 3, p. 183 - 189 (2012)

• IR sensor readout devices with source input

  F. F. Sizov, V. P. Reva, Yu. P. Derkach, Yu. G. Kononenko, A. G. Golenkov, S. V. Korinets, S. D. Darchuk, D. A. Filenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.2, N1, pp.102-110 (1999)

• Laser technologies of imperfections transformation and growth of epitaxial and quantum size structures

  S.V. Plyatsko, F.F. Sizov // Abstracts Int. Conf. “New Technologies for Development of Semiconductors for Device Applications”, Yerevan, ISTC, p. 50 – 51 (2006)

• Laser-assisted deposition technique for thin semiconductor layers

  F.F.Sizov, S.V.Plyatsko // Proc. SPIE, Vol. 3179, p. 70-78 (1997)

• Layer structure formation in Hg1−xCdxTe films after high-frequency sonication

  R.K. Savkina, F.F. Sizov, A.B. Smirnov, V.V. Tetyorkin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 9, N 4. p. 31 – 35 (2006)

• Linear 288x4 long wavelength infrared mercury cadmium telluride detector

  V.V. Vasiliev, A.V. Predein, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.P. Reva, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Susliakov, A. Klimenko // EMRS 2009 Fall Meeting, Warsaw (2009), p. 86.

• Linear HgCdTe IR FPA 288x4 with bidirectional scanning

  V.V. Vasiliev, A.V. Predein, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.V. Gumenjuk-Sichevska, A.G. Golenkov, V.P. Reva, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, F.F. Sizov, A.L. Aseev // Opto-Electr. Review, 18, # 3, p. 332-337 (2010)

• MCT detectors and ROICs for various format MWIR and LWIR arrays

  V.V. Zabudskii, F.F. Sizov, V.P. Reva, A.G. Golenkov, Yu.P. Derkach, S.V. Korinets, I.O. Lusiuk, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky // NATO RTO-MP-SET-151 (2010), p. 7.1 – 7.8.

• MCT detectors: From IR to sub-mm and mm wavelength bands

  F.F. Sizov, V.V. Vasiliev, V.N. Dobrovolsky, J.V. Gumenjuk-Sichevska, Yu.E. Kamenev, V.V. Zabudsky, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov // Proc. SPIE, 7100B-96 (2008)

• MCT heteroepitaxial 4x288 FPA

  V.V. Vasilyev, A.G. Klimenko, I.V. Marchishin, V.N. Ovsyuk, N.Ch. Talipov, T.I. Zahar’yash, A.G. Golenkov, Yu.P. Derkach, V.P. Reva, F.F. Sizov, V.V. Zabudsky // Infrared Phys. and Technology, 44, p. 13 – 23 (2004)

• MCT Linear Arrays and Associated Silicon Readouts

  F.F. Sizov, Yu.P. Derkach, S.A. Dvoretski, A.G. Golenkov, J.V. Gumenyuk-Sichevska, V.P. Reva, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, N.Kh. Talipov, V.V. Vasiliev, V.V. Zabudsky // Proceed. SPIE, 5251, p. 16 - 25 (2004)

• MCT sensor readout devices with charge current injection and preliminary seagnal treatment. Testing procedure

  F. F. Sizov, Yu. P. Derkach, V. P. Reva, Yu. G. Kononenko // Opto-Electronics Review, v.7, N4, pp.327-338 (1999)

• Millimeter-wave hybrid un-cooled narrow-gap hot-carrier and Schottky diodes direct detectors

  F. Sizov, V. Petriakov, V. Zabudsky, D. Krasilnikov, M. Smoliy, and S. Dvoretski // Appl. Phys. Let., 101, 082108 (2012)

• Mm- and THz-waves detector on the base of narrow-gap Semiconductors

  F. Sizov, V. Dobrovolsky, V. Zabudsky, Yu. Kamenev, N. Momot, and J. Gumenjuk-Sychevska // Proc. SPIE, 7309, paper # 7309M (2009)

• Mm-wave hybrid narrow-gap hot-carrier and Schottky diodes detector arrays

  F. Sizov, V. Zabudsky, A. Golenkov, V. Petriakov, S. Dvoretsky, Z. Tsybrii // Proc. SPIE, 8850, 8850-89 (2012)

• Mm-wave narrow-gap uncooled hot-carrier detectors for active imaging

  F. Sizov, V. Zabudsky, A. Golenkov, A. Shevchik-Shekera// Optical Eng., 52, 3, 033203 (2013)

• Mm/sub-mm bolometer based on electron heating in narrow-gap semiconductor

  1. V. Dobrovolsky, F. Sizov, V. Zabudsky, N. Momot // Terahertz Science and Technology, 3, No.1, p. 33-54 (2010)

• Modeling of the Substrate Influence on Multielement THz Detector Operation

  M. Sakhno, J. Gumenjuk-Sichevska, F. Sizov / Modeling of the Substrate Influence on Multielement THz Detector Operation // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves — 2014. — V.35, N. 9. — P. 703 — 719.

• Morphology and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD

  M.V. Vuichyk, Z.F. Tsybrii, S.R. Lavoryk, K.V. Svezhentsova, I.S. Virt, A. Chizhov, "Morphology and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD" / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 17, N 1, p. 80-84 (2014).

• Multifractal analysis of areas of spatial forms on surfaces of ZnxCd1−xTe-Si(111) heterocompositions

  Pavel Moskvin, Vyacheclav Kryzhanivskyy, Liubomyr Rashkovetskyi, Petro Lytvyn, Mykola Vuichyk, "Multifractal analysis of areas of spatial forms on surfaces of ZnxCd1−xTe-Si(111) heterocompositions" // J. Crystal Growth – 2014, Volume 404, pp 204-209.

• Nanoindentation features in HgCdTe heterostructures

  F. Sizov, A. Richter, Y. Bilevych, Z.Tsybrii, K. Kubica, R. Ries, and Y. Sidorov // Int. J. Nanotechnology, 3, No. 1, p. 325–333 (2006)

• Nanoindentation induced phase transformations in HgCdTe epitaxial heterostructures

  F.F. Sizov, A.Richter, Ye. Bilevich, Z. Tsybrii, K. Kubica, R. Ries, Yu. Sidorov // Ukr. J. Phys., 50, N1, p. 47 – 52 (2005)

• Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector

  F. Sizov, A. Smirnov, R.K. Savkina, V.A. Deriglazov, M.V. Yakushev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 15, N 1, p. 65 - 71 (2012)

• Narrow-gap semiconductors as the all-ware detector from near IR to mm wave regions

  F. Sizov, V. Dobrovolsky, Yu. Kamenev, A. Smirnov, and V. Zabudsky // IRMMW-THz 2008, Terahertz for Life September 15–19, 2008 California Institute of Technology, Pasadena, California, p. 978-1-4244-2120-6/08/.

• Natuare and Ga deep centers in lead telluride based semiconductors

  Petrenko T.L, Plyatsko S.V. // Fall Meeting & Exhibitof the European Materials research Society (E-MRS), Warsaw, 2009, p. 92.

• Nature of gallium deep centres in lead telluride based semiconductors

  T.L. Petrenko, S.V. Plyatsko // Opto-Electronics Review, September 2010, Volume 18, Issue 3, p. 310-317.

• Nature of group-III related deep centers in lead telluride based semiconductors: Ga doping from vapor phase

  T.L. Petrenko, S.V. Plyatsko, and F.F. Sizov // Proc. SPIE 7100, 71002O (2008)

• Noise in 2D Macroporous Silicon Structures

  L.A. Karachevtseva, O.I. Dandur’yats, V.F. Onischenko, F.F. Sizov, A. Kolek, L. Pyziak, I.S. Virt, I.S. Bilyk // European Microelectronics and Packaging Symposium, Prague, 16 – 18. 06. 2004, p. 484 – 488 (2004)

• Noise in HgCdTe LWIR Arrays with CCD Readouts

  F. F. Sizov, A. G. Golenkov, V. V. Zabudsky, V. P. Reva, J. V. Gumenjuk-Sichevska, S. V. Korinets // Proc. SPIE, v. 4795, p. 136 – 145 (2002)

• Noise Measurements of HgCdTe LWIR Arrays with CCD Readouts

  F. F. Sizov, A. G. Golenkov, V. V. Zabudsky, V. P. Reva // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v. 5, N4, pp. 398-402 (2002)

• Noise spectra and dark current investigations in n+-p type Hg1-xHgxTe (x=0.22) photodidodes

  Z. F. Ivasiv, F. F. Sizov, V. V. Tetyorkin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.2, N3, pp.21-25 (1999)

• Nondestructive band-gap profile determination of HgCdTe LPE grown layers

  Z. F. Ivasiv, V. V. Tetyorkin, E. V. Andreeva and F. F. Sizov // J. Infrared and Millimeter Waves, v.21, N2, p. 81-86 (2002)

• Nonlinear optical transmission of HgCdTe single crystals at room temperasture

  A.G.Golenkov, S.D.Darchuk. F.F.Sizov // Proc. SPIE, Vol. 3182, p. 107-110 (1997)

• Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities

  D. B. But, C. Drexler, M. V. Sakhno, N. Dyakonova, O. Drachenko, F. F. Sizov, A. Gutin, S. D. Ganichev, W. Knap / Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities // J. Appl. Phys. — 2014. — V. 115. — P. 164514 — 164514-9.

• Nonlinear photoresponse of of FET THz broadband detectors at high power irradiation

  D. But, O. Drachenko, N. Dyakonova, O. Golenkov, F. Sizov, A. Gutin, M. Shur, C. Drexter, S.D. Ganichev, W. Knap// 7th Terahertz Days and GDR‐I Workshop, Cargèse, Corsica, France (2013)

• On thermal radiation detectivity in far-infrared and MM ranges

  S. G. Gasan-Zade, E. A. Salkov, G. A. Shepelsky, F. F. Sizov, G. S. Svechnikov // Proc. SPIE, v.3505, p.200-208 (1998)

• Onco-hematological diagnostics by IR spectroscopy

  S. D. Darchuk, L. A .Korovina, F. F. Sizov, V. G. Bebeshko // Proc. SPIE, v.3436, p.975-981 (1999)

• Optical and photoelectrical properties of Hg1-xCdxTe/CdTe epitaxial films with graded band gap

  Z. F. Ivasiv, V. V. Tetyorkin, and F. F. Sizov // Infrared Physics and Technology, 42, N2, p.61-67 (2001)

• Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals

  R.K. Savkina, F.F. Sizov, A.B. Smirnov // Functional Materials, 12, # 1, p. 1 – 6 (2005)

• Oscillations of light absorption in 2D macroporous silicon structures with surface nanocoatings

  L. Karachevtseva, S. Kuchmii, O. Lytvynenko, F. Sizov, O. Stronska, A. Stroyuk // Applied Surface Science, 257, p. 3331–3335 (2011)

• Oxygen concentration distribution determination in silicon wafers by semiconductor IR laser spectroscopy

  S.D.Darchuk, F.F.Sizov // Proc. SPIE, v.3359, p.454-457 (1998)

• Paper "Electrical parameters of Si n-MOSFET THz detector: matching with external amplifier"

  F.F. Sizov, O.G. Golenkov, V.P. Reva, D.B. But // Vestnik Novosibirsk State University. Series: Physics., 2010, Volume 5, issue 4, p. 59-62.

• Phase transition in Cs3Bi2I9 ferroelastic: investigation by Raman scattering technique

  F.V. Motsnyi, O.M. Smolanka, E.Yu. Peresh, M. V. Vuychik // Functional Materials. – 2005. – Vol. 12, №3. – p. 491-496.

• Photo-excited acoustic waves as a way of process characterization on semiconductor

  Smirnov A.B., Savkina R.K. // Proc. 7th Int. Workshop BEAMS-2003, France

• Photoconductivity Mapping of Semi-Insulating CdZnTe

  Kubát J., Franc J., Dědič V., Belas E., Moravec P., Babentsov V., Hoschl P. and Grill R. // IEEE, Transactions on Nuclear Science (TNS).- 2011.- V. 58, Iss. 4. – pp. 1953-1957.

• Photoluminescence study of Gamma-irradiation effect on the defect structure in Ge-doped CdTe single crystals

  Iu. Nasieka, L. Rashkovetskyi, M. Boyko, V. Strelchuk, Z. Tsybrii, B. Danilchenko, and L. Shcherbak, "Photoluminescence study of Gamma-irradiation effect on the defect structure in Ge-doped CdTe single crystals" / Phys. Status Solidi C, 1– 5 (2014) / DOI 10.1002/pssc.201300571.

• Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique

  S. P. Movchan, V. V. Tetyorkin, F. F. Sizov // Semiconductоr Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.2, N2, pp.84-87 (1999)

• Polyassociative multicomponent model foe the A2B6 semiconductors melt and phase equilibria on the LPE growth of CdxHg1-xTe solid solution

  Moskvin P.P., Kryzhanivskyy, Rashkovetskyi L.V. // Proc. 2th Int. Conf. On Mater. Sci.&Condensed Matter Physics. (Chisinau, Moldova, 2004 ) p.49

• Polyassociative Thermodynamical model of A2B6 semiconductor melt and P-T-X equilibriua in Cd-Hg-Te system. 2. Phase equilibria in initial two-component systems. Cd-Te system

  Moskvin P.P., Rashkovetskyi L.V., Kavertsev S.V., Zhovnir G.I., Rudenkyi A.O. // Semicond.Phys.Quantum Electron.& Optoelectronics. v.6, №1, 2003, p. 23.

• Polyassociative Thermodynamical model of A2B6 semiconductor melt and P-T-X equilibriua in Cd-Hg-Te system. 3. Optimisation of thermodynamical model functions and quasibinary Cd-Hg-Te state diagram

  Moskvin P.P., Rashkovetskyi L.V., Stronskyj O.V. // Semicond.Phys.Quantum. Electron.&Optoelectronics. v.8, №2, 2005

• Problems in formation of large format THz/subHz arrays

  F. Sizov, A. Golenkov, N. Sakhno, V. Petriakov, V. Reva, Z. Tsybrii, V. Zabudsky, J. Gumenjuk-Sychevska// THz and security applications. Detectors, sensors and associated electronics for THz applications, NATO Workshop, Kiev (2013)

• Properties of 2*64 linear HgCdTe molecular beam epitaxy grown long wavelength infra-red arrays with charged coupled devices silicon readouts

  F. F. Sizov, V. V. Vasil'ev, D. G. Esaev, V. N. Ovsyuk, Y. G. Sidorov, V. P. Reva, A. G. Golenkov, Y. P. Derkach // Sensors and Materials (Japan), v.12, N7, p.435-444 (2000)

• Properties of 2x64 linear HgCdTe MBE grown LWIR arrays with CCD silicon readouts

  F. F. Sizov, V. V. Vasil'ev, D. G. Esaev, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, V. P. Reva, Yu. P. Derkach, A. G. Golenkov, J. V. Gumenjuk-Sychevskaya // Proc. SPIE, v.4288, p.345-353 (2001)

• Properties of CdTe thin films prepared by hot-wall epitaxy

  Ye.O. Bilevich, A.I. Boka, L.O. Darchuk, J.V. Gumenyuk-Sichevska, F.F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.7, N2, p. 161 – 167 (2004)

• Properties of Hg1-xCdxTe p+-n-type diffusion photodiodes

  F.F.Sizov, V.V.Teterkin // Abstracts of the XX Conference on Solid State Science. Nov.5-9 (1997), Luxor, Egypt, p.12-13

• Properties of Hg1-xCdxTe/CdTe epitaxial films with graded band gap

  Z. Ivasiv, V. Tetyorkin, F. Sizov, and V. A. Petryakov // Proceed. SPIE, v.3890, p.82-86 (1999)

• Properties of MBE CdxHg1-xTe/GaAs structures modified by ion-beam milling (IM)

  V.V. Bogoboyashchyy, S.A. Dvoretsky, I.I. Izhnin, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, V.S. Varavin, and V.A. Yudenkov // Phys. Status Sol. (c), 1, N2, p. 355 – 359 (2004)

• Properties of type I PbTe/Pb1-xSnxTe and type II PbTe/PbS SLs and MQWs

  F.F.Sizov // Abstracts of the XX Conference on Solid State Science. Nov.5-9 (1997), Luxor, Egypt, p.19

• Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals

  O.B. Smirnov, L. Karachevtseva, S. Kuchmii, O. Kolyadina, O. Lytvynenko, L. Matveeva, O. Sapelnikova, O. Stroyuk, "Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals" / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. V. 17, N 2.

• Radiation hardness of MCT LWIR arrays

  F.F. Sizov, I.O. Lysiuk, J.V. Gumenjuk-Sichevska, S.G. Bunchuk, V.V. Zabudsky // Proceed. SPIE, 5957, p. 329 - 333 (2005)

• Readout device processing electronics for linear and focal plane arrays

  F. F. Sizov, Yu. P. Derkach, Yu. G. Kononenko, V. P. Reva // Proc. SPIE, v.3436, p.942-948 (1999)

• Recent Results on Broadband Nanotransistor Based THz Detectors

  W. Knap, D.B. But, N. Dyakonova, D. Coquillat, A. Gutin, O. Klimenko, S. Blin, F. Teppe, M.S. Shur, T. Nagatsuma, S.D. Ganichev, and T. Otsuji, “Recent Results on Broadband Nanotransistor Based THz Detectors” in NATO Science for Peace and Security Series B, Physics and Biophysics: THz and Security Applications, edited by C. Corsi, F. Sizov, (Springer, Dordrecht, Netherlands, 2014) pp.189 - 210, DOI: 10.1007/978-94-017-8828-1.

• Recombination and carrier transport mechanisms in Hg1-xCdxTe single crystals and p+-n photodiodes

  F. F. Sizov, S. Ya. Stochanski, V. V. Tetyorkin, S. V. Belyaev, V. V. Andrievskii // Український фізичний журнал, 44, № 6, с.752-758 (1999)

• Recombination mechanisms in doped n-type HgCdTe crystals and properties of diffusion p+-n-junctions based on them

  V.V.Tetyorkin, S.Ya.Stochanskii, F.F.Sizov // Semiconductors, 31, 290-293 (1997)

• Regularities of the HgCdTe p-n-junctions formation by ion milling

  I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyaschyy, F.F. Sizov // Proceed. SPIE, 5957, p. 220 – 231 (2005)

• Relation of Compensation and Trapping in Large Bandgap Semiconductors: Examples of Tuning of a Defect System in CdZnTe

  V. Babentsov, J. Franc, R.-B. James // Journal of Crystal Growth, Volume 311, Issue 8, 1 April 2009, pages 2377-2380.

• Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe – based compound heterostructures under the anisotropic deformation restriction

  A. B. Smirnov // Simiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - V.15. – N2. – pp. 170-175

• Role of mechanical stresse at ion implantation of HgCdTe solid solutions

  A.B. Smirnov, O.S. Lytvyn, V.A. Morozhenko, R.K. Savkina, M.I. Smoliy, R.S. Udovytska, F.F. Sizov// Ukr. J. Phys., 58, 9, p.872-880 (2013)

• Room temperature, or moderately cooled, fast THz semiconductor hot electron bolometer

  V.N. Dobrovolsky, and F.F. Sizov // Semicond. Sci. Technol., 22, p. 103 - 106 (2007)

• Scattering of electrons in the of the binominal potential of a proton

  E. V. Andreeva, V. K. Gudym, "Scattering of electrons in the of the binominal potential of a proton" / Global Journal of Science Frontier Research: A Physics and Space Science; Vol. 14; Issue 1; 2014.

• Semiconductor hot electron detector for mm and sub-mm ranges

  Fiodor F. Sizov, Valentin N. Dobrovolsky, Yuriy E. Kamenev, and Alex B. Smirnov // Digest of 32nd Intern. Conf. on IR and Millimeter Waves, and 15th Intern. Conf. on THz Electronics, 02-07.09.2007, Cardiff, p. 748-749.

• Semiconductor IR laser spectroscopy in application to oxygen concentration distribution determination in silicon wafers

  S.D.Darchuk, F.F.Sizov // Infrared Phys. and Technol., 39, #1, p.77-81 (1998)

• Silicon on insulator avalanche-impact-ionization transistor with very low switching voltage from ON state to OFF state

  V. Dobrovolsky, F. Sizov, S. Cristoloveanu, S. Pavljuk // Solid St. Electron., 52, p. 1047-1051 (2008)

• Simulated properties of printed antennas on silicon substrates for THz/sub-THz arrays

  M.V. Sakhno, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 14, N 1. P. 55-58 (2011)

• Spectral sensitivity dependencies of backside illuminated planar MCT photodiodes

  A.G. Golenkov, F.F. Sizov, Z.F. Tsybrii, L.A. Darchuk // Infr. Phys. Technol., 47, N 3, p. 213 - 219 (2005)

• Sub-THz radiation room temperature sensitivity of long-channel silicon field effect transistors

  F. Sizov, A. Golenkov, D. But, N. Sakhno, and V. Reva // Opto-Electr. Rev., 20, #2, p. 194-199 (2012)

• Substrate optimization in multielement THz imaging systems

  M. Sakhno, J. Gumenjuk-Sychevska, F. Sizov// MSMW'13, Kharkov, Ukraine, p. 430-432 (2013)

• Supeconducting states of lead nanoinclusions in PbTe semiconductor matrix

  L.A. Darchuk, F.F. Sizov, A.G. Golenkov, T. Dietl // Proc. SPIE, 5957, p. 334 – 339 (2005)

• Superconducting states of lead nanoinclusions in the stoichiometric PbTe matrix

  L.A. Darchuk, S.D. Darchuk, F.F. Sizov, and A.G. Golenkov // Semiconductors, 41, # 2, p. 140 – 144 (2007)

• Surface polaritons in 2D macroporous silicon structures

  L. Karachevtseva, M. Karas’, V. Onishchenko and F. Sizov // Int. J. Nanotechnology, 3, No. 1, p.270–282 (2005)

• Temperature dependence of the dark current in HgCdTe photodiode arrays

  F. F. Sizov, J. V. Gumenjuk-Sychevskaya, I. O. Lysyuk, V. V. Zabudskii, A. G. Golenkov, S. G. Bunchuk // Proceed. SPIE, 5957, p. 320 – 328 (2005)

• Temperature rise in crystals subjected to ultrasonic influence

  R.K. Savkina, A.B. Smirnov // Infrared Physics & Technology.- 2005.-Vol.46.- p.388-393.

• Terahertz detection and emission by field-effect transistors

  W. Knap, N. Dyakonova, F. Schuster, D. Coquillat, F. Teppe, B. Giffard, D.B. But, A. Golenkov, F. Sizov, T. Watanabe, Y. Tanimoto, T. Otsuji // Proc. SPIE, 8496, p. 8496-17, San-Diego, 12-16.08.2012 (doi:10.1117/12.930091, October 15, 2012)

• Terahertz detection in a slit-grating-gate field-effect-transistor structure

  D.M. Yermolaev, K.M. Marem’yanin, D.V. Fateev, S.V. Morozov, N.A. Maleev, V.E. Zemlyakov, V.I. Gavrilenko, S.Yu. Shapoval, F.F. Sisov, and V.V. Popov // Solid-St. Electr., doi.org/10.1016/j.sse. 2012.09.009 (2012)

• Terahertz detectors and focal plane arrays

  A. Rogalski, and F. Sizov // Opto-Electr. Rev., 19, #3, p. 346-404 (2011)

• Terahertz Plasma Field Effect Transistors

  W. Knap, D. Coquillat, N. Dyakonova, D. But, T. Otsuji, F. Teppe, “Terahertz Plasma Field Effect Transistors” in Springer Series in Optical Sciences: Physics and Applications of Terahertz Radiation, edited by M. Perenzoni and D. J. Paul, (Springer, Dordrecht, Netherlands, 2014), pp. 77 - 102, DOI: 10.1007/978-94-007-3837-9.

• Testing of readout device processing electronics for IR linear and focal plane arrays

  F. F. Sizov, Yu. P. Derkach, Yu. G. Kononenko, V. P. Reva // Proc. SPIE, v.3436, p.942-948 (1999)

• The dynamic range of THz broadband FET detectors

  D.B. But, N. Dyakonova, C. Drexler, O. Drachenko, K. Romanov, O.G. Golenkov, F.F. Sizov, A. Gutin, M. Shur, S. D. Ganichev, W. Knap// Proc. SPIE, 8846-24 (2013)

• The effect of chlorine doping concentration on the quality of CdTe single crystals grown by the modified physical vapor transport method

  V.D. Popovych, I.S. Virt, F.F. Sizov, V.V. Tetyorkin, Z.F. Tsybrii (Ivasiv), L.O. Darchuk, O.A. Parfenjuk, M.I. Ilashchuk // J. Cryst. Growth., 308, #1, p. 63-70 (2007)

• The effect of high frequency sonification on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers

  R.K. Savkina, A.B. Smirnov, and F.F. Sizov // Semicond. Sci. Technol., 22, p. 97 – 102 (2007)

• The effect of inhomogeneous dopant distribution on the electrical transport properties and thermal stability of CdTe:Cl single crystals

  V.D. Popovych, F.F. Sizov, O.A. Parfenjuk and Z.F. Tsybrii (Ivasiv) // Semicond. Sci. Technol., 25, #3, pp. 35001-35006(6) (2010)

• The Nanometer Scaled Defects Induces with the Dislocation Motion in II-VI Insulated Semiconductors

  Babentsov V.N., Boyko V.A., Kolomys A.F., Shepelski G.A., Strelchuk V.V, Tarbaev N.I. // Advanced Materials Research.- 2011.- V. 276.- p. 185-190.

• The Polyassociative Model of Melts and Phase Equilibria in the Cd–Te and Hg–Te Systems

  P. P. Moskvin, L. V. Rashkovetskii // Rus. J. Phys. Chem. - 2006.- Vol.80, №9. - p. 1378-1383.

• Thermooptical excitation in HgCdTe alloys subjecting to ultrasonic influence

  R. K. Savkina, F. F. Sizov, A. B. Smirnov // Proceed. SPIE, 5957, p. 293 - 300 (2005)

• Thermooptical excitation in MCT crystal subjected to ultrasonic influence

  F.F. Sizov, R.K. Savkina, A.B. Smirnov. // International Congress on Optics and Optoelectronics.- 2005, Warsaw, Poland, p. 156.

• Threshold gate voltage and subthreshold swing of the ultrathin silicon-on-insulator FET: Analytical model

  V. Dovrovolsky, and F. Sizov// Conf. Abstracts “2nd Ukrainian-French Seminar “Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics” and 7th International Workshop “Functional Nanomaterials and Devices” (2013)

• Threshold gate voltage and subthreshold swing of the ultrathin silicon-on-insulator field effect transistor: analytical model

  V. Dobrovolsky, and F. Sizov // J. Appl. Phys., 112, #12, 124517 (2012)

• THz detectors

  F. Sizov, A. Rogalski // Progr. Quant. Electr., 34, pp. 278-347 (2010)

• THz radiation sensors

  F. Sizov // Optoelectronics Review, 18, # 1, p. 10-36 (2010)

• THz semiconductor hot electron bolometer

  V.N. Dobrovolsky and F.F. Sizov // Proc. SPIE, 6120, p. 49-57 (2006)

• THz semiconductor hot electron bolometer (SHEB)

  V.N. Dobrovolsky and F.F. Sizov // Proc. SPIE, 6194 p. 190-195 (2006)

• THz/sub-THz bolometer based on electron heating in a semiconductor waveguide

  V. Dobrovolski, F. Sizov // Optoelectronics Review, 18, # 3, p. 250-258, (2010)

• THz/sub-THz bolometer based on electron heating in the semiconductor waveguide

  V.N. Dobrovolsky, F.F. Sizov // EMRS 2009 Fall Meeting, Warsaw (2009), p. 92.

• THz/sub-THz Bolometer with Free Carriers Heating in the Semiconductor Waveguide

  F. Sizov, V. Dobrovolsky, V. Zabudsky, N. Momot, and Z. Tsybrii // NATO (2010), p. 17.1 – 17.22.

• THz/sub-THz detector based on electrons and holes heating by electromagnetic wave propagating along Hg1-xCdxTe layer

  F. Sizov, V. Zabudsky, V. Dobrovolsky, N. Momot, Z. Tsybrii, M. Apats’ka, M. Smoliy, N. Dmytruk, S. Bunchuk, N. Mikhailov, V. Varavin // Proc. SPIE, 8167B-85 (7p.) (2011) (DOI: 10.1117/12.896580)

• THz/sub-THz direct detection detector on the base of electrons/ holes heating in MCT layers

  V. Zabudsky, F. Sizov, N. Momot, Z. Tsybrii, N. Sakhno, S. Bunchuk, N. Michailov and V. Varavin // Semicond. Sci. Technol., 27, #4, 045002 (8 pp.) (2012)

• THz/sub-THz direct detector challenges: rectification and thermal detectors for active imaging

  F. Sizov, V. Reva, O. Golenkov, V. Petriakov, A. Shevchik-Shekera, S. Korinets, M. Sakhno, I. Lysiuk, V. Zabuddky, S. Bunchuk, S. Dvoretskii, "THz/sub-THz direct detector challenges: rectification and thermal detectors for active imaging" // MIKON 2014. Gdansk, 2014, Poland. 20th Int. Conf. on Microwaves. DOI: 10.1109/MIKON.2014.6899989.

• THz/sub-THz narrow-gap semiconductor detector

  F. Sizov, V. Dobrovolsky, V. Zabudsky, N. Momot, Z. Tsybrii, N. Michailov, S. Dvoretskii // Proceed. SPIE, 7854, p. 7854-33 (2010)

• THz/sub-THz-wave hybrid detector arrays with narrow-gap hot-electron bolometers and GaAs

  F. Sizov, V. Petriakov, V. Dobrovolsky, O. Golenkov, V. Zabudsky, Z. Tsybrii, M. Sachno// Schottky diodoes, Abstracts, 7th Terahertz Days and GDR‐I Workshop, Cargèse, Corsica, France (2013)

• Ultrasonically stimulated Modification of Electrical Characteristics of HgCdTe Epilayers

  F.F. Sizov, R.K. Savkina, A.B. Smirnov // Karslrue, Germany, 27.09 – 01.10. 2004 (2 p.). Conf. Digest of the 2004 Joint 29th Intern. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, and 12th Intern. Conf. on THz Electronics, New York, IEEE, 2004, p. 389-390.

• Un-cooled detector challenges for mm and sub-mm detectors

  F. Sizov, M. Sakhno, and A. Golenkov// Conf. Abstracts (2nd Ukrainian-French Seminar) Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics” and 7th International Workshop “Functional Nanomaterials and Devices” (2013)

• Uncooled detector challenges for mm/sub-mm range

  F. Sizov, M. Sakhno, O. Golenkov, Uncooled detector challenges for mm/sub-mm range, in: Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting, Ch. 13, Springer, ISBN: 978-3-319-08803-7 (2014), 25 p.p.

• Uncooled detector challenges for THz/sub-THz arrays imaging

  F. Sizov, V. Reva, A. Golenkov, V. Zabudsky // J Infrared Milli Terahz Waves, 32, p. 1192-1206 (2011) (DOI 10.1007/s10762-011-9789-2 (2011))

• Uncooled THz/sub-THz Rectifying Detectors: FET vs. SBD

  M. Sakhno, F. Sizov, A. Golenkov// Infrared Milli Terahz Waves, 34, 12, p. 798-814, DOI 10.1007/s10762-013-0023-2 (2013)

• Warm electron mm/sub-mm bolometer

  F. Sizov, V. Dobrovolsky, V. Zabudsky, N. Momot, S. Dvoretskii, N. Michailov, and Z. Tsybrii // Proceed. IRMMW-THz 2010, Rome, Italy, 5-10 September (2010), We-P.22

• Інфрачервона мікрофотоелектроніка: Тенденції розвитку

  Ф. Сизов // Вісник НАН України, N5, с.33-39 (2001)

• Атомно-силова мікроскопія та інфрачервонa спектроскопія гетеросистем CdTe-PbTe вирощених методом «гарячої стінки»

  М.В. Вуйчик, З.Ф. Цибрій, К.В. Свеженцова, Є.О. Білевич, Ф.Ф. Сизов // Фізика і хімія твердого тіла, 10, № 4, С. 784-788 (2009)

• Атомно-силовая микроскопия и фотолюминисценция наноструктурированного CdTe

  В. Бабенцов, Ф. Сизов, J. Franc, А. Лученко, Е. Свеженцова, З. Цыбрий// Физика и техн. полупроводников (2013)

• Багатоелементний тепловізор з високою температурною чутливістю та телевізійною частотою кадрів

  Ф.Ф. Сизов, О.В. Бехтір, Є.О. Білевич, О.Г. Голенков, Е.Ю. Гордієнко, М.Т. Грінченко,Ж.В. Гуменюк-Сичевська, С.Є. Духнін, В.В. Забудський, Завадський П.В., І. І. Ільницький, С.Л. Кравченко, Крайовий В.М., В.П. Рева, С.В. Корінець, Л.О. Писаренко, Ю.В. Фоменко, А.В. Шевчик, Г.В. Шустакова // Наука та інновації, т.1, №3, с. 20 – 33 (2005)

• Вейвлет технології у застосуванні до обробки теплових медичних зображень (стисненя інформаціі)

  О.В. Бехтір, Ф.Ф. Сизов // Доповіді НАН України, №6, с. 77 – 83 (2005)

• Виявлення дефектних частин напівпровідникових матеріалів

  Сизов Ф.Ф., Гришин Ю.Г., Круковський С.І., Опилат В.Я., Петренко І.В.,Савкіна Р.К., Смірнов О.Б., Тартачник В.П. // Доповіді НАН України.- 2009. - №5. - с. 87-93.

• Володарі світла

  Ф. Сизов // Вісник НАН України, № 12, с. 32-37 (2009)

• Восстановление дефокусированных и смазанных тепловых медицинских изображений

  Е.В. Бехтир, Ф.Ф. Сизов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Вып. 39, с. 115 – 123 (2004)

• Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlGaAs

  Ф.Ф. Сизов, Ю.Г. Гришин, С.Ш. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкіна, О.Б. Смірнов, В.П. Тартачник // Доповіді НАН України, № 5, с. 87-93 (2009)

• Вплив низькотемпературного відпалу на струми у фотодіодних структурах на основі КРТ

  Ф.Ф. Сизов, І.О. Лисюк, Ж.В. Гуменюк-Сичевська, З.Ф. Цибрій, К.В. Андрєєва // Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2, N 1, c. 59-64 (2011)

• Дистанційне дослідження тепловтрат будівель тепловізійним методом

  Сизов Ф.Ф., Забудський В.В., Голенков О.Г., Кравченко С.Л., Корнієнко Б.П. // Наука та інновації, 5, №1, с. 31-35 (2009)

• Дослідження за допомогою тепловізора ділянки аеродрому аеропорту «Київ»

  В.І. Бойко, Ф.Ф. Сизов, Ю.М. Сагідаєв, В.В. Забудський, С.Л. Кравченко // Автошляховик України (Вісник північного накового центру транспортної академії України), Т 9, с. 127 – 128 (2006)

• Дослідження можливостей дистанційної медичної термографії

  Ф. Ф. Сизов, Р. В. Бехтір, В. В. Забудський, В. П. Маслов, В. Є. Чешук, Р. В. Кравченко, О. В. Ліпкевич, В. Г. Єфременко, Е. Ю. Гордієнко, Г. В. Шустакова // Вісник національного технічного університету України „Київський політехнічний інститут» (Приладобудування). №25, с.133-137.

• Елісометричні дослідження плівок CdTe на CdHgTe

  М.В. Вуйчик, А.З. Євменова, В.А. Одарич, Ф.Ф. Сизов // Physics and Chemistry of Solids State, 8, # 2, p. 296 – 302 (2007)

• Елементи функціональної електроніки (Навчальний посібник)

  М. Г. Находкін, Ф. Ф. Сизов // К.: Видавництво УкрІНТЕІ. – 2002, 324 с.

• ИК –лазерноиндуцированное изменение Еg в твердых растворах p-Сd1-XZnXTe

  Пляцко С.В., Петренко Т.Л, Рашковецкий Л.В., Кадышев С. // Известия высших учебных заведений Физика. – 2011.- т. 54 №1/3.- с. 174-178.

• Инфракрасная микрофотоэлектроника: состояние, тенденции, информативность

  Ф.Ф. Сизов // КИП и автоматика, № 1, с. 4 – 17 (2004) (Харьков)

• Инфракрасная фотоэлектроника. Состояние и тенденции развития

  Ф. Ф. Сизов // "Альманах", Россия (2000)

• Инфракрасная фотоэлектроника: состояние и тенденции развития

  Ф. Ф. Сизов // Светодиоды и лазеры, № 1-2, с.5 – 8, 23 (2002)

• Ионно-плазменная обработка монокристаллов CdZnTe и оптическое просветление алмазоподобными углеродными пленками

  Н.И. Клюй, В.Б. Лозинский, А.Н. Лукьянов, В.А. Мороженко, Р.К. Савкина, Ф.Ф. Сизов, А.Б. Смирнов, В.А. Дериглазов // Журнал Технич. Физики, 82, № 8, с. 83-88 (2012)

• Использование тепловизионной техники для дистанционного неразрушающего контроля строительных конструкций

  Ф.Ф. Сизов, С.Л. Кравченко, В.П. Маслов, В.Г. Ефременко, Г.В. Шустакова // Техническая диагностика и неразрушающий контроль. № 1, с. 48-49 (2004)

• Исследование особенностей визуализации медицинских термограмм в хроматических псевдоцветах

  Е.В. Бехтир, Ф.Ф. Сизов // Український журнал медичної техніки і технології. № 1-2, c. 106 – 115 (2005)

• Когерентные фазовые равновесия в системе Zn-Cd-Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов ZnxCd1-xTe

  Москвин П.П., Рашковецкий Л.В., Сизов Ф.Ф., Мошников В.А. // Физика и техника полупроводников, 45, № 7, с. 865 – 873 (2011). (p. 865-873, Coherent Phase Equilibria in Zn-Cd-Te System…)

• Комплексное исследование несовершенств структуры кристаллов CdTe и CdTe:Cl, выращеных методом сублимации

  В.Д. Попович, И.В. Курило, И.О. Рудый, Ф.Ф. Сизов, Д.Д. Шуптар // Физика твердого тела, 52, вып. 12, с. 2312-2318 (2010)

• Край поглинання варізонних плівок Hg1-xCdxTe вирощенних методом рідкофазної епітаксії

  В. В. Тетьоркін, З. Ф. Івасів, Ф. Ф. Сизов // Український фізичний журнал, 44, № 9, с.1128-1132 (1999)

• Кремниевые полевые транзисторы как детекторы излучения суб-ТГц диапазона

  Бут Д.Б., Сахно Н. В., Сизов Ф.Ф., Голенков А.Г., Коринец С.В., Гуменюк-Сичевская Ж.В., Рева В.П., Бунчук С.В. // Физика и техника полупроводников, 46, № 5, с. 695-700 (2012) (Semiconductors, 46, # 5, p. 678-683 (2012))

• Линейчатій фотоприемник формата 288х4 с двунаправленным режимом ВЗН

  В.В. Васильев, А.В. Предеин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.П. Рева, Ю.Г. Сидоров, Ф.Ф. Сизов, А.О. Сусляков, А.Л. Асеев // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники. Совещание. Новосибирск, 19-23.08.2008. Тезисы, с. 82.

• Линейчатый фотоприемник формата 288x4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления

  Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С, Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Асеев А.Л. // Оптический журнал, 76, #12, c. 30-35 (2009)

• Математичне моделювання та дослідження нелінійного оптичного прорускання вузькощілинного нгапівпровідника HgCdTe

  О.Г.Голенков, С.Д.Дарчук, Ф.Ф.Сизов // Український фізичний журнал, 42, №9, с.1123-1127 (1997)

• Методика измерения темновых токов полупроводниковых многоэлементных структур при криогенних температурах

  Ф.Ф. Сизов, В.В. Забудський, А.Г. Голенков, Е.В. Андреева, Г.О. Губенко, И.А. Лысюк // КИП и автоматика, № 1, p.4–7 (2007)

• Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23)

  Д.Г. Икусов, Ф.Ф. Сизов, С.В. Старый, В.В. Тетеркин // Физика и техника полупроводников, 41, с. 134 – 139 (2007)

• Механизмы токопереноса фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8-12 мкм

  Ж.В. Гуменюк-Сычевская, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Ф.Ф. Сизов, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров // Прикладная физика, № 2, с.64-69 (2009)

• Многоэлементные приемники терагерцового излучения на CdHgTe

  Ф.Ф. Сизов, М.В. Апатская, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, В.В. Забудский, Н.И. Момот, М.И. Смолий, З.Ф. Цыбрий, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Н.В. Сахно // Прикладная физика, № 2, с. 61-66 (2011)

• Моделирование времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg1−xCdxTe/CdTe при варьировании разрыва валентных зон, ширины ямы и состава x

  Е.А. Мележик, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, Ф.Ф. Сизов // Физика и техника полупроводников, 44, № 10, с. 1365-1371 (2010)

• Мультифрактальная параметризация пространственных форм на поверхности гетерокомпозиций ZnxCd1-xTe-Si(111) и ее взаимосвязь с условиями синтеза

  Москвин П.П., Крыжановский В.Б., Рашковецкий Л.В., Литвин П.М., Вуйчик Н.В., "Мультифрактальная параметризация пространственных форм на поверхности гетерокомпозиций ZnxCd1-xTe-Si(111) и ее взаимосвязь с условиями синтеза" // Журнал физической химии. – 2014. – Т. 88, № 7. – С. 1194-1200.

• Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів

  Ф.Ф. Сизов, В.М. Добровольский, Ю.Є. Каменев // Патент України № 89075 від 25.12.2009

• Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду

  В.М. Добровольский, Ф. Ф. Сизов // Патент на винахід № 86625, зареєстровано 12.05.2009

• Неохлаждаемый фотовольтаический преобразователь ИК-диапазона на основе CdHgTe/Si (x=0.3)

  Р.К. Савкина, Ф.Ф. Сизов, А.Б. Смирнов, В.А. Дериглазов, М.Я. Якушев // Прикладная физика, #4, c. 58-64 (2011)

• Обробка та аналіз теплових зображень в медицині

  О.В. Бехтір, Ф.Ф. Сизов, В.Є. Чешук, О.В. Кравченко, М.М. Носко, О.В. Ліпкевич // Вісник НТТУ „КПІ». Серія „Приладобудування». № 26, с. 138 – 144 (2003)

• Определение температурного диапазона функционирования ИК-линеек (10 мкм) фотодиодов Cd0.22Hg0.78Te

  И.А. Лысюк, А.Г. Голенков, В. В. Забудский, Ф.Ф. Сизов, С.Г. Бунчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, # 40, с.223 – 227 (2005)

• Оптичні властивості епітаксійних плівок HgCdTe/CdTe з градієнтом ширини забороненої зони

  З. Ф. Івасів, В. В. Тетьоркін, Ф. Ф. Сизов // Доповіді НАН України, №11, с.92-96 (1999)

• Особенности формирования нанокристаллического кремния методом химического травления

  В.В. Свеженцова, Ф.Ф. Сизов, Л.Ю. Хоменкова, Н.Н. Мельниченко, Л.М. Капитанчук // Металлофизика и новейшие технологии, 27, № 10, с. 1395 – 1406 (2005)

• Особливості дислокаційного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te

  І.О. Лисюк, Я.М. Оліх, О.Я. Оліх, Г.В. Бекетов, "Особливості дислокаційного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te" // Укр. фiз. журн. 2014. Т. 59, № 1 . С. 50-56.

• Параметры и моделирование МОП-транзисторов схем считывания ИК-ФПУ

  Ф.Ф.Сизов, В.С. Тыжневый, В.П.Рева // Sensor Electronics and Microsystem Technologies, # 4, p. 13 – 19 (2006)

• Перераспределение парамагнитных примесей в кристаллах PbTe:Eu(Mn) и PbSe:Mn при совместном действии ИК-лазерного излучения и внешнего электрического поля

  Ю.С.Громовой, С.К.Кадышев, С.В.Пляцко, Ф.Ф.Сизов // Наука и новые технологии, N1 (1997), c.26-30 (Бишкек)

• Подвижность носителей тока в низкоразмерных полупроводниковых структурах на основе соединений IV-VI

  В.В.Бондаренко, Ф.Ф.Сизов // Неорганические материалы, 33, с. 224-226 (1997)

• Полупроводниковые приемники излучения: от ИК до микроволнового диапазонов

  Ф.Ф. Сизов // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники. Совещание. Новосибирск, 19-23.08.2008. Тезисы, с. 8.

• Послойный рост эпитаксиальных слоёв PbTe и свойства гетероструктур на их основе

  Г. В. Бекетов, С. П. Мовчан, Ф. Ф. Сизов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. №35, с.139-145 (2000)

• Предельные значения обнаружительной способности тепловых и фотонных приемников инфракрасного излучения

  Ф.Ф. Сизов, А.В. Шевчик-Шекера // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. № 1, с. 17-24 (2009)

• Приёмник излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на горячих электронах

  Ю.Е. Каменев, В.Н. Добровольский, Ф.Ф. Сизов // Радиофизика и электроника, 13, №2, с. 207-213, 2008

• Применение тепловидения в медицинских исследованиях онкологических заболеваний молочных желез

  Е.В. Бехтир, Ф.Ф. Сизов, В.Е. Чешук, Г.П. Олийниченко, М.М. Носко // Материалы докл. III съезда онкологов и радиологов СНГ, Минск, 25 – 28 мая, 2004, ч.II, с. 44.

• Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением

  Н.Е. Корсунская, Т.Р. Стара, Л.Ю. Хоменкова, Е.В. Свеженцова, Н.Н. Мельниченко, Ф.Ф. Сизов // Физика и техника полупроводников, 44, # 1, с. 82-86 (2010)

• Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн

  В.П. Рева, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. № 6, с.56-60 (2004)

• Просветляющие свойства алмазоподобных углеродных пленок, нанесенных на монокристаллы Cd1-xZnxTe (x~0.04)

  Ф.Ф. Сизов, Н.И. Клюй, А.Н. Лукьянов, Р.К. Савкина, А.Б. Смирнов, А.З. Евменова // Письма в ЖТФ, т. 34, вып. 9, стр. 32-40 (2008)

• Процессы токопереноса в п+-р-фотодиодах HgCdTe

  Ж. В. Гуменюк-Сычевская, Ф. Ф. Сизов, В. Н. Овсюк, В. В. Васильев, Д. Г. Есаев // Физика и техника полупроводников, 35, № 7, с.835-840 (2001)

• Релаксація електричних параметрів структур, сформованих iонним травленням у вузькощілинному HgCdTe

  В.В. Богобоящий, І.І. Іжнін, Ф.Ф. Сизов, В.О. Юденков // Доповіді НАН України, №4 (2004), с. 70 – 75.

• Роль постоянных электрического и магнитного полей в формировании поверхностного слоя монокристаллов

  А. В. Бродовой, С. Г. Бунчук, "Роль постоянных электрического и магнитного полей в формировании поверхностного слоя монокристаллов" / Материаловедение, 2014, № 2, с. 19-22.

• Свойства эпитаксиальных структур CdHgTe/CdZnTe после низкоэнергетического облучения ионами бора

  А.Б. Смирнов, Р.К.Савкина, Р.С. Удовицкая, А.З. Евменова, Ф.Ф. Сизов // Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 3(9), p. 62- 69 (2012)

• Состояния дефектов в p-CdTe индуцированные потоком быстрых нейтронов

  Пляцко С.В., Петренко Т.Л, Рашковецкий Л.В., Сизов Ф.Ф., Кадышев С. // Известия высших учебных заведений Физика. - 2009. – V. 52 №8/2. – с. 358-361.

• Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8-12 мкм

  Е.В. Андреева, В.С. Варавин, В.В. Васильев, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, З.Ф. Цибрий, Ф.Ф. Сизов // Оптический журнал, 76, # 12, c. 42-48 (2009)

• Стенд для измерения параметров ИСС различніх форматов и ФПУ

  В.П. Рева, Ф.Ф. Сизов, С.Е. Духнин, В.В. Забудский, А.С. Станиславский, А.Г. Голенков, С.В. Коринец // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники. Совещание. Новосибирск, 19-23.08.2008. Тезисы, с. 134.

• Схема считывания с электронным управлением для матриц фотодиодов среднего ИК-диапазона

  В.П. Рева, Ф.Ф. Сизов // Прикладная физика, № 6, с. 131-136 (2007)

• Схемы считывания информации с охлаждаемых ИК фотоприемников

  В.П. Рева, Ф.Ф. Сизов // Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники. Совещание. Новосибирск, 19-23.08.2008. Тезисы, с. 135.

• Улучшение визуального качества медицинских термограмм

  Е.В. Бехтир, Ф.Ф. Сизов // Электроника и связь, т. 9, №21, с. 41 – 45 (2004)

• Ультразвукова інфрачервона термографія вузькощілинного напівпровідника CdxHg1-xTe (x -0,2)

  Савкіна Р.К., Смірнов О.Б., Юр’єв С.О., С.І. Ющук, В.І. Лобойко // ФХТТ - 2010, т. 11, № 1, с. 72-76.

• Устройства считывания для многоэлементных ИК фотодиодов

  В. П. Рева, Ф. Ф. Сизов // Прикладная физика, №1, с.82-100 (2002)

• Устройства считывания информации с крупноформатных матриц фотодиодов

  В.П. Рева, И.В. Марчишин, С.В. Коринец, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, № 4, с. 25-28 (2011)

• Фазовые состояния и магнитная структура сверхпроводящих включений свинца в узкощелевой полупроводниковой матрице

  С.Д.Дарчук, Т.Дитл, Л.А.Коровина, С.Колесник, М.Савицкий, Ф.Ф.Сизов // Физика и техника полупроводников, 32, ¹ 7, с.786-790 (1998)

• Формування багатоелементних ІЧ-фоточутливих матриць фотоприймачів, формату 128х128 на основі CdHgTe

  Сизов Ф.Ф., Цибрій З.Ф., Вуйчик М.В., Білевич Є.О., Апатська М.В., Смолій М.І., Лисюк І.О., Андрєєва К.В., Михайлов М.М. // Sensor Electronics and Microsystem Technologies, #4, p. 38-43 (2009)

• Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe для среднего и дальнего ИК-диапазонов

  В. В. Васильев, А. Г. Голенков, С. А. Дворецкий, Д. Г. Есаев, Т. И. Захарьяш, А. Г. Клименко, А. И. Козлов, И. В. Марчишин, В. Н. Овсюк, В. П. Рева, Ю. Г. Сидоров, Ф. Ф. Сизов, А. О. Сусляков, Н. Х. Талипов // Микроэлектроника, 31, №6, с.414-422 (2002)

• Фотоэлектрические параметры многоэлементных фотоприемников на основе 2*64 КРТ фотодиодных линеек и ПЗС-устройств считывания

  А. Г. Голенков, В. П. Рева, Ф. Ф. Сизов, В. В. Забудский // Прикладная физика, №1, с.100-104 (2003)

• Фотоэлектроника для систем видения в невидимых участках спектра

  Ф.Ф. Сизов // К.: Академпериодика, 2008. – 460 с.

• Фрактальна геометрія поверхні гетероструктур CdxHg1-xTe-Zn0.04Cd0.96Te, що сформовані осадженням з рідкої фази

  П.П.Москвін, О.А.Гутніченко, В.Б.Крижанівський, Л.В.Рашковецький // Вісник ЖДТУ, 2012, №2(61), с.40-46

• Фрактальное кодирование и вейвлет обработка в применении к повышению диагностической информативности тепловых мекдицинских изображений

  Е.В. Бехтир, Ф.Ф. Сизов // Электроника и связь, № 26, с. 54 – 60 (2005)

• Химическое травление твердых растворов CdHgTe в иодвыделяющих растворах на основе системы H2O2-HI

  З.Ф. Томашик, О.Р. Гуменюк, В.Н. Томашик, Ф.Ф. Сизов // Прикладная физика, № 1, с. 106 – 109 (2005)

• Шуми у двовимірних структурах макропористого кремнію

  Л.А. Карачевцева, О.І. Дандур’янц, В.Ф. Онищенко, Ф.Ф. Сизов, С. Вірт // Электроника и связь, № 23, с. 109–111 (2004)

• Экспрессный метод полупроводниковой лазерной спектроскопии и его применение в решении прикладных задач

  С.Д.Дарчук, Ф.Ф.Сизов, Л.А.Коровина, Е.В.Парусимов // Квантовая электроника, вып. 47, с. 99-103 (1997)

• Электрические и фотоэлектрические свойства тонких поликристаллических пленок PbSe

  В.В.Тетеркин, В.Б.Орлецкий, Ф.Ф.Сизов, Н.О.Таштанбаев, В.Г.Степанушкин, В.Ю.Чопик // Квантовая электроника, вып. 47, с. 103-107 (1997)

• Электрон-фононное взаимодействие и подвижность электронов в квантово-размерных струкутрах II типа PbTe/PbS

  В.В.Бондаренко, В.В.Забудский, Ф.Ф.Сизов // Физика и техника полупроводников, 32, № 6, с.739-742 (1998)

• Эллипсометрические исследовавния природной оксидной пленки теллурида кадмия

  В.А. Одарич, А.З. Евменова, Ф.Ф. Сизов// Оптический журнал № 8, с. 63-69 (2013)

• Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Получение и структурные характеристики

  Ф.Ф.Сизов, Ю.Н.Козырев, В.П.Кладько, С.В.Пляцко, В.М.Огенко, А.П.Шевляков // Физика и техника полупроводников, 31, №8, с.922-925 (1997)

• Эффект структурирования гетерлэпитаксиальных систем CdHgTe/CdZnTe при облучении ионами серебра

  Ф. Сизов, Р. Савкина, А. Смирнов, Р. Удовицкая, В. Кладько, А. Гудименко, Н. Сафрюк, О. Литвин, Эффект структурирования гетерлэпитаксиальных систем CdHgTe/CdZnTe при облучении ионами серебра, Физика твердого тела, 56, № 11, 2091-2096 (2014).

• „Смешанная» концепция построения схем считывания для фокальных процессоров с ВЗН и деселекцией элементов

  Ю. П. Деркач, В. П. Рева, Ф. Ф. Сизов // Прикладная физика, №3, с. 90 – 96 (2003)