2019

• Antireflection Enhancement by Composite Nanoporous Zeolite 3A – Carbon Thin Film

  Maksym Stetsenko, Salvatore Andrea Pullano, Tetiana Margitych, Lida Maksimenko, Ali Hassan, Sergii Kryvyi, Roman Ziniuk, Sergii Golovynskyi, Ivan Babichuk, Βaikui Li, Junle Qu, Antonino S. Fiorillo.  // Νanomaterials (прийнята до друку).DOI: https://doi.org/10.3390/nano9111641

• Band-edge emission, defects, morphology and structureof In-doped ZnO nanocrystal films

  B. El Filali, J.A.J. Gomez, T.V. Torchynska, J.L. Casas Espinola, L. Shcherbyna // Optical Materials. –2019. – Vol.89. – P.322-328.

• Complete relaxation of internal mechanical stresses and improvement of the electronic parameters of the film and substrate in C60/Si heterosystems

  MatveevaL.A., NelyubaP.L., KolyadinaE.Yu., KonakovaR.V., ShinkarenkoV.E., VengerE.F. International Journal of Hydrogen Energy – 2019 –44, No. 50 – P. 182-183.

• Correlation effects and configuration of aone-dimensional bipolaron

  N.I. Kashirina, V.Lakhno // Physics Letters A .– 2019. – Vol. 383, Iss.35. – P.126003 (8p.).DOI: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2019.126003

• Disorder and compositional dependences in Urbach-Martienssen tails in amorphous (GeTe)x(Sb2Te3)1-x alloys.

  K. V. Shportko. Scientific Reports 9 (2019), 6030 1–9.

• Grains, grain boundaries and total ionic conductivity of 10Sc1CeSZ and 8YSZ solid electrolytes affected by crystalline structure and dopant content.

  I. Brodnikovska, N. Korsunska, L. Khomenkova, Yu. Polishchuk, S. Lavoryk, M. Brychevskyi, Y. Brodnikovskyi, O. Vasylyev // Mater. Today: Proc. – 2019. – V.6. – p.79-85. DOI: https://doi.org/10.1016/j.matpr.2018.10.078

• Influence of annealing on luminescence and energy transfer in ZnO multilayer structure co-doped with Tb and Eu

  Borkovska L., Khomenkova L., Korsunska N., Kolomys O., Strelchuk V., Sabov T.; Venger Ye., Kryshtab T., Melnichuk O., Melnichuk L., Guillaume C.; Labbe C., Portier X.// ThinSolidFilms. – 2019 .– Vol. **. –P. 137634. DOI:https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.137634.

• Interface Nerve Tissue-Silicon Nanowire for Regeneration of Injured Nerve and Creation of Bio-Electronic Device

  Klimovskaya Alla, Chaikovsky Yuri, Liptuga Anatoliy, Lichodievskiy Volodymyr and Serozhkin Yuriy  // In book “Neurons - Dendrites and Axons”, chapter 5, P.401-429, publisher: InTech, 2019, DOI: DOI: http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.80739.

• Investigation of undoped and Tb-doped ZnO films on Al2O3 substrate by infrared reflection method

  MelnichukO., MelnichukL., TsykaniukB., TsybriiZ., LytvynP., GuillaumeC., PortierX., StrelchukV., VengerYe., KhomenkovaL., KorsunskaN. // ThinSolidFilms. – 2019 .– Vol. 673. –P. 136 – 140.DOI: https://doi. org/ 10.1016/j.tsf.2019.01.028.

• Laser-stimulated structural transformations in AlxGa1-xAs/GaAs system

  L.Fedorenko,A.Silenas,O.Havryliuk,O.Strilchuk,V.Yukhymchuk,E.Soloviev,A.Korchovyi,E.Sirmulis, Thin Solid Films, Vol. 685, 1 September 2019, Pages 34-39. DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.05.057

• Light emission and structure of Nd-doped Si-rich-HfO2 films prepared by magnetron sputtering in different atmospheres.

  L. G. V. Macotela, T. Torchynska, L. Khomenkova, F. Gourbilleau // Mater. Chem. Phys. – 2019. – V. 229. – p.263-268. DOI: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2019.03.007

• Near-band-edge emission enhancement and suppression of the deep levels in Ga-doped ZnO via surface plasmon-exciton coupling without a dielectric spacer

  Ali Hassan, Muhammad Faisal Iqba, Stetsenko Maksym, Margitych Tetiana, Muhammad Azam, Zarfshan Kanwal, Iqra Irfan, Βaikui Li, Yijian Jiang. // Journal of materials science: Materials and electronics, DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-019-02418-2

• Nonstoichiometric amorphous silicon carbide films as promising antireflection and protective coatings for germanium in IR spectral range

  A.N. Lukianov, N.I. Klyui, BoSha, M.G. Dusheiko, V.B. Lozinskii, A.I. Liptuga, V.P. Kasatkin, Bingbing Liu. // Optical Materials. – 2019. – Vol. 88, – P. 445-450. DOI: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2018.12.012

• Optical and Electrical Properties of Tb–ZnO/SiO2 Structure in the Infrared Spectral Interval

  MelnichukO.V, MelnichukL.Yu, KorsunskaN.O. KhomenkovaL.Yu, Venger Ye // Ukrainian Journal of Physics. -2019. -Vol. 64, N5. -P. 431-438. DOI: https://doi.org/10.15407/ujpe64.5.434

• Optical properties of thin copper sulphide films obtained by thermal evaporation

  T.V.Semikina, S.V. Mamykin, L.N. Shmyreva// ISSN 1027-5495. Functional Materials, 2019, - vol.26, No.2, -pp.1-8. DOI: https://doi.org/10.15407/fm26.02.302

• Opticaland Electrical Properties of Tb–ZnO/SiO2 Structure in the Infrared Spectral Interval

  MelnichukO.V, MelnichukL.Yu, KorsunskaN.O. KhomenkovaL.Yu, VengerYe. // Ukrainian Journal of Physics. -2019. -Vol. 64, N5. -P. 431-438. DOI: https://doi.org/10.15407/ujpe64.5.434

• Phase transformation and light emission in Er-doped Si-rich HfO2 films prepared by magnetron sputtering

  T. Torchynska, B. El Filali, L. Khomenkova, X. Portier, F. Gourbilleau // J. Vac. Sci. Technol. A . – 2019. – V. 37. – p. 031503 DOI: https://doi.org/  10.1116/1.5085143

• Photoluminescence, conductivity and structural study ofter biumdoped ZnO films grown on differents ubstrates

  N. Korsunska, L. Borkovska, Yu. Polischuk, O. Kolomys, P. Lytvyn, І. Markevich, V. Strelchuk, V. Kladko, O. Melnichuk, L. Melnichuk, L. Khomenkova, C. Guillaume, X. Portier // MaterialsScienceinSemiconductorProcessing. – 2019. – Vol. 94. – P. 51 – 56. DOI: https:doi.org/10.1016/j.mssp.2019.01.041.

• Physics and Technology of Heterosystems with Films of Germanium and Germanium with Gallium

  Venger Ye., Kolyadina O., Neluba P., Holevchuk V, Matveeva V, Matiyuk I., Mitin V. – Journal of nano- and electronic physics – 2019. – V. 11, No 5 – P. 05029 (4 pp.).DOI: https://doi.org/ 10.21272/jnep.11(5).05029  

• Research of Heat Transfer Mechanisms in Glasses Using Modulation Polarimetry Technique

  I.E. Matyash, I.A. Minailova, B.K. Serdega. // Journal of nano- and electronic physics, v.11, № 4, 04033(4pp) (2019). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04033

• Stoichiometric deviations in bond distances in the mixed As2S­3-As2Se3 system: Raman spectroscopy and EXAFS studies.

  A. Stronski, T. Kavetskyy, L. Revutska, I. Kaban, K. Shportko, J. Baran, M. Trzebiatowska. Journal of Non-Crystalline Solids 521 (2019) 119533.DOI: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2019.119533

• Strain induced mobility enhancement in p-type silicon structures: Bulk and quantum well (quantum kinetic approach

  Kovalenko K.L, Kozlovskiy S.I., Sharan N.N. // Journal of Applied Physics.- 2019, vol. 125, 082515. DOI: https://doi.org/10.1063/1.5045620

• Structural properties of Ag–As–S chalcogenide glasses in phase separation region and their application in holographic grating recording

  A. Stronski, L. Revutska, A. Meshalkin, O. Paiuk, E. Achimova, A. Korchovyi, K. Shportko, O. Gudymenko, A. Prisacar, A. Gubanova, G. Triduh. Optical Materials 94 (2019) 393–397.DOI: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2019.06.016

• The effect of electron irradiation on the electrical properties of reduced graphene oxide paper

  O.O. Voitsihovska, R.M. Rudenko, V.Y. Povarchuk, A.A. Abakumov, I.B. Bychko, M.O. Stetsenko, M.P. Rudenko // Materials Letters 236 (2019) 334–336.DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2018.10.119

• The peculiarities of structural and optical properties of HfO2-based films co-doped with silicon and erbium.

  L. Khomenkova, N. Korsunska, C. Labbé, X. Portier, F. Gourbilleau // Appl. Surf. Sci. – 2019. – V.471. - 521-527. DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.11.251

• Transformations in the photoluminescent, electrical and structural properties of Tb3+ and Eu3+ co-doped ZnO films under high-temperature

  N.Korsunska,L.Borkovska, L.Khomenkova,O.Gudymenko, V.Kladko, O.Kolomys,V.Strelchuk, Z.Tsybrii, C.Guillaume, C.Labbe, X.Portier,O.Melnichuk, L.Melnichuk// Journal of Luminescence. – 2020 .– Vol. 217. –P. 116739.DOI:https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.116739

• Ultraviolet sensors based on ZnxCd1-xS solid solutions

  S. Yu. Pavelets, Yu.N. Bobrenko, T.V. Semikina, B.S. Atdaev, G.I. Sheremetova, M.V. Yaroshenko, // Ukr.J.Phys., 2019 – vol.64, No.4, - pp.308 – 314.DOI: https://doi.org/10.15407/ujpe64.4.308

• Лабораторний практикум з оптики: Навчальний посібник. Київ: Академперіодика

  І.В. Венгер, Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, 2018. – 418 с. (35,1 др. арк.) 120 екз.

• Оптичні методи дослідження та їх практичне застосування: Лабораторний практикум (Навчальний посібник)

  Венгер Є.Ф., Венгер І.В., Мельничук Л.Ю., Мельничук О.В.–Київ. «ВД “Академперіодика” НАН України», 2019. – 300 с.

• Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC

  О.В.Мельничук, Л.Ю. Мельничук, Н.О. Корсунська, Л.Ю. Хоменкова, Є.Ф.Венгер, І.В. Венгер, // UkrainianJournalofPhysics. - 2019. - Прийнято до друку.

• Хронологія науки, або аналіз розвитку наукових відкриттів у часі.

  Б.К. Сердега // Світогляд. 2019. № 5. С. 2-5.

2018

• Фізика. Структурні, оптичні та електрон-фононні властивості легованих широкозонних оксидів

  Корсунська Н.О., Маркевич І.В., Борковська Л.В., Хоменкова Л.Ю., Венгер Є.Ф., Мельничук Л.Ю., Мельничук О.В. – Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя. - 2018. – 160c. (11,37 др. арк.) –300 екз. – ISBN 978-617-527-188-9.

• Фізика. Електричні методи дослідження матеріалів. Лабораторний практикум: Навчальний посібник з дисципліни «Спецпрактикум із спеціалізації»

  Аніщенко В.О., Венгер Є.Ф., Корсунська Н.О., Мельничук Л.Ю., Хоменкова Л.Ю.  / За ред Л.Ю. Мельничук. – Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 2018. –с. (8,95 др. арк.) –

• Фізика. Підручник для загальноосвітніх навчальних закладів.

  Савченко В.Ф., ВенгерЄ.Ф., МельничукО.В. Фізика. 10 клас. – Київ. «ВД “Академперіодика” НАН України», 2018. –с.(28,8др. арк.). – 80 екз. – ISBN 978-966-360-364-3.

• Фізичний експеримент як основа підготовки майбутнього фахівця за спеціальністю «Прикладна фізика та наноматеріали»

  Венгер І.В., Венгер Є.Ф., Корсунська Н.О., Мельничук Л.Ю., Мельничук О.В., Хоменкова Л.Ю.  – Вісник Чернігівського національного педагогічного університету. Серія: Педагогічні науки – 2018. – Випуск 153. – C. 16-23. http://nbuv.gov.ua/UJRN/VchdpuP_2018_153_6

• Електричні, оптичні та люмінесцентні властивості монокристалів оксиду цинку

  МаркевичІ.В., БорковськаЛ.В., ВенгерЄ.Ф., КорсунськаН.О., КушніренкоВ.І., МельничукО.В., МельничукЛ.Ю., ХоменковаЛ.Ю. – Укр. фiз. журн. Огляди – 2018 – Т.13, №1 – C.57-76.

• Компонентний аналіз термопружності, індукованої радіаційним випромінюванням, в представленні модуляційної поляриметрії.

  Матяш І.Є., Мінайлова І.А., Міщук О.М., Сердега Б.К. – УФЖ – Т. 63, № 11 – С. 994-1000. http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_11_7

• Интегральный преобразователь давления на основе эффекта поперечной тензоэдс

  Михайленко И.В., Орлов А.Т., Сердега Б.К. – Вчені записки ТНУ ім. В.І. Вернадського. Серія: Технічні науки – Т. 29(68), № 3 – С. 181-189. http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntuts_2018_29_3(2)__34

• Обертання тонкої нагрітої пластини за рахунок власного теплового випромінювання

  Піпа В.І., Ліптуга А.І. – УФЖ – 2018 – Т. 63, № 11, чи № 12 – С.

• Электроотражение металлофулереновых пленок – Сборник научных статей«Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах»

  ВенгерЕ.Ф., Литвин П.М., КолядинаЕ.Ю.,МатвееваЛ.А., МатиюкИ.Н., НелюбаП.Л., ШпилевскийЭ.М. – 2018 – С.279-283.

• A quantum kinetic approach for calculating low-field mobility in blackphosphorus crystals and multilayer phosphorene

  Kovalenko K.L, Kozlovskiy S.I., Sharan N.N, – Journal of Computational Electronics – 2018 –17, No. 4 – P. 1549-1556. DOI: https://doi.org/10.1007/s10825-018-1255-0

• About possibility of use of thermal infrared glass panels in technological equipment

  ShmidkoI.N., RodionovE.V. – The scientific heritage – 2018 – No. 27, Р.1 –Р.30-36. .

• Band structure evolution and the origin of magnetism in (Ga, Mn)As: From paramagnetic through super paramagnetic to ferromagnetic phase

  L.,O., Domagala J.Z., Jakiela R., Andrearczyk T., Żuk J., Wosinski T., Sadowski J. and Sawicki M. – Phys. Rev B – 2018 – V. 97 – P. 115201. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.115201

• Competition of the self-activated and Mn-related luminescence in ZnS single crystals

  Bacherikov Y.Y., Vorona I.P., Markevich I.V., Korsunska N.O., Kurichka R.V. – Sol. St. Comm. –2018 – V. 274 – P. 31. DOI: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2018.02.017

• Condensons and bicondensons in one-dimensional system

  KashirinaN.I., KorolO.A.– Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics – 2018 –21 № 3 – P. 231-237.DOI:https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.231

• Correlation between Photoluminescent and Photoelectrical Properties of Mn-Doped ZnO

  KorsunskaN.O., MarkevichI.V., StaraT.R., BorkovskaL.V., LavoricS., MelnichukL.Yu., MelnichukO.V. – Ukr. J. Phys. – 2018 – V.63, No.7 – P.660-664. DOI: https://doi.org/10.15407/ujpe63.7.660

• Differences in the integral energy flux of heated infrared thermal panels body from the energy of the radiating surface Sciences of Europe

  ShmidkoI.N., RodionovE.V. –  2018 – V. 1, No. 31 – Р.33-37.

• Disorder impact on the optical absorption edge of the tetragonalcadmium diphosphide

  Shportko K.V., Venger E.F. – Applied Nanoscience – 2018 – Р. 1-5. DOI: https://doi.org/10.1007/s13204-018-0828-3

• EDESR and ODMR Spectroscopy of Point Defects in Semiconductor Nanostructures

  BagraevN.T., N, KhromovV.S., KlyachkinL.E., MalyarenkoA.M., SavchenkoD.V., ShaninaB.D. – International Journal of New Technologies in Science and Engineering – 2018 –V.5, Nо. 2 – P. 20-51.

• Effect of Li+ co-doping on structural and luminescence properties of Mn4+ activated magnesium titanate films

  Borkovska L., Khomenkova L., Markevich I., Osipyonok M., Stara T., Gudymenko O., Kladko V., Baran M., Lavoryk S., Portier X., Kryshtab T. – J. Mater. Sci.: Mat. Electron. – 2018 – V.29, No. 18 – P. 15613. DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-018-9153-6

• Electron and Hole Effective Masses in Heavily Boron Doped Silicon Nanostructures Determined by Cyclotron Resonance Experiments

  Savchenko D.V., Kalabukhova E.N., Shanina B.D., Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Khromov V.S. – SPQEO – 2018 – V. 21, No. 3 – P. 249-255. DOI:https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.249

• EPR Study of Porous Si:C and SiO2:C Layers

  SavchenkoD., VasinA., MutoSh., KalabukhovaE., NazarovA. – Physica status solidi (b) – 2018 – V.255, Nо. 6 – P.1700559 (1-6). DOI:https://doi.org/10.1002/pssb.201700559

• Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties

  SemikinaT.V. – Ukr. J. Phys – 2018 – V.63, No.2 –Р.156-167. DOI: https://doi.org/10.15407/ujpe63.2.156

• Modification of Light Emission in Si-Rich Silicon Nitride Films Versus Stoichiometry and Excitation Light Energy

  Torchynska T., Khomenkova L., Slaoui A. - J. Electron. Mat. – 2018 – V 47 – P. 3927-3933.DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-018-6271-0

• Modular portable unit for thermal conductivity measurements in multiplecryogenic/magnetic field environments

  Tanatar M.A., Bondarenko V.A., Timmons E.I., Prozorov R. – Rev. Sci. Instrum –2018 – V.89, No. 1 – P. 013903. DOI: https://doi.org/10.1063/1.5001708

• Morphology, structure and emission of Al-doped ZnO nanocrystal films

  Torchynska T.V., El Filali B., Polupan G., Shcherbyna L., Casas Espinola J.L. – J. Mater. Sci.: Mat. Electron – 2018 – V. 29 – P. 15452. DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-018-9077-1

• Nanocrystalline SiC film thermistors for cryogenic applications

  Mitin V.F., Kholevchuk V.V., Semenov A.V., Kozlovskii A.A., Boltovets N.S., Krivutsa V.A., Slepova A.S. and Novitskii S.V.  – Review of Scientific Instruments – 2018 – №89 – Р.025004-(1-5). DOI: https://doi.org/10.1063/1.5024505

• Optical polarization characteristics of Zeolite deposited on different substrates for perspective modulation biosensor systems

  Rudenko S.P., Stetsenko M.O., Maksimenko L.S., Kryvyi S.B., Serdega B.K., Fiorillo A.S., Pullano S.A. – Nanomaterials for Security. NATO Science for Peace and Security Series A: Chemistry and Biology– Springer – 2018 – Р. 213-222. DOI: https://doi.org/10.1007/978-94-024-1304-5_16

• Optical properties of ternary alloys MgZnO in infrared spectrum

  MelnichukL.Yu., MelnichukO.V.,L.Yu. – Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics – 2018 – V. 21, N. 4. – P. 417-423. DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.417

• Origin of Pr3+ luminescence in hafnium silicate films: combined atom probe tomography and TEM investigations

  Demoulin R.R., Beainy G., Castro C., Pareige P., Khomenkova L., Labbé C., Gourbilleau F., Talbot E. Nano Futures – 2018. – V. 2, No. 3. – P.035005 (12 pages). DOI: https://doi.org/10.1088/2399-1984/aad009

• Paramagnetic Defects in Amorphous Hydrogenated Silicon Carbide and Silicon Carbonitride Films

  Shanina B.D. – In book “Frontiers in Magnetic Resonance (Volume 1): Electron Paramagnetic Resonance in Modern Carbon-Based Nanomaterials” / edited by D.Savchenko, A.H. Kassiba, Bentham Science Publishers Ltd. PO Box 7917, Saif Zone – 2018 – Chapter 13 – P. 254-282. DOI: https://doi.org/10.2174/9781681086934118010016

• Peculiarities of Thermally Activated Migration of Subvalent Impurities in Cu-Doped Y-Stabilized ZrO2 Nanopowders Produced From Zr Oxychlorides

  Korsunska N., Polishchuk Yu., Baran M., Nosenko V., Vorona I., Lavoryk S., Ponomaryov S., Marie O., Portier X., Khomenkova L. – Frontier in Mat. –2018 – V. 5 – art. 23 (10 pages). DOI: https://doi.org/10.3389/fmats.2018.00023

• Quantum kinetics approach to calculation of the low-field mobility in the hole inversion layers of silicon MOSFET’s

  KovalenkoK.L, KozlovskiyS.I., SharanN.N. – Journal of Computational Electronics – 2018 –17, No. 3 – P. 926-933. DOI: https://doi.org/10.1007/s10825-018-1163-3

• Radiative Defect Varying in Aging ZnO:Ag Nanocrystals

  Torchynska T.V., EL Filali B., Polupan G. and Shcherbyna L. – Journal of Electronic Materials – 2018 V. 18, No. 8 – P. 4234. DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-018-6096-x

• Raman and EPR spectroscopic studies of chromium-doped diamond-like carbon films

  Savchenko D., Vorlíček V., Prokhorov A., Kalabukhova E., Lančok J., Jelínek M. – Diamond Related Materials – 2018 – V. 83 – P. 30-37. DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2018.01.021

• Silver related emitting defects and aging ZnO nanocrystals

  Torchynska T.V., El Filali B., Ballardo Rodriguez Ch., Polupan G., Shcherbyna L. – Materials Chemistry and Physics – 2018 – V. 211 – P. 462.DOI: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2018.03.021

• Фізика. Solid State Composites and Hybrid Systems: Fundamentals and Applications

  SavkinaR., KhomenkovaL. (eds.) – CRC Press, Boca Raton – 2018 – 216с.

• The effect of electron irradiation on the electrical properties of reduced graphene oxide paper

  VoitsihovskaO.O., RudenkoR.M., PovarchukV.Y., AbakumovA.A., BychkoI.B., StetsenkoM.O., RudenkoM.P. – MaterialsLetters – V.236 –P.334-336. . DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2018.10.119

• The Effect of High Temperature Annealing on the Photoluminescence of ZnMgO Alloys

  Borkovska L., Khomenkova L., Markevich I., Osipyonok M., Kolomys O., Rarata S., Oberemok O., Gudymenko O., Kryvko A. and Strelchuk V. Phys. Status Solidi A – 2018 – V. 215, No.19 – P. 1800250. DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.201800250

• The peculiarities of light absorption and light emission in Cu-doped Y-stabilized ZrO2nanopowders

  Korsunska N., Baran M., Papusha V., Lavoryk S., Marchylo O., Michailovska K., Melnichuk L., Melnichuk O., Khomenkova L. – Applied Nanoscience – 2018 – V. 7 – P. 839 (9 pages) DOI: https://doi.org/10.1007/s13204-018-0839-0DOI:

• The peculiarities of structural and optical properties of HfO2-based films co-doped with silicon and erbium

  Khomenkova L., Korsunska N., Labbé C., Portier X., Gourbilleau F. Applied Surface Science – 2019 – V. 471 – P.521-527 DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.11.251

• Thermal Treatments and Photoluminescence Properties of ZnO and ZnO:Yb Films Grown by Magnetron Sputtering

  Guillaume C., Labbe C., Frilay C., Doualan J.-L., Lemarie F., Khomenkova L., Borkovska L., Portier X. – Phys. Stat. Sol. A – 2018 – 1800203 (11 pages) DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.201800203

• Моделювання спектрів ІЧ-відбивання напівровідникових легованих плівок ZnO на діелектричних підкладках Al2O3

  Венгер І.В., Венгер Є.Ф., Корсунська Н.О., Корбутяк Д.В., Мельничук Л.Ю., Мельничук О.В., Хоменкова Л.Ю. – Вісник навчально-наукового інституту точних наук і економіки: Збірник наукових праць. – Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя. - 2018 - С. 

2017

• A Q-band low noise GaAs pHEMT MMIC power amplifier for pulse electron spin resonance spectrometer

  Sitnikov A., Kalabukhova E., Oliynyk V., Kolisnichenko M. – A Q-band low noise GaAs pHEMT MMIC power amplifier for pulse electron spin resonance spectrometer – Review of Scientific Instruments – 2017 – V.88, №5 – P.054702(1-5).

• Compositional dependencies in the vibrational properties of amorphous Ge-As-Se and Ge-Sb-Te chalcogenide alloys studied by Raman spectroscopy

  Shportko K., Revutska V, Paiuk O., Baran J., Stronski A., Gubanova A. and Venger E. – Compositional dependencies in the vibrational properties of amorphous Ge-As-Se and Ge-Sb-Te chalcogenide alloys studied by Raman spectroscopy – Optical Materials – 2017 – V.73 – P.489-496.

• Effect of Cooling Rate on Dopant Spatial Localization and Phase Transformation in Cu-Doped Y-Stabilized ZrO2 Nanopowders

  Korsunska N., Baran M., Vorona I., Nosenko V., Lavoryk S., Polishchuk Y., Kladko V., Portier X., Khomenkova L. – Effect of Cooling Rate on Dopant Spatial Localization and Phase Transformation in Cu-Doped Y-Stabilized ZrO2 Nanopowders – Phys. Stat. Sol. C – 2017 – V.14 – P.1700183. -doi:10.1002/pssc.201700183.

• Electromagnetically induced transparency and one-dimensional near-unity-refractive-index metamaterials

  Goncharenko A.V., Chang Y.C., Nazarov V.U., Knize R.J., and Pinchuk A.O. – Electromagnetically induced transparency and one-dimensional near-unity-refractive-index metamaterials – Optical Mater. Express – 2017 –V.7, №11 – P.3885-3894.

• Evidence for the resonant bonding in the phase-change materials studied by the IR spectroscopy

  Shportko K., Volker and Wuttig M. – Evidence for the resonant bonding in the phase-change materials studied by the IR spectroscopy – Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics – 2017 – V.20, № 1 – P.69-73.

• Extraordinary high- and low-momentum lossless plasmonic modes in one-dimensional metamaterials

  Goncharenko A.V., Chang Y.C., Knize R.J., Pinchuk A.O. – Extraordinary high- and low-momentum lossless plasmonic modes in one-dimensional metamaterials – Optical Mater. Express – 2017 – V.7, №3 – P. 766-776.

• Fluorescence of molecules placed near a spherical particle: Rabi splitting

  Dvoynenko M.M. – Fluorescence of molecules placed near a spherical particle: Rabi splitting – Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics – 2017 – V.20, №4 – P. 458-464.

• Impurity-Governed Modification of Optical and Structural Properties of ZrO2-Based Composites Doped with Cu and Y

  Korsunska N., Baran M., Vorona I., Nosenko V., Lavoryk S., Portier X., Khomenkova L. – Impurity-Governed Modification of Optical and Structural Properties of ZrO2-Based Composites Doped with Cu and Y – Nanoscale Res. Lett. – 2017 – V.12. – P.157.

• Influence of the vacancies on the optical properties of the tetragonal CdP2: VIS, IR, and Raman study

  Shportko K. – Influence of the vacancies on the optical properties of the tetragonal CdP2: VIS, IR, and Raman study – Vibrational Spectroscopy – 2017 – V.92 – P.230-233.

• Infrared, Raman and Magnetic Resonance Spectroscopic Study of SiO2:C Nanopowders

  Savchenko D., Vorliček V., Kalabukhova E., Sitnikov A., Vasin A., Kysil D., Sevostianov S., Tertykh V., Nazarov A. – Infrared, Raman and Magnetic Resonance Spectroscopic Study of SiO2:C Nanopowders – Nanoscale Research Letters – 2017 – V.12, №1 – P.292(1-12).

• Molecular Aggregation and Deaggregation of Rhodamine 6G in the Formation of Hybrid Sol-Gel Films

  Leonenko E., Telbiz G., Dvoynenko M.M., Manoryk P.A. – Molecular Aggregation and Deaggregation of Rhodamine 6G in the Formation of Hybrid Sol-Gel Films – Theoretical and Experimental Chemistry – 2017 – V. 52, № 6 – P. 383-387.

• Nanotechnology, internal mechanical stresses, optical and electronic properties of nanostructures with germanium films on indium phosphide substrates

  Matveeva L.A., Kolyadina E.Yu., Konakova R.V., Matiyuk I.M., Mitin V.F., Kholevchuk V.V., Venger E.F. – Nanotechnology, internal mechanical stresses, optical and electronic properties of nanostructures with germanium films on indium phosphide substrates – Scientific Journal Proceedings of the IEE 7-th International Conference on Nanomaterials: Applications and Properties (NAP-2017) – 2017 – Vol.2, №1 – 01PCSI29-1 (4pp).

• Optical properties of Rh6G molecules ordering in the silica- and titanium dioxide mesoscopic sol-gel films

  Telbiz G., Leonenko E., Dvoynenko M. – Optical properties of Rh6G molecules ordering in the silica- and titanium dioxide mesoscopic sol-gel films – Molecular Crystals and Liquid Crystals – 2017 – V.642, №1 – P.74-80.

• Quantum-size effects in semiconductor heterosystems

  Matveeva L.A., Venger E.F., Kolyadina E.Yu., Neluba P.L. – Quantum-size effects in semiconductor heterosystems – Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2017 – V.20, №2 – P. 224-230.

• Spectroscopy of the Surface Polaritons in the CdxZn(1-x)P2 Solid Solutions

  Shportko K.V., Barlas T.R., Baran J., Trukhan V.M., Shoukavaya T.V. and Venger E.F. – Spectroscopy of the Surface Polaritons in the CdxZn(1-x)P2 Solid Solutions – Nanoscale Research Letters – 2017 – 12:87.DOI: 10.1186/s11671-017-1880-8.

• Structural and optical properties of ZnS:Mn micro-powders, synthesized from the charge with a different Zn/S ratio

  Bacherikov Yu.Yu., Baran N.P., Vorona I.P., Gilchuk A.V., Zhuk A.G., Polishchuk Yu.O., Lavorik S.R., Kladko V.P., Kozitskii S.V., Venger E.F., Korsunska N.E. – Structural and optical properties of ZnS:Mn micro-powders, synthesized from the charge with a different Zn/S ratio – J. Mater. Sci.: Mater. Electron – 2017 – V.28, №12 – P.8569-8578.

• Study of Signal-to-Background Ratio of Surface-Enhanced Raman Scattering: Dependences on Excitation Wavelength and Hot-Spot Gap

  Dvoynenko M.M., Wang H.-H., Hsiao H.-H., Wang Y.-L., and Wang J.-K. – Study of Signal-to-Background Ratio of Surface-Enhanced Raman Scattering: Dependences on Excitation Wavelength and Hot-Spot Gap – J. Phys. Chem. C – 2017 – V.121 – P. 26438-26445.

• The temperature behavior of the conduction electrons in the nitrogen-doped 3C SiC monocrystals as studied by electron spin resonance

  Savchenko D., Kalabukhova E., Prokhorov A., Lančok J., Shanina B. – The temperature behavior of the conduction electrons in the nitrogen-doped 3C SiC monocrystals as studied by electron spin resonance – Journal of Applied Physics – 2017 – V.121, №2 – P.025705(1-6).

2016

• К вопросу об омичности контактов Шоттки

  СаченкоА.В., БеляевА.Е., КонаковаР.В. // ФТП – 2016 – Т. 50, № 6 – С. 777-784.

• Определение кристаллической структуры низкоразмерных порошков ZnS с помощью ЭПР ионов Mn2+

  ВоронаИ.П., ГрачевВ.Г., ИщенкоС.С., БаранН.П., БачериковЮ.Ю., ЖукА.Г., НосенкоВ.В.// ЖПС – 2016 – V.83, №1 – С.60-64

• Antitumor effect of superparamagnetic iron oxide nanoparticles conjugated with doxorubicin during magnetic nanotherapy of Lewis Lung carcinoma

  Orel V., Romanov A., Rykhalskiy A., Shevchenko A., Orel I., Burlaka A., Lukin S.// Mat.-wiss. U. Werkstofftech – 2016.– V.47, N 2-3 – Р. 1-7

• Diagnostic of resonant properties of Au-PTFE nanostructures for sensor applications

  Maximenko L.S., Rudenko S.P., Stetsenko M.O., Matyash I.E., Mischuk O.M., Kolomzarov Yu.V., Serdega B.K. // Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Nanomaterials for Security. NATO Science for Peace and Security Series - A: Chemistry and Biology –2016 – Ch. 21 – P. 267-280

• Diagnostic of surface plasmons resonances in nanosized gold films by modulation polarization spectroscopy

  Rudenko S.P., Maksimenko L.S., Matyash I.E., Mischuk O.M., Stetsenko M.O., Serdega B.K.// Plasmonics – 2016 – V.11, № 2 – P. 557-563

• Effect o fmicrowave (24GHz) radiation treatment on impurity photoluminescence of CdTe:Cl single crystals

  Red’koR.A., BudzulyakS.I., VakhnyakN.D., DemchinaL.A., KorbutyakD.V., .V., LotskoA.P., .B., BerezovskayaN.I., BykovYu.V., EgorovS.V., EremeevA.G. //Journal of Luminescence – 2016 – V. 178 – P. 68-71.

• Electron paramagnetic resonance in the experimental oncology: Implementation examples of the conventional approaches

  Burlaka A.P., Gafurov M.R., Iskhakova K.B., Lukin S.M., Rodionov A.A., Sidorik E.P., Vovk A.V. // BioNanoScience – 2016.–DOI:10.1007/s12668–016–0238–5

• Electron transport near the Mott transition in n-GaAs and n-GaN

  Romanets P.N., Sachenko A.V. // Phase Transitions: A Multinational Journal – 2016 – V.89, N. 1 – P. 52-59

• EPR study of radiation-induced defects in carbonate-containing hydroxyapatite annealed at high temperature

  Vorona I.P., Nosenko V.V., Baran N.P., Ishchenko S.S., Lemishko S.V., ZatovskyI.V., StrutynskaN.Yu.// Rad. Meas.- 2016 -V.87-P.49-55

• Field emission properties of pointed cathodes based on graphene films on SiC

  Konakova R.V., Okhrimenko O.B., Kolomys A.F., Strel’chuk V.V., Svetlichnyi A.M., Ageev O.A., Volkov E.Yu., Kolomiitsev A.S., Zhityaev I.L., Spiridonov O.B.// JournalofSuperhardMaterials – V.38, N.4. – P.235-240.    

• Graded ZnS/ZnSxO1−x heterostructures produced by oxidative photolysis of zinc sulfide: Structure, optical properties and photocatalytic evolution of molecular hydrogen

  Baran M.P., Korsunskaya N.E., Stara T.R., Venger Y.E., Kryshtab T.G., Stroyuk O.L., Raevskaya A.L., Korzhak G.V., Kuchmiy S.Ya.// Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry – 2016 – V.329,№ 1 – P. 213-220

• Silicon nanocrystals embedded in oxide films grown by magnetron sputtering

  Khomenkova L., Baran M., Jedrzejewski J., Bonafos C., Paillard V., Venger Y., Balberg I., KorsunskaN.//AIMSMaterialsScience – 2016 –V.3, № 2 –P. 538-561

• Stomach Cancer: Interconnection between the Redox State, Activity of MMP-2, MMP-9 and Stage of Tumor Growth

  Burlaka A., Gafurov M., Ganusevich I., Lukin S.// Cancer Microenvironment – 2016 – V. 9(1). – P. 27-32

• Temperature dependent behavior of localized and delocalized electrons in nitrogen-doped 6H SiC crystals as studied by electron spin resonanc

  Savchenko D., Kalabukhova E., Shanina B., CichoňS., HonolkaJ., KiselovV., Mokhov E.// Journal of Applied Physics – 2016 – V.119 – №4 – P.04570(1-7).

• The Crystal Structure of Micro- and Nanopowders of ZnS Studied by EPR of Mn2+ and XRD

  Nosenko М., Vorona I., Grachev V., Ishchenko S., Baran N., Bacherikov Yu., Zhuk A., Polishchuk Yu., Kladko V. andSelishchev A.// Nanoscale Research Letters – 2016 –11:517

• The spin relaxation of nitrogen donors in 6H SiC crystals as studied by the electron spin echo method

  Savchenko D., Kalabukhova E., Shanina B., Pöppl A., Lančok J., Mokhov E. // Journal of Applied Physics – 2016 – V.119 – №13 – P.135706 (1-7)

• White light emission of ZnO-Cu nano-films

  Khomchenko V.S., Lytvyn O.S., Mazin M.A., Rodionov V.E., Vlaskina S.I., Demydiuk P.V., Yuldashev S.I. // Nanoscience and Nanoengineering – 2016 – V.4, N 2 – P. 46-51

• Инфракрасные обогреватели на стекле с тонкопленочным нагревательным слоем и повышение их эффективности

  Родионов Е.В., Шмидко И.Н.// Science of Europe – 2016 – Т.2, № 7(7) – С. 32-42.

• Особенности получения пленок хрома, окисихрома и оксикарбида хрома по МОС-технологии

  РодионовЕ.В., ШмидкоИ.Н.// Международный Научно-исследовательский журнал – 2016 – Т.45, № 3, Часть 2 – C.63-67.

• Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2-300 K

  Саченко А.В., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Витусевич С.А., Новицкий С.В., Шеремет В.Н., Пилипчук А.С.// Письма в ЖТФ – 2016. – Т. 42, вып. 12 – С. 82-87.

• Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники

  Беляев А.Е., Бессолов В.Н., Болтовец Н.С., Жиляев Ю.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кучук А.В., Саченко А.В., Шеремет В.Н. – Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники. – /ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України; Державне підприємство НДІ «Оріон»; Фізико-технічний інститут ім. А.Ф. Йоффе, РАН, РФ/. – Київ. Наукова думка, – 2016. – 258 с.(16,3). – 200. – ISBN978-966-00-1508-1.

• Халькогенідні склоподібні напівпровідники: властивості та практичні застосування

  Стронський О.В., Венгер Є.Ф., Олексенко П.Ф., Мельничук О.В. – Халькогенідні склоподібні напівпровідники: властивості та практичні застосування. – /НДУ ім. М. Гоголя/. – Ніжин. Видавництво НДУ ім. М.Гоголя, – 2016. – 236 с.(15,9). – 300. – ISBN978-617-527-148-3.

• Хвосты плотности состояний на краю фундаментального поглощения плёнок с фуллеренами С60 и с графитоподобной фазой

  ВенгерЕ.Ф., КолядинаЕ.Ю., МатвееваЛ.А., НелюбаП.Л., ШпилевскийЭ.М.// Сборник научных статей «Наноструктуры в конденсированных средах» – 2016 – С. 118-123

2015

• Analysisof the fundamental absorption edge of the films obtained from the C60 fullerene molecular beam in vacuum and effect on its internal mechanical stresses

  Kolyadina E.Yu., Matveeva L.A., Neluba P.L., Venger E.F. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics – V.18. – №3 – P.349-353 (2015).

• Comparative EPR study of CO2- radicals in modern and fossil tooth enamel

  Nosenko V.V., Vorona I.P., Baran N.P., Ishchenko S.S., Vysotskyi B.V., Krakhmalnaya T.V., Semenov Yu.A. // Rad. Meas. - V. 78 - P. 53-57 (2015).

• Dilatation deformation potential, drift mobility and piezoresistance in p-type silicon (quantum kinetic approach)

  Kozlovskiy S.I., Sharan N.N. // Journal of Computational Electronics – V. 14 – № 3 – P. 788-797 (2015).

• EPR, ESE and pulsed ENDOR study of the nitrogen donors in 15R SiC grown under carbon-rich conditions

  Savchenko D., Kalabukhova E., Shanina B., Pöppl A., Ubyivovk E., Mokhov E. // Phys. Status Solidi B. – V.252 – №3 – P.566-572 (2015).

• Formation of Cu-related emission centers under thermal doping of ZnS powders with CuCl and CuCl2

  Bacherikov Yu, Zhuk A., Baran M., Venger Ye., Korsunska N. //  Journal of Luminescence – 2015 – V.165 – Р.94-98. doi:10.1016/j.jlumin.2015.04.023 (2015).

• InAs фотодіоди (огляд)

  Сукач А.В., Тетьоркін В.В., Матіюк І.М., Ткачук А.І. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника – Вып. 50 – С. 17-43 (2015).

• Influence of the local structure in phase-change materials on their dielectric permittivity

  Shportko K.V., Venger E.F. // Nanoscale Research Letters – V. 1. – № 1 – 4p.DOI 10.1186/s11671-015-0735-4 (2015).

• Magnetic properties and antitumor effect of nanocomplexes of iron oxide and doxorubicin

  Orel V., Shevchenko A., Romanov A., Tselepi M., MitreliasT., Barnes C.H.W., Burlaka A., Lukin S., Shchepotin I. // Nanomedicine: Nanotechnology, Biology and Medicine – V. 11. – Р. 47-55 (2015).

• On the dielectric approximation in the additional light waves theory: an historical rehabilitation (recovery)

  Piskovoi V.N., Venger E.F. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics – V.18. – № 3 – P. 255-258 (2015).

• Preparation, Characterization, and Thermal Transformation of Poorly Crystalline Sodium- and Carbonate-Substituted Calcium Phosphate

  Strutynska N., Zatovsky I., Slobodyanik N., Malyshenko A., Prylutskyy Y., Prymak O., Vorona I., Ishchenko S., Baran N., Byeda A., Mischanchuk A. // Eur. J. Inorg. Chem. – V. 2015.– № 4 – P. 622-629 (2015).

• Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6HSiC nanostructures

  Bagraev N.T., Danilovskii E.Yu., Gets D.S., Kalabukhova E.N., Klyachkin L.E., Koudryavtsev A.A., Malyarenko A.M., Mashkov V.A., Savchenko D.V., Shanina B.D. // ФТП – Т. 49 – вып. 5 – С. 663-671 (2015).

• Structural and Luminescent Properties of (Y, Cu)-Codoped Zirconia Nanopowders

  Korsunska N., Baran M., Polishchuk Yu., Kolomys O., Stara T., Kharchenko M., Gorban O., Strelchuk V., Venger Ye., Kladko V., and Khomenkova L. // ECS Journal of Solid State Science and Technology – V. 4 – № 9 – Р. N103-N110 (2015).

• Surface polaritons in zinc phosphide

  Venger E., Barlas T., Shportko K. // Spectroscopy (Santa Monica) – V. 30. – № 2 – P. 42-48 (2015).

• Synthesis, characterization and EPR investigation of γ-induced defects of nanoparticals of (MI, CO3)-containing (MI – Na, K) apatites

  Strutynska N., Slobodyanik N., Malyshenko A., Zatovsky I., Vorona I., Prylutskyy Yu., Prymak O., Baran N., Ishchenko S., Nosenko V. // Solid State Phenomena – V. 230. – P. 133-139 (2015).

• The electron spin resonance study of heavily nitrogen doped 6H SiC crystals

  Savchenko D.V. // J. Appl. Phys. – V.117 – №4 – P.045708-1-045708-6 (2015).

• The Q-band low noise reference oscillator based on bipolar transistor designed for the pulse ESR spectrometer

  Sitnikov A.A., Kalabukhova E.N., Oliynik V.V., Kolisnichenko M.V. // 2015 IEEE 35th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO) – Р.317-319 (2015).

• Деклараційний патент на корисну модель № 97883 від 10.04.2015 "Передавальний модуль мікрохвильового мосту для імпульсного когерентного спектрометра електронного парамагнітного резонансу 8 міліметрового діапазону довжин хвиль з генератором на біполярному т

  Калабухова К.М., Сітніков О.О. Колесніченко М.В., Олійник В.В. // Бюл. «Промислова Власність» № 7 (2015).

• Механические свойства плёнок оксида хрома в зависимости от технологических факторов

  Родионова Н.А., Швидко И.Н., Родионов В.Е. // Международный научно-исследовательский журнал – вып. 38 – №7-2 – С. 44-47 (2015).

• Оптические характеристики плёнок оксида хрома, полученных по МОС-технологии

  Родионова Н.А., Швидко И.Н., Родионов В.Е. – // Международный научно-исследовательский журнал – вып. 38 – №7-2 – С. 40-43 (2015).

• Патент України на винахід № 108732 від 25.05.2015 "Спосіб контролю розподілу температурного поля в оптично-прозорих деталях"

  Сердега Б.К., Венгер Є.Ф., Матяш І.Є., Мінайлова І.А., Маслов В.П., Качур Н.В. // Бюл. № 10 (2015).

• Поверхневі поляритонні збудження в плівках ZnO на підкладках з оптичного скла

  Венгер Є.Ф., Мельничук Л.Ю., Мельничук О.В., Семікіна Т.В. // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць. - Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя. – С. 62-70 (2015).

• Фізика. 7 клас

  Бойко М.П., Венгер Є.Ф., Мельничук О.В. // Київ. Наукова думка – 332 с.(16). – 617. – ISBN 978-966-00-1500-5 (2015).

‹2014

• Фотоэлектрические свойства микрорельефных гетеропереходов металл-полупроводник с промежуточным слоем фуллерена С60

  Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, Л.А. Матвеева, С.В. Мамыкин, Д.А. Науменко // Материалы, структурированные углеродными наночастицами. Сборник научных статей, институт тепло и массообмена НАН Беларуси, Минск, издательский центр БГУ, с.3-9 (2008)

• Спектры отражения монокристалла 6H-SiC, размещенного в сильном однородном магнитном поле

  Е.Ф. Венгер, А.И. Євтушенко, Л.Ю. Мельничук, А.В. Мельничук // Инженерно-физический журнал, т.82, №6, с.1-7 (2009)

• Подвійний фазовий перехід провідності в безщілінному CdHgTe при низьких температурах

  С.Г. Гасан-заде // УФЖ, т.43, вып.5, с.604-606 (1998)

• Рекомбинационные механизмы и кинетические явления в одноосно напряженном CdxHg1-xTe

  С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.27, вып.8, с.1326-1334 (1993)

• Низкотемпературные особенности фотоэлектрических свойств кристалло CdxHg1-xTe с дырочной проводимостью: влияние вымораживания дырок и упругого напряжения

  С.Г. Гасан-заде, С.В. Старый, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.34, вып.10, с.1187-1193 (2000)

• Спектроскопия ФЛ и КРС тонких приповерхностных слоев GaAs, перекристаллизованных импульсным лазерным облучением

  В.В. Артамонов, Ю.Ю. Бачериков, В.И. Вовченко, Ю.В. Калиниченко, Л.А. Матвеева, В.Д. Нечипорук, П.В. Свиридов // Український фізичний журнал, т.39, №7, с.801-805 (1994)

• Электронно-микроскопическое исследование дислокаций несоответствия в процессе отжига гетероэпитаксиальной системы Ge-GaAs

  В.И. Вдовин, Л.А. Матвеева, Г.Н. Семенова, М.Я. Скороход, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан // в кн: «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках», Черноголовка, с.63-69 (1988)

• Влияние СВЧ излучения на особенности структурной релаксации гетеросистем Ge-GaAs и электронных свойств пленок Ge на полуизолирующем GaAs

  Е.Ф. Венгер, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук, Л.А. Матвеева, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова // Материалы 8ой Международной конференции «Взаимодействие излучения с твердым телом», 23-25 сентября, Минск, Беларусь, с.157-159 (2009)

• Переход проводимости металл-диэлектрик-металл в бесщелевом полупроводнике Hg1‑xCdxTe, индуцированный одноосной деформацией

  С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.21, вып.6, c.1060-1063 (1987)

• Особенности фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях MnxHg1-xTe при низких температурах

  С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, Н.В. Сочинский, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.28, вып.5, с.802-807 (1994)

• Проводимость Pb1-xSnxTe в сильных электрических полях

  С.Г. Гасан-заде, В.В. Орлецкий, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.9, №2, с.380-383 (1975)

• Ефект фотопам’яті поверхневого потенціалу кремнію в системі Si-SiO2 після лазерного опромінення

  С.І. Кирилова, В.С. Примаченко, В.А. Чорнобай // Український фізичний журнал, т.37, №5, с.766-769 (1992)

• Исследование переходного слоя в контактах Шоттки TiB2-GaAs и Au-TiB2-GaAs

  Е.Ф. Венгер, Л.В. Шеховцов, С.Ю. Сапко, В.Н. Иванов // Сб. докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, Украина, с.308-310 (2001)

• Дефекты поверхности монокристаллов ZnAs2 при разных технологических обработках и их влияние на спектры электроотражения

  Е.Ф. Венгер, И.Н. Матиюк, Л.А. Матвеева // Материалы Третьей Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», 21-24 ноября, Черноголовка, Россия, с.135-137 (2006)

• Исследование поверхностных поляритонов ZnO в сильном однородном магнитном поле

  Е.Ф. Венгер, А.И. Євтушенко, Л.Ю. Мельничук, А.В. Мельничук // Proceeding of the 6th International Conference on Microelectronics and Computer Science, 1-3 October 2009, Chişinău, Moldova, v.l, p.126-131 (2009)

• Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности (100) n-GaAs

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №12, с.59-65 (1996)

• 140 GHz EPR Spectrometer Applicable to the Investigations of Semiconductor Materials

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin // Abstract of International conf. Modern Development of Magnetic Resonance, Kazan, p.86-87 (2004)

• Особенности фотопроводимости узкощелевых полупроводников А2В6

  А.И. Власенко, С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.40, c.47-60 (2005)

• Влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах CdxHg1-xTe

  С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, Е.С. Фридрих, Г.А. Шепельский // ФТП, т.25, №5, с.871-875 (1991)

• Низкотемпературный отжиг пластин GaAs, имплантированных ионами О*

  Н.А. Дмитрук, Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, М.Ю. Плюсова // Письма в ЖТФ, т.18, вып.20, с.41-46 (1992)

• Воздействие магнитного поля на индуцированный деформацией переход бесщелевой полупроводник-обычный полупроводник (БП-ОП) в Hg1-xCdxTe

  С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.21, вып.4, с.585-591 (1987)

• Характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах MnxHg1‑xTe с анодно окисленными поверхностями

  С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.И. Каленик, И.М. Раренко, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.26, вып.6, с.1100-1103 (1992)

• Фототермомагнитный эффект в Pb1-xSnxTe

  С.Г. Гасан-заде, В.В. Орлецкий, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.10, вып.2, с.324-327 (1976)

• Збудження поверхневих електромагнітних хвиль в оптично анізотропному сульфіді кадмію

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, П.Ю. Булавенко // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М.Гоголя, с.49-55 (2013)

• Вплив нейтронного опромінення та термообробки на виникнення ефекту самоорганізації, Франца-Келдиша та квантово-розмірного ефектів у монокристалічному кремнії

  А.А. Гроза, П.Г. Литовченко, Л.О. Матвеєва, П.Л. Нелюба, М.Б. Пінковська, М.І. Старчик // Фізика і хімія твердого тіла, т.14, №1, с.40-45 (2013)

• Порівняльний аналіз магнітних характеристик та протипухлинного ефекту нанокомплексів з наночастинок оксидів заліза та доксорубіцину при радіочастотній гіпертермії карциносаркоми Уокер

  В.Е. Орел, А.Д. Шевченко, І.І. Дзятковська, М.О. Ніколов, А.В. Романов, А.Ю. Рихальський, А.П. Бурлака, С.М. Лукін, Н.М. Дзятковська, І.Б. Щепотін // Доповіді Національної Академії Наук України, №2, с.177-183 (2013)

• Редоксзалежні механізми взаємодії пухлини з кістковим мозком

  А.П. Бурлака, І.І. Ганусевич, С.М. Лукін, Є.П. Сидорчик // Онкологія, т.15, №3(57), с.197-203 (2013)

• Рекомбінаційні характеристики пластин монокристалічного кремнію з поверхневим порушеним шаром

  А.В. Саченко, В.П. Костильов, В.Г. Литовченко, В.Г. Попов, Б.Н. Романюк, В.В. Черненко, В.М. Насека, Т.В. Слюсар, С.І. Кирилова, Ф.Ф. Комаров // УФЖ, т.58, №2, с.142-150 (2013)

• О возможности получения наноструктур с фуллеренами без деформации изгиба

  Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба, В.В. Шинкаренко // Углеродные наночастицы в конденсированных средах. Сборник научных статей, Минск, с.227-233 (2013)

• Радиационные дефекты в отожженном карбонатсодержащем гидроксилапатите

  И.П. Ворона С.С. Ищенко, Н.П. Баран, В.В. Носенко, И.В. Затовский, А.И. Малышенко, В.Ю. Поварчук // ФТТ, т.55, №12, с.2417-2422 (2013)

• Електромагнітні хвилі в одновісних напівпровідниках та структурах на їх основі в магнітному полі

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Матеріали міжнародної наукової конференції «Актуальні проблеми методології та методики навчання фізико-математичних дисциплін», Київ, Україна, 18-19 січня 2013р., с.17-19 (2013)

• Дослідження магнітних властивостей карциноми легені Льюїс і протипухлинного магнітного нанокомплексу

  В.Е. Орел, А.Д. Шевченко, А.В. Романов, А.П. Бурлака, С.М. Лукін, Є.Ф. Венгер, І.Б. Щепотін // Променева діагностика, променева терапія, №2-3, c.103-106 (2012)

• Супероксид-залежна регуляція матриксних металопротеїназ і ендотеліального фактору росту в пухлинах та судинах аденокарциноми молочної залози

  А.П. Бурлака, І.І. Ганусевіч, І.О. Лісяк, С.М. Лукін, Є.П. Сидорик // Онкология, т.12, №3(53), с.192-196 (2012)

• Протекторний вплив комплексу попередників і модуляторів біосинтезу убіхінону на дихальний ланцюг мітохондрій клітин органів при введенні доксорубіціну

  А.П. Бурлака, О.Б. Кучменко, І.І. Ганусевіч, С.М. Лукін, Є.П. Сидорик, Д.М. Пєтухов, Г.В. Донченко // Онкология, т.13, №4(50), с.300-303 (2011)

• Визначення густини твердих тіл методом «зависання»

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, І.І. Тищенко // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, с.54-58 (2012)

• Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге

  Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №47, с.77-83 (2012)

• Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике

  А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Е.Ф. Венгер, Е.Г. Волков, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, Г.В. Миленин, В.А. Пилипенко, Р.А. Редько, А.В. Саченко // под общей редакцией чл.-к. НАНУ д.ф.-м.н., проф. А.Е. Беляева и д.т.н., проф. Р.В. Конаковой, Харьков, ИСМА, 384с. (24), 300экз., ISBN978-966-5443-5 (2011)

• Основи теоретичної фізики

  Є.Ф. Венгер, В.М. Грибань, О.В. Мельничук // Київ. Вища шк., 432 с. (22,68), 500 екз., ISBN 978-966-642-444-3) (Гриф МОН У, лист №1/11-8966 від 27.09.2010 р.) (2011)

• Механіка. Лабораторний практикум. Навчальний посібник

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Ніжин. Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 250 с. (10,4), 300 екз., ISBN 978-617-527-027-1 (Гриф МОН МС У, лист № 1/11-7253 від 04.08.2011 р.) (2011)

• Лабораторний практикум з молекулярної фізики та основ термодинаміки. Навчальний посібник

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Ніжин. Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 260с. (10,6), 300екз., ISBN 978-617-527-227-11) (Гриф МОН МС У, лист № 1/11-5585 від 04.07.2011 р.) (2011)

• Дослідження сингулярних поверхневих поляритонів у оксиді берилію

  Є.Ф. Венгер, М.С. Губерт, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М.Гоголя, c.69-74 (2011)

• Механомагнітохімічний синтез протипухлинних нанокомпозитів

  В.І. Зубчук, Є.І. Крючков, В.Е. Орел, О.Ю. Рихальскій, А.Д. Шевченко, А.П. Бурлака, С.М. Лукін // Биомедицинская инженерия, №1, с.16-23 (2011)

• Дослідження впливу радіочастотної гіпертермії та магніточутливого нанокомплексу на карциному легені Льюїс

  В.Е. Орел, А.Д. Шевченко, Н.М. Дзятковська, М.О. Ніколов, А.В. Романов, А.П. Бурлака, С.М. Лукін, І.Б. Щепотін // Променева діагностика. Променева терапія, т.4, №3, с.31-34 (2011)

• Латеральная фотоэдс в неоднородном контакте Шоттки

  Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №46, с.88-94 (2011)

• Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.46, с.43-48 (2011)

• Особенности конденсации пленок, полученных термическим осаждением фуллеренов в вакууме

  П.Л. Нелюба // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №6, с.31-35 (2011)

• Корреляция структуры, состава и оптических свойств фуллереносодержащих гетеросистем при разных условиях их изготовления

  Е.Ю. Колядина, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах. Сборник научных статей, Минск, Изд. центр БГУ, с.371-376 (2011)

• Концепція мобільного лабораторного комплексу загального контролю й оцінювання наслідків радіаційних аварій

  О.Б. Сіднєв, Є.Ф. Венгер, В.Л. Сидоренко, С.А. Єременко // Матеріали 13-ї Всеукраїнської науково-практичної конференції рятувальників (Х Міжнародний виставковий форум «Технології захисту – 2011»), Україна, Київ, 20-21 вересня 2011, с.403-407 (2011)

• Дозиметрія радіаційного контролю в медичній рентгенодіагностиці

  О.Б. Сіднєв // Гігієна населених місць. Збірник наукових праць МОЗ та АМН України, вип.55, с.250-260 (2010)

• Дослідження впливу механо- та магнетохімічно синтезованого магніточутливого комплексу на основі наночасток оксиду заліза і доксорубіцину та електромагнітного опромінення на тварин з карциномою Герена

  В.Е. Орел, Б.О. Мовчан, І.Б. Щепотін, І.І. Дзятковська, М.О. Ніколов, А.В. Романов, Ю.Г. Мельник, Н.М. Дзятковська, А.П. Бурлака, С.М. Лукін // Доповіді НАН України, №8, с.208-212 (2010)

• Мініатюрні кремнієві діодні та германієві резистивні термометри для вимірювання низьких температур

  Є.Ф.Венгер, А.С.Зенкін, Н.Л.Козелло, Б.П.Колодич, Н.М.Криницька, О.С.Кулик, В.Ф.Мітін, І.Ю.Неміш, В.В.Холевчук // Фізика і хімія твердого тіла, т.11, №2, с.499-505 (2010)

• Латеральная фотоэдс в контакте Шоттки

  Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №45, с.100-108 (2010)

• Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники

  Р.В.Конакова, Е.Ю.Колядина, Л.А.Матвеева, П.Л.Нелюба, В.В.Шинкаренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №5, с.8-13 (2010)

• Основи електродинаміки та спеціальної теорії відносності

  Є.Ф. Венгер, В.М. Грибань, О.В. Мельничук // Київ: Вища школа, 352 с., (1,48 у.а.), Тираж 600 пр., ISBN: 978-966-642-313-2 (2009)

• Плівки германію на арсеніді галію: структурні, електронні та оптичні властивості

  Є.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Л.О. Матвеєва, І.М. Матіюк, В.Ф. Мітін, Є.В. Мітін, В.А. Одарич, О.В. Руденко, М.П. Семенько, М.В. Хименко, В.В. Холевчук // Фізика і хімія твердого тіла, т.1, №2, с.721-785 (2009)

• Термічно індуковані зміни карбонатної структури біологічного гідроксилапатиту, досліджені методами ЕПР та ПЕЯР

  С.С. Іщенко, І.П. Ворона, М.П. Баран, С.М. Окулов, В.В. Рудько // УФЖ, т.54, №3, с.231-237 (2009)

• Керована трансформація фізичних характеристик традиційних об’ємних напівпровідників, зумовлена зниженням симетрії (Огляди)

  С.Г. Гасан-заде, М.В. Стріха, Г.А. Шепельський // УФЖ, т.5, №1, с.3-33 (2009)

• Дослідження монокристалів оксиду берилію методами спектроскопії порушеного повного внутрішнього відбивання

  Є.Ф.Венгер, А.І.Євтушенко, Л.Ю.Мельничук, О.В.Мельничук // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М.Гоголя, с.15-23 (2009)

• Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния

  Д.В. Савченко, С.Н. Лукин, Б.Д. Шанина, Е.Н. Калабухова // ФТТ, т.51, вып.4, с.692-699 (2009)

• Квантово-размерный эффект в микрорельефных наносистемах с собственным оксидом

  Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Матеріали XII Міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок та наносистем», Україна, Івано-Франківськ, 18-23 травня 2009, т.1, с.32-34 (2009)

• Биокерамика на основе диоксида циркония нового поколения

  В.В. Лашнева, А.В. Шевченко, Е.В. Дудник, Л.А. Матвеева, О.С. Литвин // Матеріали XII Міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок та наносистем» МКФТТПН-XII, Україна, Івано-Франківськ, 18-23 травня 2009, т.2, с. 215-217 (2009)

• Модификация полупроводниковых структур γ-облучением

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба, В.В. Лашнева // Труды XIX Международного совещания «Радиационная физика твердого тела», Украина, Севастополь, 31 августа - 5 сентября 2009, с.366-374 (2009)

• Зниження симетрії кристалів як спосіб отримання нових фізичних характеристик об’ємних напівпровідників

  С.Г. Гасан-заде, М.В. Стріха, Г.А. Шепельський // Матеріали ХІІ Міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок та наносистем», Івано-Франківськ, Україна, 18-23 травня 2009, т.1, с.97-99 (2009)

• Методология обучения общей физики с использованием виртуального физического эксперимента

  Е.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, А.В. Мельничук // Материалы ІII Международной научно-практической конференции “Единое образовательное пространство славянских государств в ХХI веке: проблемы и перспективы”, 2-3 апреля 2009, Россия, Брянск, т.2, с.140-144 (2009)

• Вплив освітлення на розкладення води на кремнієвих електродах, імплантованих домішками алюмінію і титану

  В.Є. Примаченко, Ю.М. Педченко, Д.В. Гамов, Г.В. Калистий, В.В. Федулов, В.А. Чернобай // Український фізичний журнал, т.53, №2, c.134-139 (2008)

• Роль вольфраму у струмоутворенні при каталітичному розкладанні води

  В.Є. Примаченко, Г.Г. Бабічев, В.А. Чернобай, Є.Ф. Венгер // Український фізичний журнал, т.53, №6, c.536-541 (2008)

• Контроль встроенного электрического поля в полупроводниковых наноструктурах

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Материалы шестнадцатой международной конференции „Современные методы и средства неразрушающего контроля и технической диагностики”, Украина, Ялта, 1-5 октября 2008, c.32-35 (2008)

• Диагностика низкоразмерных систем с поверхностным квантованием энергии носителей заряда

  Е.Ф.Венгер, Л.А.Матвеева, П.Л.Нелюба, А.П.Клименко // VI Научно-практическая конференция «Организация неразрушающего контроля качества продукции в промышленности», Турция, Таба, 18-25 апреля 2008 г, с.24-27 (2008)

• Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение

  Е.Ф. Венгер, А.В. Мельничук, А.В. Стронский // Национальная академия наук Украины, институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева, Киев: Академпериодика, 282 с., ил., ISBN 978-966-360-079-6 (2007)

• Фізико-технічна творчість учнів. Навчальний посібник

  М.П. Бойко, Є.Ф. Венгер, О.В. Мельничук // К.: Вища шк., 262 с. іл., (13,86), 1000прим., ISBN 978-966-642-311-8 (2007)

• Радіаційно-індукований спектр ЕПР у вихідних та термічно відпалених порошках зубної емалі

  М.П. Баран, І.П. Ворона, С.С. Іщенко, В.В. Рудько // УФЖ, т.52, №7, с.681-684 (2007)

• ЕПР радіаційних центрів в кристалогідраті дитіонату барію

  М.П. Баран, М.О. Мазін, В.М. Максименко // УФЖ, т.52, №7, с.676-680 (2007)

• Електронні властивості легованого паладієм кремнію і розклад води на його основі без зовнішнього електричного поля

  В.Є. Примаченко, Б.М. Булах, С.І. Кирилова, В.А. Чернобай, Є.Ф. Венгер // УФЖ, т.51, №3, с.237-244 (2007)

• Електровідбивання світла в фізиці і технології тонких плівок

  Л.О. Матвеєва // Матеріали ХІ Міжнародної конференції МКФТТН-ХІ "Фізика і технологія тонких плівок та наносистем", Україна, Івано-Франківськ, 7-12 травня 2007, т.1, с.35-37 (2007)

• Фізико-технічна творчість школярів. Навчальний посібник

  М.П. Бойко, Є.Ф. Венгер, О.В. Мельничук // Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 123с. (2005)

• Фізико-технічна творчість учнів. Навчальний посібник

  М.П. Бойко, Є.Ф. Венгер, О.В. Мельничук // Київ: Видавництво „Вища школа”, 254с. (2005)

• Практикум із розв’язування прикладних задач цивільної оборони: Навчальний посібник

  О.В. Мельничук, Л.М. Кнорозок, М.П. Руденко, О.Г. Шевчук // Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 212с. (2005)

• Электрофизические свойства пористого кремния, модифицированного нанокристаллами золота

  В.Е. Примаченко, Я.Ф. Кононец, Б.М. Булах, Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.А. Чернобай // Збірник „Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології”, т.3, вип.5, с.399-412 (2005)

• Поверхня структур макропористого кремнію

  Р.Ю. Голіней, О.І. Дандур’янц, Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, Л.О. Матвеєва, В.Ф. Онищенко, О.Й. Сторонська // Вісник Житомирського державного технічного університету. Технічні науки, №2 (33), с.47-53 (2005)

• Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом

  В.Е. Примаченко, Я.Ф. Кононец, Б.М. Булах, Е.Ф. Венгер, Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, Ю.А. Циркунов, В.А. Чернобай // Физика и техника полупроводников, т.39, №5, с.595-601 (2005)

• Исследование электронных свойств границы раздела нанокристаллического (пористого) кремния / монокремний

  В.Е. Примаченко, Б.М. Булах, Е.Ф. Венгер, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, В.А. Чернобай // Труды Международной научно-технической конференции "Информационные технологии в науке, технике и образовании", Москва, Россия, т.З, с.25-41 (2005)

• Особливості ефекту електровідбивання світла та електронні процеси в світловипромінюючих кремнієвих наносистемах

  Л.О. Матвеєва // Матеріали Х міжнародної конференції „Фізика і технологія тонких плівок”, Івано-Франківськ, Україна, т.1, с.63-65 (2005)

• Вбудоване електричне поле та локальні центри на поверхні структур макропоруватого кремнію

  О.Й. Сторонська, Л.А. Карачевцева, Л.О. Матвеєва, Р.Ю. Голіней, О.І. Дандур’янц, О.О. Литвиненко, В.Ф. Онищенко // Матеріали Х міжнародної конференції „Фізика і технологія тонких плівок”, Івано-Франківськ, Україна, т.1, с.99-100 (2005)

• Основи статистичної фізики і термодинаміки

  Є.Ф. Венгер, В.М. Грибань, О.В. Мельничук // Київ: Вища школа, 255с. (2004)

• Фізика на основі експерименту. Лабораторний практикум. Навчальний посібник для студентів природничо-географічного факультету спеціальності “Біологія і хімія”

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Ніжин, видавництво НДПУ ім. М. Гоголя, 179с. (2004)

• Электрофизические свойства границ раздела пленка нанокристаллического кремния / монокремний

  В.Е. Примаченко, Б.М. Булах, Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №39, с.26-32 (2004)

• Спектральна залежність фотоелектромагнітного ефекту в кристалах КРТ

  С.Г. Гасан-заде, С.В. Старий, M.B. Cтpixa, Г.А. Шепельський // Доповіді НАН України, №8, с.88-93 (2004)

• Влияние примеси золота на фотолюминесценцию и фотоэдс пористого кремния

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, И.М. Кизяк, И.М. Манойлов, В.Е. Примаченко // Физика и техника полупроводников, т.38, №1 с.117-123 (2004)

• Диагностика углеродных наноматериалов оптическими методами

  Э.М. Шпилевский, Л.А. Матвеева // Материалы Двенадцатой ежегодной международной конференции «Современные методы и средства неразрушающего контроля и технической диагностики», 20-24 сентября, 2004г., Ялта, Украина, с.80-81 (2004)

• Диагностика упроуго-пластической деформации в полупроводниковых гетеросистемах

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, Е.Ю. Колядина, А.П. Клименко // Материалы Двенадцатой ежегодной международной конференции «Современные методы и средства неразрушающего контроля и технической диагностики», 20-24 сентября, 2004г., Ялта, Украина, с.14-15 (2004)

• Внутренние механические напряжения и механические свойства фуллеритовых и металлфуллеритовых плёнок

  Л.А. Матвеева, П.М. Литвин, Е.Ю. Колядина, С.Н. Дуб, Э.М. Шпилевский // Материалы ІІІ Международного симпозиума «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах», 22-25 июня 2004г., Минск, Беларусь, с.101-102 (2004)

• Трансформация структуры ближнего порядка фуллеритовых плёнок при гамма-облучении

  Л.А. Матвеева, В.А. Юхимчук, В.И. Хиврич, Э.М. Шпилевский // Материалы ІІІ Международного симпозиума «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах», 22-25 июня 2004г., Минск, Беларусь, с.103-104 (2004)

• Автоматизированная диагностика полупроводниковых и фуллеренсодержащих гетеросистем спектроскопическими методами

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, А.П. Клименко, Э.М. Шпилевский // Вторая научно-практическая конференция «Современные аспекты организации неразрушающего контроля качества продукции на промышленном предприятии», 1-8 мая 2004г., г.Сиде, Турция, с.26-27 (2004)

• Влияние высокотемпературного отжига и ультрафиолетового облучения на капиллярные и механические свойства наноструктурных покрытий диоксида титана

  Л.Ю. Островская, В.М. Перевертайло, С.Н. Дуб, Л.А. Матвеева, П. Милани, И.Н. Холманов, Р.С. Шмегера // Труды третьей международной конференции «Материалы и покрытия в экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые технологии производства и утилизации изделий», 13-17 сентября 2004г., Кацивели-Понизовка, Украина, с.386-387 (2004)

• Свойства титан-фуллереновых покрытий

  М.Э. Шпилевский, Э.М. Шпилевский, Л.А. Матвеева // Труды третьей международной конференции «Материалы и покрытия в экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые технологии производства и утилизации изделий», 13-17 сентября 2004г., Кацивели-Понизовка, Украина, с.445- 446 (2004)

• Влияние водородной плазмы на спектр электроотражения и спектр электронных состояний пористого кремния

  Е.Ф. Венгер, Р.Ю. Голиней, Л.А. Матвеева // Физика и техника полупроводников, т.37, вып.1, с.104-109 (2003)

• Влияние СВЧ излучения на структуру, фотолюминесцентные и электронные свойства нанокристаллических кремниевых пленок

  Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, Р.В. Конакова, О.С. Литвин, П.М. Литвин, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, И.В. Прокопенко // Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics, v.6, №4, с.402-418 (2003)

• Влияние сверхвысокочастотного излучения на фотоэлектронные свойства систем нанокристаллический кремний / кремний

  Е.Ф. Венгер, В.Е. Примаченко, Э.Б. Каганович С.И. Кириллова, С.В. Свечников, Р.В. Конакова, Э.Г. Манойлов, И.М. Кизяк // в сб. «Моделирование и исследование сложных систем», Москва, МГАПИ, с.27-40 (2003)

• Поляризационно-модуляционная спектроскопия линейного дихроизма в одноосно деформированных кристаллах кремния

  Е.Ф. Венгер, И.Е. Матяш, Б.К. Сердега // Оптика и спектроскопия, т.94, №1, с.38-42 (2003)

• Електровідбивання і енергетичний спектр кристалів, сплавів і тонких плівок твердих розчинів германій-кремній

  Є.Ф. Венгер, П.О. Генцарь, Л.А. Матвеєва, А.П. Клименко // Матеріали ІХ Міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок», т.2, с.143-144 (2003)

• Формирование потенциального барьера в контактах Шоттки при термическом отжиге

  Л.В. Шеховцов, В.Б. Попов, И. Готовы // Сб. докладов 15-го Международного симпозиума “Тонкие пленки в оптике и электронике”, 22-27 апреля 2003г., Харьков, Украина, с.125-127 (2003)

• Исследование механизмов генерации латеральной фотоэдс в гетеросистеме металл-полупроводник

  Л.В. Шеховцов, В.Б. Попов, И. Готовы // Сб. докладов 15-го Международного симпозиума “Тонкие пленки в оптике и электронике”, 22 - 27 апреля 2003г., Харьков, Украина, с.128-130 (2003)

• Вплив надвисокочастотного електромагнітного випромінювання на фотолюмінесцентні і електронні властивості систем нанокристалічний кремній-кремній

  Є.Ф. Венгер, Е.Б. Каганович, С.І. Кирилова, Е.Г. Манойлов, В.Є. Примаченко, Р.В. Конакова, С.В. Свєчніков, І.Р. Базилюк, І.М. Кізяк // Український фізичний журнал, т.47, №12, c.1139-1145 (2002)

• Влияние примеси золота на фотоэлектронные свойства структур нанокристаллический кремний / кремний

  С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко Э.Г. Манойлов, И.Р. Базылюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.37. c.165-172 (2002)

• Изменение свойств системы пористый кремний/кремний при постоянном стравливании слоя пористого кремния

  Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Физика и техника полупроводников, т.36, №3, с.349-354 (2002)

• Легированный переходной слой в области пространственного заряда контакта Шоттки

  Л.В. Шеховцов // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.5, №4, p.403-405 (2002)

• Повышение квантового выхода инфракрасного излучения в узкощелевых полупроводниках в упруго-напряженном состоянии

  С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, С.В. Старый, Г.А. Шепельский, В.А. Бойко // Физика и техника полупроводников, т.36, вып.4, с.426-432 (2002)

• Фотолюминесценция и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом

  Е.Ф. Венгер, Е.Б. Каганович, С.И. Кирилова, Е.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, И.М. Кизяк // Физка и техника полупроводников, т.36, №9, с.1105-1110 (2002)

• Релаксация внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная микроволновой обработкой

  Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, П.М. Литвин О.С. Литвин, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич // Письма в ЖТФ, т.28, №4, с.57-64 (2002)

• К вопросу о толщине легированного переходного слоя у границы раздела пленки металла и полупроводника

  Л.В. Шеховцов // Сборник докладов 14-го Международного симпозиума “Тонкие пленки в оптике и электронике”, Харьковская научная ассамблея, 22 - 27 апреля, Харьков, Украина, с.140-142 (2002)

• Титанфулереновые покрытия для эндопротезов

  М.Э. Шпилевский, Э.М. Шпилевский, В.Ф. Стельмах, Л.А. Матвеева // Сборник научных трудов «Фуллерены и фуллеренсодержащие материалы», Минск, Беларусь, с.107-117 (2002)

• Упруго-напряженные состояния в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения в условиях междузонной ударной рекомбинации

  С.Г. Гасан-заде, С.В. Старый, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский, В.А. Бойко // Письма ЖЭТФ, т.73, №9, с.561-564 (2001)

• Электронные свойства покрытой полистиролом поверхности германия

  Е.Ф. Венгер, Л.В. Завьялова, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай, С.В. Свечников, И.А. Спичак // Поверхность, №6 с.85-88 (2001)

• Эффект старения граничных электронных свойств кремния в гетеропереходах нано-/монокремний

  Е.Ф. Венгер, Э.Б.Каганович, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №36, с.47-54 (2001)

• Дослідження електронної структури поруватого кремнію методом електровідбивання

  Є.Ф. Венгер, Р.Ю. Голіней, Л.О. Матвеєва // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.36, с.195-207 (2001)

• Диэлектрический отклик кристалла с приповерхностным нарушенным слоем в области продольно-поперечного расщепления

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, С.Н. Завадский // Физика твердого тела, т.43, вып.6, с.1135-1138 (2001)

• Титанфуллереновые покрытия для эндопротезов

  Э.М. Шпилевский, М.Э. Шпилевский, В.Ф. Стельмах, Л.А. Матвеева // в кн. Фуллерены и фуллереноподобные структуры, Минск: БГУ, с.164-172 (2001)

• Релаксация внутренних механических напряжений в тонкопленочных арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная СВЧ излучением

  Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, А.Е. Рентгевич, Е.А. Соловьев // Сб. докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, Украина, с.313-316 (2001)

• Релаксация внутренних механических напряжений в тонкопленочных арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная СВЧ излучением

  Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, А.Е. Рентгевич, Е.А. Соловьев // Сб. докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, Украина, с.313-316 (2001)

• Эффекты в полупроводниковых структурах, стимулированные мощным электромагнитным излучением

  Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Р.В. Конакова, Е.Ю. Колядина, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, Е. Атанасова // Труды 4ой Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом», Минск, Беларусь, с.114-116 (2001)

• Релаксация внутренних механических напряжений в полупроводниковых структурах, стимулированная возбуждением электронной подсистемы

  Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, А.Е. Рентгевич, Е.А. Соловьев // Труды XI Международного совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, Украина, с.170-175 (2001)

• Закономерности температурного поведения донорных состояний в карбиде кремния

  Е.Н. Калабухова // Радиоспектроскопия конденсированных сред (коллективная моногр.), ч. II, Киев, Наукова думка, с.157-176 (2000)

• Дослідження фоточутливих структур поруватий кремній / кремній методом температурних залежностей фото-ерс

  Б.М. Булах, Є.Ф. Венгер, Е.Б. Каганович, С.І. Кирилова, Е.Г. Манойлов, В.Є. Примаченко, С.В. Свєчников // Український фізичний журнал, т.45, №9, с.1083-1086 (2000)

• Радиационно-стойкие бесподложечные пленки германия и кремния для экспериментов ядерной физики

  Л.А. Матвеева, А.В. Васин, Г.Н. Козерацкая, Ю.И. Тоцкий // Письма в ЖТФ, т.26, вып.17, с.11-17 (2000)

• Крайние геометрии и диэлектрический тензор сверхрешеток

  А.В. Гончаренко // Письма в ЖТФ, т.26, №14, с.7-12 (2000)

• Корреляция оптических свойств а-с:H пленок в области края собственного поглощения и параметров графитоподобных кластеров

  А.В. Васин, Л.А. Матвеева // Материалы международной конференции «Фуллерены и углеродные кластеры», Минск, Республика Беларусь, с.121-131 (2000)

• Радиационно-стимулированные эффекты на границе раздела полупроводниковых гетеросистем

  Л.А. Матвеева, А.И. Марченко // Труды XIV Международной конференции пофизике радиационных явлений и радиационному материаловедению, Алушта, Украина, с.325-326 (2000)

• Влияние внешних воздействий, СВЧ и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристаллах

  Е.Ф. Венгер, И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, Р.В. Конакова, Г.Е. Чайка // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение вып.3 (75), с.60-73 (1999)

• Особенности формирования и термическая стабильность контактов, образованных боридами и нитридами титана с арсенидом галлия

  Е.Ф. Венгер, В.В. Миленин, И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.Н. Иванов, Д.И. Войциховский // ФТП, т.33, №8, c.948-953 (1999)

• Численное моделирование влияния толщины покровного слоя и адсорбции молекул на угол распространения в планарном поляризационном интерферометре

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, С.Н. Завадский, Б.А. Снопок, Ю.В. Ушенин, Ю.М. Ширшов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.34, с.142-148 (1999)

• Спектроскопия электроотражения, зонная структура и механизм видимой фотолюминесценции анизотропно травленного кремния

  Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, С.В. Свечников // Журнал экспериментальной и теоретической физики, т.111, вып.5(11), c.1-12 (1999)

• Анализ края фундаментального поглощения в пленках аморфного гидрогенизированного углерода

  А.В. Васин, Л.А. Матвеева, А.М. Куцай // Письма в ЖТФ, т.25, вып.24, с.83-87 (1999)

• Анализ ближнего порядка в углеродных перезарядных пленках методом комбинационного рассеяния света

  А.В. Васин, Л.А. Матвеева, Г.Н. Козерацкая, Ю.И. Тоцкий // Труды XII Международной конференции по электростатическим ускорителям, Обнинск, с.253-255 (1999)

• Наноструктура и радиационная стойкость углеродных перезарядных пленок

  А.В. Васин, В.Г. Высоцкий, Л.А. Матвеева // Письма в журнал технической физики, т.24, №15, с.79-83 (1998)

• Ионно-стимулированное осаждение аморфных углеродных покрытий

  А.В. Васин, О.В. Васылык, Л.А. Матвеева // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение», вып.1/2, с.132-134 (1998)

• Исследование термоупругого двулучепреломления в твердых телах с применением модуляции поляризации

  Е.Ф. Венгер, Е.В. Никитенко, Б.К. Сердега // Полупроводниковая техника и микрэлектроника, вып.33, с.46-52 (1998)

• Диэлектрическая проницаемость многофазной гетеросистемы

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, Н.Л. Дмитрук, В.Р. Романюк // Оптика и спектроскопия, т.84, №2, с.274-279 (1998)

• Радиационно-стимулированное изменение структуры пленок аморфного углерода

  А.В. Васин, О.В. Васылык, Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, Г.Н. Козерацкая, Ю.И. Тоцкий // Вопросы атомной науки и техники, сер.”Ядерно-физические исследования”, вып.2/3, с.176-178 (1997)

• Структурна досконалість і електронні параметри сульфідованої поверхні арсеніду галію

  Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, І.М. Матіюк, О.М. Міщук // Фізика і хімія твердого тіла, т.7, №3, с.461-467 (2006)

• Деформационные эффекты в микроволновых диодах с микроплазмами

  Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції «Структурна релаксація у твердих тілах», 23-25 травня, Вінниця, Україна, с.223-225 (2006)

• Процессы структурной релаксации в полимер-фуллереновых солнечных элементах

  Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, Е.Ю. Колядина, П.Л. Нелюба, В.В. Шинкаренко, О.Н. Иванюта, С.А. Невмержицький, L. Weber, U. Ritter, P. Scharff // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції «Структурна релаксація у твердих тілах», 23-25 травня, Вінниця, Україна, с.230-232 (2006)

• Контроль качества кремниевых наноструктур методом электроотражения

  Е.Ф. Венгер, Р.Ю. Голиней, Л.А. Матвеева, А.П. Клименко // Материалы Четвёртой научно-практической конференции «Организация неразрушающего контроля качества продукции в промышленности», 7-14 мая, Кемер, Турция, с.32-33 (2006)

• Управление свойствами кремния с помощью облучения высокоэнергетическими частицами

  А.А. Гроза, П.Г. Литовченко, Л.А. Матвеева, М.И. Старчик, В.И. Варнина, Р.Ю. Голиней, Г.Г. Шматко // Материалы Третьей Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», 21-24 ноября, Черноголовка, Россия, с.98-100 (2006)

• Фрактальная структура спектров многослойных диэлектрических покрытий

  Е.Ф. Венгер, С.Н. Завадский, С.Г. Розуван, Е.А. Тихонов // Оптика и спектроскопия, т.80, №2, с.248-250 (1996)

• Электронные свойства микрорельефной реальной и сульфидированной поверхности арсенида галлия

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.31, с.3-11 (1996)

• О системе быстрых поверхностных электронных состояний на реальной поверхности германия

  С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // ФТП, т.30, №1, с.118-127 (1996)

• Оптика тонких германиевых пленок

  Л.А. Матвеева // в кн. Тонкие пленки в электронике, Москва-Киев-Херсон, т.1, с.126-129 (1995)

• Поляризационно-зависимая фотопроводимость в одноосно деформированных узкощелевых полупроводниках

  Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.29, вып.4, с.708-713 (1995)

• Температурная зависимость поверхностного потенциала на текстурированной поверхности кремния

  С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, А.А. Серба, Л.П. Тарасенко, В.А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.27, с.29-35 (1994)

• Электронные свойства сульфидированной поверхности арсенида галлия

  С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Поверхность. Физика, химия, механика, №12, с.80-87 (1994)

• Расщепление пиков в спектрах электроотражения гетеросистемы полупроводник-собственный оксид

  Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, С.В. Свечников // Письма в ЖТФ, т.20, вып.7, с.60-64 (1994)

• Влияние модифицированной поверхности на оптические свойства малых диэлектрических частиц

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, С.Н. Завадский // Оптика и спектроскопия, т.77, №2, с.374-377 (1994)

• Чувствительность метода эллипсометрии в условиях возбуждения поверхностных поляритонов

  И.И. Буршта, Е.Ф. Венгер, С.Н. Завадский // Журнал технической физики, т.64, №10, с.191-193 (1994)

• Спектры отражения от периодических металло-диэлектрических покрытий в условиях возбуждения поверхностных волн

  Е.Ф. Венгер, С.Н. Завадский, С.Г. Розуван, Е.А. Тихонов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.28, с.62-65 (1994)

• Стабилизация электронных свойств поверхности германия собственным оксидом

  Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, С.В. Свєчников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.28, с.24-28 (1994)

• Обробка поверхні германій-літієвих детекторів ядерного випромінювання

  С.І. Кирилова, Є.Є. Петросян, В.Є. Примаченко, Н.Н. Пащук, В.А. Чорнобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.25, с.37-41 (1993)

• Микросенсоры физических величин на основе плёнок германия на арсениде галлия

  В.Ф. Митин, Ю.А. Тхорик // Петербургский журнал электроники, №3, с.48-51 (1993)

• Сравнительная оценка методов спектроскопии отражения и поверхностных поляритонов при определении частоты собственных колебаний полупроводниковой плазмы

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, А.В. Мельничук, Ю.А. Пасечник // Журнал прикладной спектроскопии, т.56, №3, с.461-466 (1992)

• Дослідження іонно-компенсованих приповерхневих шарів напівпровідника оптичними методами

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, Н.А. Дмитрук, А.Д. Прокофьев, М.Ю. Плюсова, Н.А. Фидря // Український фізичний журнал, т.37, №5, с.788-796 (1992)

• Волноводные плазмон-поляритоны в пленках антимонида индия

  И.И. Буршта, Е.Ф. Венгер, А.В. Мельничук, Ю.А. Пасечник // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.24, с.16-21 (1992)

• Уравнение дисперсии поверхностных поляритонов в тонкой пленке

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, С.Н. Завадский // Письма в ЖТФ, т.18, вып.15, с.64-69 (1992)

• Исследование приповерхностных нарушенных слоев в кристаллах арсенида галлия

  И.А. Мазарчук, Л.А. Матвеева, В.Д. Нечипорук, П.В. Свиридов, В.В. Стрельчук // Поверхность. Физика, химия, механика, №2, с.73-77 (1992)

• Діагностика механічних напружень в напівпровідникових гетеросистемах

  Л.О. Матвєєва // в кн.: Фізика і технологія тонких плівок складних напівпровідників, Ужгород, с.44-47 (1992)

• ЭПР донорных состояний азота в карбиде кремния

  Е.Н. Калабухова, С.Н. Лукин, Б.Д. Шанина // в кн: Радиоспектроскопия твердого тела, Киев, Наукова думка, с.495-526 (1992)

• Аномалии диффузии в полупроводниках

  Ю.А. Тхорик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.19, с.22-27 (1991)

• Стимулированные ультразвуком структурные изменения в напряженных гетеросистемах

  В.Ф. Бритун, Н.Я. Горидько, В.Л. Корчная, Г.Н. Семенова, М.Я. Скороход, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан, М.К. Шейнкман // Физика твердого тела, т.33, №8, с.2340-2344 (1991)

• Полупроводниковые микрорельефные гетеросистемы: механизм формирования и структура границы раздела

  Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, П.В. Свиридов, В.Г. Чалая // Электронная техника, сер. Материалы, 1991, вып.5, с.123-128 (1991)

• Электроотражение в электронике

  Л.А. Матвеева, П.В. Свиридов // Труды межд. конф. «Микроэлектроника-90», т.1, с.230-232 (1990)

• Изменение механизма рекомбинации в узкощелевых полупроводниках при одноосном сжатии

  Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // Письма в ЖЭТФ, т.50, №6, с.287-290 (1989)

• Сильно легированные и сильно компенсированные гетероэпитаксиальные пленки германия

  Н.П. Гарбар, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, Ю.А. Тхорик, Р. Харман, Ю.М. Шварц, З. Шроубек // Физика и техника полупроводников, т.21, вып.3, с.57-68 (1987)

• Метод определения пластически деформированного слоя в гетероэпитаксиальных системах

  Л.А. Матвеева, Г.Н. Семенова // Физика и химия обработки материалов, №5, с.111-114 (1985)

• Инверсия проводимости и аномально высокая подвижность дырок в бесщелевом полупроводнике при одноосной деформации

  Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский // Письма ЖЭТФ, т.41, №3, с.100-102 (1985)

• Эпитаксия германия на арсениде галлия при термическом испарении германия в вакууме

  А.П. Клименко, В.П. Клочков, Л.А. Матвеева, Н.Н. Солдатенко, Н.М. Торчун, Ю.Тхорик // в кн.: Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников, Новосибирск, Наука, ч.1, с.478-482 (1968)

• Фотопроводимость антимонида индия при магнитном вымораживании электронов

  С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.18, №12, с.2231-2233 (1984)

• Фотопроводимость бесщелевого полупроводника при образовании энергетической щели

  С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Письма в ЖЭТФ, т.39, №12, с.553-556 (1984)

• Пластическая деформация и дислокации несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах

  Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан // Киев: Наукова думка, 304с. (1983)

• Использование лазерного излучения для стимулирования релаксации внутренних механических напряжений в гетеросистемах

  Ю.М. Власенко, Е.З. Грибникова, Л.А. Матвеева, Г.Н. Семенова, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан // в кн.: Использование солнца и других источников лучистой энергии в материаловедении, Киев: Наукова думка, с.244-247 (1983)

• Радиационно стимулированная релексация внутренних механических напряжений в пленках германия на подложках арсенида галлия

  Е.Ю. Брайловский, Л.А. Матвеева, Г.Н. Семенова, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан // Вопросы атомной науки и техники. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, вып.4 (23), с.40-41 (1982)

• Квантовые осцилляции фотопроводимости в полупроводниках при разогреве электронов излучением

  С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.16, вып.9, с.1706-1709 (1982)

• Об измерении внутренних напряжений в эпитаксиальных слоях при наличии пластической деформации

  Л.С. Хазан, Ю.А. Тхорик, Л.А. Матвеева, Г.Н. Семенова, Е.З.Грибникова // Кристаллография, т.26, №4, с.888-891 (1981)

• О механических напряжениях и кривизне эпитаксиальных слоев

  Л.А. Матвеева, Г.Н. Семенова, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан // Электронная техника. Материалы, вып.3, с.57-59 (1980)

• О рекомбинационном разогреве носителей тока в фотоэлектрических эффектах

  С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // УФЖ, т.24, №6, с.882-884 (1979)

• Фотомагнитный эффект в квантовом пределе при разогреве электронов

  С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.12, вып.10, с.2045-2049 (1978)

• Механические и оптические свойства гетероэпитаксиальных пленок германия

  А.П. Клименко, Л.А. Матвеева, Н.Н. Солдатенков // в кн.: Получение и свойства тонких пленок, Изд. ОНТИ ИПМ АН УССР, вып.4, с.214-218 (1977)

• Влияние совершенства структуры и внутренних напряжений на спектры электроотражения кристаллических пленок германия

  А.П. Клименко, Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик, Т.Д. Хмелик // Электронная техника. Материалы, вып.2, с.79-87 (1977)

• Исследование влияния ионной имплантации на форму края поглощения пленок германия

  Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик // Радиационные эффекты в германии. Препринт КИЯИ-76-24, Киев, с.23-24 (1976)

• Спектры электроотражения эпитаксиальных пленок германия

  А.П. Клименко, Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик, Т.Д. Хмелик // Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков, II Респ. коллоквиум, Сухуми, с.138-143 (1975)

• Криостат для исследования отражения и пропускания на однолучевом инфракрасном спектрометре

  Р.И. Данилевич, Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик // Журнал прикладной спектроскопии, т.20, вып.2, с.335-337 (1974)

• Размытие края фундаментального поглощения как характеристика структуры пленок

  Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик // Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып.16, с.39-41 (1974)

• Полупроводниковые гетеропереходы

  А.П. Клименко, Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик // Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып.10, с.90-115 (1972)

• Исследование вакуумных конденсатов германия на изолирующих подложках

  А.П. Клименко, Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик, Н.С. Черная // Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып.7 с.41-47 (1972)

• Деформационное расщепление примесной полосы поглощения в пленках германия р-типа

  Л.А. Матвеева // Физика и техника полупроводников, т.5, вып.11, с.2207-2209 (1971)

• Полупроводниковые приборы с гетеропереходами

  А.П. Клименко, Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик // Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып.5, с.16-28 (1972)

• Исследование гетероэпитаксиальных пленок германия. ΙΙ. Структурные дефекты

  В.Н. Василевская, О.В. Григорьев, Л.И. Даценко, А.П. Клименко, В.П. Клочков, Н.Ф. Короткевич, Л.А. Матвеева, Н.Н. Солдатенко, Ю. Тхорик // Украинский физический журнал, 1970, №9, т.15, с.1543-1548 (1970)

• Исследование структурных дефектов в пленках германия на подложках арсенида галлия

  В.Н. Василевская, Л.И. Даценко, Л.А. Здебский, А.П. Клименко, Л.А. Матвеева, Н.Н. Солдатенко, Ю. Тхорик // в кн.: Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников, Новосибирск, Наука, ч.1, с.452-458 (1968)

• Фізико-хімічні характеристики магніточутливого нанокомплексу, одержаного з використанням механомагнетохемічної технології сухої синтези

  В.Е. Орел, Б.О. Мовчан, І.Б. Щепотін, І.І. Дзятковська, М.О. Ніколов, А.В. Романов, Ю.Г. Мельник, Н.М. Дзятковська, А.П. Бурлака, С.М. Лукін // Металлофизика и новейшие технологии, т.32, №9, с.1155-1166 (2010)

• Возможности дистанционной инфракрасной термографии в диагностике заболеваний молочных желез

  И.С. Ковальчук, В.И. Дунаевский, Е.Ф. Венгер, В.Й. Котовский, С.С. Назарчук // Український медичний часопис, №3, с.165-169 (2013)

• Заявка на патент "Спосіб визначення залишкових механічних напружень в багатодолинних напівпровідниках"

  Є.Ф. Венгеp, С.І. Будзуляк, Ю.П. Доценко, В.В. Коломієць // заявка на патент (1999)

• Физико-технические основы лучевой диагностики и радиационная защита

  Д.А. Сиднев // К.: Полиграф, 204 с. Розділи II, VI, VII та VIII – О.Б. Сіднєв (2005)

• Визначення ефективної дози опромінення пацієнтів при проведенні флюорографічних досліджень на цифрових флюорографічних апаратах

  Д.О. Сіднєв, О.Б. Сіднєв, В.Ф. Саворовський, Т.В. Дзігуа, В.В. Озерський // К.: Поліграф, 32с. (2006)

• Скануючі технології в сучасній цифровій рентгенодіагностиці

  О.Б. Сіднєв, Д.О. Сіднєв, В.Ф. Саворовський // Радіологічний вісник, №3 (23), К., Медицина України, c.19-20 (2007)

• Дози опромінення пацієнтів при дослідженнях на сучасних цифрових рентгенодіагностичних апаратах

  О.Б. Сіднєв, Д.О. Сіднєв, В.Ф. Саворовський, Т.В. Дзігуа // К.: Поліграф, 64с. (2008)

• Ризик медичного діагностичного опромінення

  О.Б. Сіднєв // журнал MED @ TECH «Медицинская техника и оборудование» №3 октябрь 2008, К.: «Издательский дом «МедиаФорсажГрупп», с.64-66 (2008)

• Рейтингова оцінка якості продукції медичної рентгенодіагностики

  О.Б. Сіднєв // Збірник наукових праць МОЗ та АМН України «Гігієна населених місць» №52, К. с.300-314 (2008)

• Опромінення населення в сучасній медичній рентгенодіагностиці та шляхи до його зменшення

  О.Б. Сіднєв, О.М. Перевозніков // Науково-технічний збірник “Проблеми безпеки атомних електростанцій і Чорнобиля”, вип.11, Чорнобиль: Інститут проблем безпеки атомних електростанцій НАН України, с.146-151 (2009)

• Порівняльний аналіз та інтерзіставлення методик визначення ефективних доз пацієнтів в цифровій рентгенодіагностиці

  О.Б. Сіднєв // Гігієна населених місць. Збірник наукових праць МОЗ та АМН України, вип.53, К., с.263-274 (2009)

• Критерії комплексної радіаційної гігієнічної оцінки медичних рентгенодіагностичних апаратів

  О.Б. Сіднєв // Гігієна населених місць. Збірник наукових праць МОЗ та АМН України, вип.54, К., с.242-247 (2009)

• Радіометр для експресного вимірювання активності природних радіаційних аерозолів

  О.Б. Сіднєв, А.В. Прохорович // Тези доповідей IV Української наукової конференції з фізики напівпровідників, т.2, с.63 (2009)

• Мобільний лабораторний комплекс радіаційного контролю

  С.І. Азаров, Ю.В. Литвинов, О.Б. Сіднєв, В.Л. Сидоренко // Екологічні науки: науково-практичний журнал Міністерства екології та природних ресурсів України, Вип.2, №4, c.36-44 (2013)

• Изготовление гетероструктур с квантово-размерным эффектом и его анализ модуляционной спектроскопией

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Сборник научных трудов международной научно-методической конференции «Современные проблемы техносферы и подготовки инженерных кадров», Тунис, г. Хаммамет, 28 сентября - 5 октября 2014 г., c.41-44 (2014)

• Редокс-статус тканин раку шлунка: зв’язок з прогресуванням пухлини

  А.П. Бурлака, І.І. Ганусевич, М.Р. Гафуров, С.М. Лукін, Є.П. Сидорик // Онкологія, т.16, №2(60), с.102-107 (2014)

• Порушення у системі церулоплазмін-трансферин у хворих на рак прямої кишки

  А.П. Бурлака, І.І. Ганусевич, В.В. Голотюк, А.В. Вовк, С.М. Лукін, Є.П. Сидорик // Онкологія, т.16, №3 (61), с.206-210 (2014)

• Повышение термической и радиационной стойкости твердотельных гетеросистем с фуллеренами

  Е.Ф. Венгер, Е.Ю. Колядина, Л.А. Матвеева, И.Н. Матиюк, П.Л. Нелюба, Э.М. Шпилевский // Сборник научных статей «Наноструктуры в конденсированных средах», Минск, Институт тепло- и массообмена НАН Беларуси, c.183-189 (2014)

• Физико-химические особенности формирования границ раздела переходов металл-соединение А3В5 и возможности прогнозирования межфазных взаимодействий

  Ю. Бреза, Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, В.Г. Ляпин, В.В. Миленин, В.А. Статов, Ю.А. Тхорик // Поверхность. Ренгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №5, c.110-127 (1998)

• Влияние пластической деформации на фотомагнитный эффект и фотопроводимость в кристаллах CdxHg1-xTe

  С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.А. Романов, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.23, №1, с.85-89 (1989)

• Комбинационное рассеяние света в нарушенных приповерхностных слоях GaAs

  И.А. Мазарчук, Л.А. Матвеева, В.В. Артамонов, М.Я. Валах, В.Д. Нечипорук, П.В. Свиридов // Український фізичний журнал, т.36, №8, с.1163-1167 (1991)

• Переход проводимости металл-диэлектрик-металл, индуцированный одноосной деформацией в бесщелевом полупроводнике Hg1-xCdxTe

  С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский // Письма в ЖЭТФ, т.44, №11, с.518-520. (1986)

• Особенности кинетических коэффициентов в CdxHg1-xTe при низких температурах

  С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.11, вып.8, с.1571-1576 (1977)

• Эффекты прыжковой проводимости в спектрах ЭПР 4НSiC, сильно легированных азотом

  Е.Н. Калабухова, С.Н. Лукин, Б.Д. Шанина, Л.В. Артамонов, Е.Н. Мохов // Физика твердого тела, т.32, с.818-825 (1990)

• Исследование собственных дефектов в полуизолирующих монокристаллах 4H-SiC многочастотными методами ЭПР

  Д.В. Савченко, С.Н. Лукин, Е.Н. Калабухова // Труды VII Молодежной научной школы «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений», 11-13 ноября 2003г., Казань, Россия, с.170-174 (2003)

• Фотомагнитный и гальваномагнитные эффекты в CdxHg1‑xTe в квантующем магнитном поле

  С.Г. Гасан-заде, Ю.Н. Гаврилюк, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.13, вып.8, с.112-119 (1979)

• Патент України на корисну модель № 59641 «Спектрометр електронної спінової луни міліметрового діапазону довжин хвиль»

  Є.Ф. Венгер, С.М. Лукін // (зареєстровано 25.05.2011). Опубліковано 25.05.2011, бюл. №10 (2011)

• Фототермомагнитный эффект и μ-фотопроводимость в CdxHg1-xTe

  С.Г. Гасан-заде, Ю.Н. Гаврилюк, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.13, вып.8, с.1640-1642 (1979)

• Спектр ЭПР доноров в 6Н SiC в широком температурном интервале

  Е.Н. Калабухова, С.Н. Лукин, Ю.С. Громовой, Е.Н. Мохов // Физика твердого тела, т.40, №10, с.56-60 (1998)

• Влияние микроволнового излучения на структурную релаксацию и механические напряжения пленок фуллеренов С60

  Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба, А.С. Николаенко, В.В. Стрельчук, В.В. Шинкаренко // Матеріали 4-тої Міжнародної науково-практичної конференції «Структурна релаксація у твердих тілах» (ICSRS-4), Вінниця, Україна, 29-31 травня 2012, c.81-83 (2012)

• Оптические свойства пленок фуллерита С60, конденсированных на кремниевые подложки

  Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба, Э.М. Шпилевский // Наночастицы в конденсированных средах. Сборник научных статей. Минск. Издательский центр БГУ, с.24-29 (2008)

• Структура фуллереновых пленок С60, модифицированная плазмой гелиевого разряда

  А.В. Васин, Л.А. Матвеева, В.А. Юхимчук, Э.М. Шпилевский //Письма в ЖТФ, т.27, вып.21, с.65-70 (2001)

• Влияние микроволновой обработки на физические параметры конверсионного слоя и границ раздела в солнечных элементах с фуллеренами С60

  Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба, Е.Ю. Колядина, В.В. Шинкаренко, О.Н. Иванюта, С.А. Невмержицкий, L. Weber, U. Ritter, P. Scharff // Сборник научных трудов «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах», Минск, с.66-67 (2006)

• Структура оптических спектров твёрдых плёнок С60-С70 и С60(С70)+Сd

  О.П. Дмитренко, Н.П. Кулиш, Н.М. Белый, В.С. Стащук, Ю.Е. Грабовский, В.Г. Порошин, Д.В. Щур, Н.С. Аникина, А.Е. Погорелов, В.Ф. Мазанко, Л.А. Матвеева // Материалы ІІІ Международного симпозиума «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах», 22 - 25 июня, 2004, Минск, Беларусь, с.82-84 (2004)

• Радиационная стойкость гетеросистем С60 /Si и GeOx/С60/Si

  Л.А. Матвеева, В.А. Юхимчук, П.Л. Нелюба, Э.М. Шпилевский, В.И. Хиврич // Сборник научных трудов «Углеродные наноструктуры», Минск, с.233-244 (2006)

• Деклараційний патент на корисну модель № 67160 «Приймальний модуль твердотільного мікрохвильового мосту для імпульсного когерентного спектрометра електронного парамагнітного резонансу 8 міліметрового діапазону довжин хвиль»

  К.М. Калабухова О.О. Сітніков, А.В. Цвір, М.Г. Іщенко, В.В. Олійник // Бюл. №3, 10.02.2012

• Исследование азотосодержащего дефектного центра в самоупорядоченных наноструктурах 6H SiC методом ЭПР

  Е.Н. Калабухова, Д.В. Савченко, Б.Д. Шанина, Н.Т. Баграев // Труды конференции молодых ученых по физике полупроводников «Лашкаревские чтения – 2012», Киев, Украина, 3-5 апреля 2012, с.23-25 (2012)

• ЕПР діагностика однорідності розподілу дефектів та домішок у напівізолюючому 6H SiC

  Д.В. Савченко, К.М. Калабухова // УФЖ, т.54, №6, с.607-613 (2009)

• Синтез та дослідження оптичних властивостей тонких плівок оксиду цинку на підкладках 6H-SiC методами ІЧ-спектроскопії

  Є.Ф. Венгер, С.М. Давиденко, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Матеріали Х міжнародної конференції „Фізика і технологія тонких плівок”, Івано-Франківськ, Україна, т.1, с.289-290 (2005)

• Фізика. 7 клас

  М.П. Бойко, Є.Ф. Венгер, О.В. Мельничук // Київ: Вища шк., 230с. (13,48), 500екз., ISBN 978-966-642-436-8) (Гриф МОН У, лист №1/11-372 від 01.02.2010р.) (2010)

• Патент України на корисну модель № 73418 «Пристрій вимірювання внутрішніх механічних напружень в оптичних деталях»

  Є.Ф. Венгер, Б.К. Сердега, С.М. Кущовий, В.П. Маслов, А.В. Прохорович, В.А. Порєв // Бюл. №18, 25.09.2012

• Патент України на корисну модель № 73734 «Пристрій “Cапфір” контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання»

  Є.Ф. Венгер, Б.К. Сердега, І.Є. Матяш, С.М. Кущовий, В.П. Маслов, В.А. Порєв // Бюл. №19, 10.10.2012

• Патент України на корисну модель №73834 від 10.10.2012 «Спосіб виготовлення клею-герметику "Діамант"»

  Є.Ф. Венгер, В.П. Маслов, Н.В. Качур // Бюл. №19 (2012)

• Патент України на корисну модель №73835 від 10.10.2012 «Сонячний фотоелектричний модуль "Діамант"»

  Є.Ф. Венгер, В.П. Маслов, В.А. Порєв, О.В. Богдан, Н.В. Качур // Бюл. №19 (2012)

• Патент України № 7496 від 15.06.2005 «Пристрій вимірювання величини подвійного променезаломлення»

  Л.Й. Бережинский, Є.Ф. Венгер, В.П. Маслов, Б.К. Сердега // Бюл. № 6 (2005)

• Патент України на корисну модель № 75392 «Спосіб визначення рівня оксидативного стресу у хворих»

  А.П. Бурлака, М.В. Хайтович, В.С. Потаскалова, С.М. Лукін, Є.П. Сидорчик, М.М. Селюк // Опубліковано 26.11.2012, Бюл. №22/2012

• Патент України на корисну модель №75561 від 10.12.2012 «Пристрій для полімеризації ультрафіолетових (УФ) композицій»

  Є.Ф. Венгер, В.П. Маслов, Н.В. Качур, В.І. Гордієнко, В.М. Замосенчук, І.В. Мазурін // Бюл. №23 (2012)

• Твердотельный импульсный микроволновый мост для спектрометров электронного спинового эха 8-мм диапазона длин волн

  Е.Н. Калабухова, В.В. Олейник, Д.В. Савченко, А.А. Ситников, А.В. Цвир, М.Г. Ищенко // ТКЭА, №6, с.11-16 (2012)

• Патент України на корисну модель № 81841 від 10.07.2013 «Спосіб оптичного контролю механічних напружень в конструкційних елементах літаків»

  О.І. Семенець, В.Я. Дереча, Є.Ф. Венгер, В.П. Маслов, Н.В. Качур // Бюл. №13 (2013)

• Патент України на корисну модель №82800 від 12.08.2013 «Спосіб контролю авіаційного органічного скла»

  О.І. Семенець, В.Я. Дереча, В.Ф. Самійленко, Є.Ф. Венгер, В.П. Маслов, Н.В. Качур // Бюл. №15 (2013)

• Патент України на винахід № 92992 «Фото сенсибілізовані модифіковані багатостінні вуглецеві нанотрубки як протипухлинні агенти»

  С.В. Прилуцька, А.П. Бурлака, С.М. Лукін, Ю.І. Прилуцький, О.П. Матишевська // (зареєстровано 27.12.2010). Опубліковано 11.10.2011, бюл. №19 (2011)

• Патент України на корисну модель № 95630 від 25.12.2014 «Спосіб виготовлення терморезистора»

  М.С. Болтовець, Є.Ф. Венгер, Т.І. Голинна, П.М. Литвин, Л.О. Матвеєва, В.Ф. Мітін, О.С. Слєпова, В.В. Холевчук // Бюл. №24 (2014)

• Патент України по заявці № 98105519 «Напівпровідниковий лазер зі змінною довжиною хвилі випромінювання субміліметрового діапазону»

  Ф.Т. Васько, Є.Ф. Венгеp, С.Г. Гасан-заде, С.В. Стаpий, М.В. Стpiха, Г.А. Шепельський // рішення про видачу від 6.04.1999p.

• Патент №99229 «Спосіб прогнозування перебігу захворювання у хворих на рак молочної залози»

  А.П. Бурлака, С.М. Лукін, Є.П. Сидорчик // Бюл. №14/2012, 25.07.2012

• Фотолюминесценция аморфного углерода в пленках a-C:C60, полученных осаждением фулеренов С60

  А.В.Васин, Л.А. Матвеева, В.А.Юхимчук // Письма в ЖТФ, т.28, вып.14. с.32-37 (2002)

• Механические напряжения в системе a-C:H/Si

  А.В. Васин, А.Г. Гонтарь, Л.А. Матвеева, Е.В. Ренгевич , А.М. Куцай, С.И. Хандожко // Функциональные материалы, т. 6, № 6, с.355-358 (1999)

• Обнаружение третьего уровня (A+) вакансии ртути в CdHg1-хTe

  С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // ФТП, т.46, №7, с.905-909 (2012)

• A home-built ESE-spectrometer based on a high power Q-band microwave bridge

  I.Tkach, A.Baldansuren, E.Kalabukhova, S.Lukin, A.Sitnikov, A.Tsvir, M.Ischenko, Yu.Rosentzweig and E.Roduner // Jour. Appl. Magn. Resonance, v.35, №1, p.95-112 (2008)

• Влияние остаточной атмосферы на формирование структуры пленок a-SiC при осаждении с помощью магнетронного распыления

  А.В. Васин, Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, А.Г. Гонтарь, А.М. Куцай, И.А. Косско // Сверхтвердые материалы, т.119, №3, с.18-24 (1999)

• About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors

  V.L. Borblik, E.F. Venger, Yu.M. Shwarts // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.6, №1, p.97-101 (2003)

• Account of dislocation structure at stress measurements in he-teroepitaxial systems. I-Theory

  L.S. Khazan, L.A. Matveeva, G.N. Semenova, Yu.A. Tkhorik // Phys. Stat. Sol.(a), v.54, №2, p. 447- 456 (1979)

• Account of dislocation structure at stress measurements in heteroepitaxial systems. II. – Experiment

  L.S. Khazan, L.A. Matveeva, G.N. Semenova, Yu.A. Tkhorik // Phys. Stat. Sol.(a), v.56, №1, p.47-54 (1979)

• Advanced silicon diode temperature sensors with minimized self heating and noise for cryogenic applications

  Yu.M. Shwarts, V.N. Sokolov, M.M. Shwarts, I.A. Fedorov, E.F. Venger // Conf. Proc. The Third Intern. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Smolenice Castle, Slovakia, p.351-354 (2000)

• Получение пленок AIIIBIV импульсным термическим методом на Si

  Е.Ф. Венгер, Р.Ю. Голиней, Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, С.В. Свечников // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники», вып.6/7, с.250-252 (1998)

• Электронные свойства системы германий-пленка Al2O3

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Микроэлектроника, т.25, №4, с.289-294 (1996)

• Analysis of the Radical Formation in Electron Irradiated Synthetic Carbonate-Containing Hydroxylapatite by IR, EPR and ESE Spectroscopy

  Yu.I. Yakimenko, M.K. Rodionov, A.A. Sitnikov, Yu.S. Borisov, J. Hoentsch, A. Pöppl, D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova // Proc. ХI International Youth Scientific School Actual Problems of Magnetic Resonance and its Application, Russia, Kazan, 2007, p.153-157 (2007)

• Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-GaAs(InP)

  А.Е. Беляев, А.В. Саченко, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // ФТП, т.46, №4, с.558-561 (2012)

• Auger–spectrocsopic investigation of a-C:H films on silicon microrelief substrates

  A.V. Vasin, E.F. Venger, L.A. Matveeva, T.Ya. Gorbach, S.V. Svechnikov // Carbon, v.36, №5-6, p.513-515 (1998)

• Auger-Spectroscopic Investigation of a-C:H Films on Micro-Roughness Substrates

  A.V. Vasin, T.Ya. Gorbach, A.G. Gontar, A.M. Kutsay // Journal of Chemical Vapor deposition, v.6, №1 (1997)

• Breakdown of donor localized states on insulating side of strain-induced MI transition in Si and Ge

  E.F. Venger, Yu.P. Dothsenko, V.V. Kolomiets // Phys. Stat. Sol. (b), v.211, p.137-142 (1999)

• Cтруктурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига

  Ю.Ю. Бачериков, Н.Е. Корсунская, В.П. Кладько, Е.Ф. Венгер, Н.П. Баран, А.В. Кучук, А.Г. Жук // ФТП, т.46, вып.2, с.198-202 (2012)

• Механические напряжения и трибологические свойства пленок с фуллеренами C60 на полупроводниковых и металлически подложках

  Е.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, П.Л. Нелюба, В.В. Лашнева // Материалы VII Международной конференции «Современные проблемы техносферы и подготовки инженерных кадров», Сусс, Тунис, 8-17 октября 2013, c.113-116 (2013)

• Электронные свойства покрытой пленками CaF2-SiO2 поверхности германия

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №34, c.30-36 (1999)

• Carrier transport properties, spectral photoresponse, and bandgap structure features in pnn+-GaAs with patterned nanoscale As2O3-GaAs interface

  T.Ya. Gorbach, L.A. Matveeva, P.S. Smertenko, G.A. Sukach // Український фізичний журнал, т.52, №5, с.480-487 (2007)

• Особливості НВЧ-фотопровідності безщілінного CdHgTe в сильному магнітному полі

  С.Г. Гасан-заде // УФЖ, т.43, вып.5, с.595-597 (1998)

• Стимульоване та спонтанне випромінювання в пружно деформованому безщілинному CdHgTe

  M.B. Cтpixa, Є.Ф. Венгер, С.Г. Гасан-заде, С.В. Старий, Г.А. Шепельський // Тези доповідей ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, Чернівці, Україна, 20-24 вересня, 2004, т.1, с.195-196 (2004)

• О процессах захвата неосновных носителей тока в CdHgTe n-типа при низких температурах

  С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.32, вып.4, с.436-438 (1998)

• Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения

  С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре., №4., c.45-49 (2014)

• Особенности температурных и спектральных характеристик фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в р-CdxHg1-xTe при низких температурах

  В.В. Богобоящий, С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.27, вып.9, с.1508-1515 (1993)

• Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства бесщелевого CdxHg1-xTe в инфракрасной и миллиметровой области спектра излучения при раскрытии энергетической щели

  С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.31, вып.1, с.35-42 (1997)

• Активационная проводимость и переход металл-диэлектрик в примесной зонелегированных кристаллов узкозонного CdxHg1-xTe

  В.В. Богобоящий, С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.34, вып.4, с.411-417 (2000)

• Электрическая активность дислокаций и дефектов деформационного происхождения в кристаллах CdxHg1-xTe

  С.Г. Гасан-заде, С.В. Старый, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.37, №1, с.8-16 (2003)

• Зонный спектр и двойной фазовый переход проводимости металл-диэлектрик-металл в бесщелевом CdxHg1-xTe

  Е.Ф. Венгер, С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // ФТП, т.45, вып.3, с.276-281 (2007)

• О спектральной зависимости фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe/CdTe с анодно окисленными поверхностями

  А.В. Буянов, С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.А. Романов, Е.С. Фридрих, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.26, вып.4, с.629-635 (1992)

• Changes in Mitochondrial Functioning with Electromagnetic Radiation of Ultra High Frequency as Revealed by Electron Paramagnetic Resonance Methods

  A. Burlaka, M. Selyuk, M. Gafurov, V. Potaskalova, S. Lukin, E. Sidorik // International Journal of Radiation Biology, v.90, №5, p.357-362 (2014)

• Characterization of different carbon nanomaterials promising for biomedical and sensor applications by the wetting method

  L.Yu. Ostrovskaya, V.M. Perevertailo, L.A. Matveeva, P. Milani, V.G. Ralchenko, E.M. Shpilevsky // Powder metallurgy, №1/2 (429), p.1-10 (2003)

• CO2- радикалы в синтетическом гидроксилапатите

  І.П. Ворона С.С. Іщенко, Н.П. Баран, В.В.Рудько, Л.С.Чумакова, В.Ю.Поварчук // ФТТ, 2008, т.50, №10, c.1779-1782 (2008)

• Coherency of the interphase boundary and elastic strain in the epitaxial system Ge/GaAs

  O.G. Alaverdova, M.Ye. Fuks, L.S. Khasan, L.P. Koval, L.A. Matveeva, I.F. Mikcailov, N.N.Soldatenko, Yu.A. Tkhorik // Phys. Stat. Sol. (a), v.75, №2, p.367-371 (1983)

• Comparative Study of Magnetic Properties and Antitumor Effect of Nanocomplexes from Oxides Iron Nanoparticlesand Doxorubicin During Radio-Frequency Hyperthermiaof the Walker-256 Carcinosarcoma

  V.E. Orel, A.D. Shevchenko, N.A. Nikolov, A.V. Romanov, A.Y. Rykhalskyi, A.P. Burlaka, N.N. Dzyatkovskaya, S.N. Lukin, B. ShchepotinI // NanoLIFE, v.4, №2, p.1450003-1450010 (2014)

• Complex Mechanism of Enhanced Optical Transmission a Composite Caxial/Cilcular Aperture

  Anatoliy. V. Goncharenko, Ki Yong Kim, Jian-Shiung Hong, Kuan-Ren Chen // Plasmonica, v.7, №3, p.417-426 (2012)

• Conductivity of a two-phase composite: an approach based on the bounds

  A.V. Goncharenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.2, №4, p.46-50 (1999)

• Core-Shell SiC based Hybrid Nanomaterials: Synthesis and EPR investigations

  D.V. Savchenko, N.A. Ogurtsov, M. Makoswka-Janusik, S. Kodjikian, A.A. Pud, А. Kassiba // Proc. of XI International Conference “Hydrogen Materials Science & Chemistry of Carbon Nanomaterials, ICHMS’2009, Yalta, Ukraine, August 25-31, 2009, р.358-361 (2009)

• Creation and properties of Si-H bonds in monocrystal silicon irradiated by protons

  V.I. Varnina, A.A. Groza, P.G. Litovchenko, L.A. Matveeva, M.I. Starchik, V.I. Khivrich, G.G. Shmatko // VII International conference “Hydrogen Materials Science and Chemistry of Metal Hydrides”, 16-22 September, Alushta, Ukraine, p.728-731 (2001)

• Crystal field constants calculation in the Spin-Hamiltonian for Eu2+ in alkali halide crystals

  E.N. Kalabukhova, B.D. Shanina // Physica Scripta, v.19, p.347-350 (1979)

• Электронная полевая эмиссия нанокомпозитов Cu-C60 на кремнии

  А.А. Евтух, Л.А. Матвеева, В.Г. Литовченко, Н.А. Семененко, Э.М. Шпилевский // Материалы ІІІ Международного симпозиума «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах», 22-25 июня 2004г., Минск, Беларусь, с.204-206 (2004)

• Defect states in transmutation-doped gamma-irradiated Cz-Si crystals under high uniaxial pressure

  S.I. Budzulyak, Yu.P. Dotsenko, V.M. Ermakov, V.V. Kolomoets, D.V. Korbutyak, E.F. Venger, M. Fukuzawa, M.Yamada, E.Liarokapis // Physica B, v.302-303, р.12-16 (2001)

• Development of metamaterials with desired broadband optical properties

  Anatoliy. V. Goncharenko, Vladimir. U. Nasarov, Kuan-Ren Chen // Appl. Phys. Let, v.101, p.071907-1-5 (2012)

• Dimensionless sensitivity as a base for modeling of thermometric characteristics of thermodiode sensors

  Yu.P. Dotsenko, T.Ya. Gorbach, L.A. Matveeva, P.S. Smertenko, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // 5th International workshop thermal investigation of IC’s and system, October 3-6, p.268-271 (1999)

• Direct Observation of Intercenter Charge Transfer Process in Semi-Insulating 4H SiC Material by Photo EPR Method

  D.V. Savchenko, S.N. Lukin, E.N. Kalabukhova // VII International Youth Sceintific School Actual Problems of Magnetic Resonance and Application, Kazan, Russia, p.84-88 (2004)

• Direct transition in the porous nanosilicon measured by electroreflectance

  R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger // Proc. International Conference "Frontiers of multifunctional Nanosystem", 9-12 September, Kyiv, Ukraine, p.313-320 (2002)

• Dispersion of natural modes in a many-layer planar system

  A.V. Goncharenko, B.A. Snopok, Yu.M. Shirshov, E.F. Venger, S.N. Zavadskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.3, №3, p.389-393 (2000)

• Влияние состава твердого раствора СdS и Ga2S3 на его свойства и дефектную структуру

  Е.Ф. Венгер, И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, В.П. Папуша // Физика и техника полупроводников, т.36, №7, с.817-825 (2002)

• Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта СdxHg1-xTe p-типа проводимости

  С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.33, вып.5, с.574-579 (1999)

• Effect of interband phototunneling and filling the bands in electroreflection spectra of germanium

  P.A. Gentsar, L.A. Matveeva, A.A. Kudryavtsev, E.F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics, v.6, №2, p.141-146 (2003)

• Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors

  V.L. Borblik, E.F. Venger, Yu.M. Shwarts // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.5, №3, p.310-318 (2002)

• Effect of Microwave and Laser radiations on the parameters of Semiconductor Strucrures

  A.E. Belyaev, E.F. Venger, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, G.S. Svechnikov, E.A. Soloviev, L.L. Fedorenko // Kiev, Intas, 191p. (2002)

• Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC

  V.S. Kiselov, E.N. Kalabukhova, A.A. Sitnikov, P.M. Lytvyn, V.I. Poludin, V.O. Yukhymchuk, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.12, №1, p.68-71 (2009)

• Effect of the Si wafer pretreatment on the patterned substrate morphology and growth of Hg1-xCdxTe PLD films

  T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger, M. Kuzma, G. Wisz // Materials Science and Engineering, В 56, p.34-40 (1999)

• Effect of the Si wafer pretreatment on the patterned substrate morphology and growth of Hg1-xCdxTe PLD films

  T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger, M. Kuzma, G. Wisz // Materials science & engineering, B 71, p.288-291 (2000)

• Effect of weak nonsphericity on linear and nonlinear optical properties of small particle composites

  A.V. Goncharenko, V.V. Popelnukh and E.F. Venger // Journal of Physics D: Applied Physics, v.35, p.1833-1838 (2002)

• Effective dielectric response of a shape-distributed particle system

  A.V. Goncharenko, V.Z. Lozovski, E.F. Venger // Journal of Physics: Condens. Matter, v.13, p.8217-8234 (2001)

• Effective scattering cross section of an assembly of small ellipsoidal particles

  A.V. Goncharenko, Yu.G. Semenov, E.F. Venger // Journal of Opt. Soc. Am. A, v.16, №13, p.517-522 (1999)

• Effects of dimension on optical transmittance of semicontinuous gold films

  M.M. Dvoynenko, A.V. Goncharenko, V.R. Romaniuk, E.F. Venger // Physica B, v.299, p.88-93 (2001)

• Elastic laser light scattering by GaAs surfaces

  V.A. Sterligov, Yu.V. Subbota, Yu.M. Shirshov, L.P. Pochekaylova, E.F. Venger, R.V. Konakova, I.Yu. Ilyin // Appl. Optics, v.38, №12, р.2666-2676 (1999)

• Electrical and Multifrequency EPR Study of Nitrogen and Carbon Antisite Related Native Defect in n-Type as-Grown 4H-SiC

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, W.C. Mitchel // Materials Science Forum, v.433-436, p.499-502 (2003)

• Electrical and optical properties of germanium films an insulating substrate

  A.P. Klimenko, L.A. Matveeva, D.I. Moskal, V.T. Rosumnyuk, Yu.A. Tkhorik // Proc. of the Int. Conf. on the Phys. аnd Chem. of Semicond. Heterojunct. аnd layer Structur, Budapest, v.4, p.143-150 (1970)

• Збірник задач з механіки. Навчальний посібник

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Ніжин. Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 651с. (37,89), 300 экз., ISBN 978-617-527-073-8 (2013)

• Electron paramagnetic resonance of the scandium acceptor in 4H and 6H silicon carbide

  S. Greulich-Weber, M. Marz, J.M. Spaeth, E.N. Kalabukhova, E.N. Mokhov // Materials Science Forum, v.338-342, p.809-812 (2000)

• Electron paramagnetic resonance of the scandium acceptor in 6H silicon carbide

  M. März, J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.M. Spaeth, H. Overhof, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, E.N. Kalabukhova // Sol. St. Comm., v.98, p.439-443 (1996)

• Electron properties of the silicon surface at different state of its oxide film

  S.I. Kirillova, V.E. Primachenko, E.F. Venger, V.A. Chernobai // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.3, №4, р.51-56 (2000)

• Electron spin resonance in 2 mm range of transmutation phosphorus impurity in 6H-SiC

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov // Phys. Sol. State, v.35, p.361-363 (1993)

• Electron spin resonance in the 2-mm range and optical absorption by intrinsic defects in epitaxial films of 4H-SiC

  Yu.A. Vodakov, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, A.A. Lepneva, E.N. Mokhov, B.D. Shanina, J.B. Sykes // Soviet Physics, Solid State, v.33, p.1869-1875 (1991)

• Electronic properties of silicon surface at different oxide film condition

  S.I. Kirillova, V.E. Primachenko, E.F. Venger, V.A. Chernobai // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.4, №1, p.12-18 (2001)

• Electronic structure of the nitrogen donors in 6H SiC as studied by pulsed ENDOR and TRIPLE ENDOR spectroscopy

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, A. Pöppl, B.D. Shanina // Phys. Status Solidi B, v.249, №11, p.2167-2178 (2012)

• Electrophysical properties and energetical spectrum of heteroepitaxial germanium films

  A.P. Klimenko, L.A. Matveeva, Yu.A. Tkhorik // Czechoslovak Journal of Physics, B.24, p.1139-1148 (1974)

• Electroreflectance modulation spectroscopy of semiconducting CdAs2 and ZnAs2 single crystal surfaces

  L.A. Matveeva, I.M. Matiyuk // Functional materials, v.7, №4, p.1-4 (2000)

• Electroreflectance of porous layers obtained by stain etching of laser modified silicon

  R.Yu. Holiney, L.L. Fedorenko, L.A. Matveeva, I.Yu. Strilchenko, E.F. Venger, N.M. Yusupov // Journal of Physics D: Applied Physics, v.33, №22, p.2875-2879 (2000)

• Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of silicon microrelief wafers with various surface pretreatments

  T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, P.S. Smertenko, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectonics, v.1, №1, p.66-70 (1998)

• Electroreflectance spectroscopy study of hydrogen plasma immersion ion implanted silicon with ultrathin oxide film

  S. Alexandrova, A. Szekeres, R.Yu. Holiney and L. Matveeva // Journal of Physics: Conference Series, v.53, p.012037 (1-6) (2010)

• Electroreflectance spectroscopy study of SiO2-Si structures

  R.Yu. Holiney, A. Szekeres, L.A. Matveeva, E.F. Venger, A. Paneva, S. Alexsandrova // Proc. 11th of Eleventh Int. School on Condensed Matter Physics Materials for Information Technology in the Nev Millenium, Varna, Bulgaria, September 3-8, p.240-243 (2000)

• Electroreflectance study of macroporous silicon surfaces

  R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger, L.A. Karachevtseva, O.A. Litvinenko // Appl. Surf. Sciens, v.72, №3-4, p.214-219 (2001)

• Ellipsometry of guided wave polaritons at solid surfaces

  I.I. Burshta, E.F. Venger, S.N. Zavadskii // Surface science, v.301, №3, p.399-404 (1994)

• ENDOR study of CO2- radical in hidroxyapatite of g-irradiated bone

  S.S. Ishchenko, I.P. Vorona, S.M. Okulov, N.P. Baran, V.V. Rudko // RadMeas, v.46, p.37-39 (2011)

• EPR and ENDOR investigations of B acceptors in 3C-, 4H- and 6H- Silicon Carbide

  S. Greulich-Weber, F. Feege, K.N. Kalabukhova, S.N. Lukin and J.-M. Spaeth, F.J. Adrian // Semicond. Sci. and Technol, v.13, p.59-70 (1998)

• EPR and ENDOR of defects in silicon carbide

  J.-M. Spaeth, S. Greulich-Weber, M. März, J. Reinke, M. Feege, E.N. Kalabukhova and S.N. Lukin // Mater. Sci. Forum, v.239-241, p.149-154 (1997)

• EPR diagnostics of defect and impurity distribution homogeneity in semi-insulating 6H-SiC

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova // Ukr. J. Phys, v.54, №6, р.605-610 (2009)

• EPR, ESE and Pulsed ENDOR Investigations of Nitrogen Aggregated Center in 4H-SiC Wafers Grown by Different Technologies

  D.V. Savchenko, A. Pöppl, S.N. Lukin, E.N. Kalabukhova // Proc. ХI International Youth Scientific School Actual Problems of Magnetic Resonance and its Application, Russia. Kazan, 2007, p.158-162 (2007)

• EPR, ESE and Pulsed ENDOR Study of Nitrogen Related Centers in 4H-SiC Wafers Grown by Different Technologies

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, W.C. Mitchel, S. Greulich-Weber, U. Gerstmann, A. Pöppl, J. Hoentsch, E. Rauls, Yu. Rozentzveig, E.N. Mokhov, M. Syväjärvi, R. Yakimova // Mat. Sci. Forum, v.556-557, p.355-358 (2007)

• EPR, ESE and pulsed ENDOR study of the nitrogen donor pairs on quasi-cubic lattice sites in 6H SiC

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov, J. Hoentsch, A. Pöppl // Physica B: Condensed Matter, v.404, р.4735-4738 (2009)

• EPR in the 2-mm Range and Optical Absorption of the Native Defect in 4H-SiC Epilayers

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, B.D. Shanina, Yu.A. Vodakov, A.A. Lepneva, E.N. Mokhov // Springer Proceedings in Physics, v.71, p.149-161 (1992)

• EPR spectra of g-irradion hydrated barium ditionate single crystals

  M.P. Baran, V.M. Maksimenko, V.V. Teslenko, A.A. Bugay // Journal of Applied Spectroscopy, v.75, №1, p.15-20 (2008)

• EPR spectrum of donors in 6H SiC in a broad temperature range

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, Yu.S. Gromovoǐ, E.N. Mokhov // Physics of the Solid State, v.40, №10, p.1653-1657 (1998)

• EPR spectrum of n-6H SiC at high concentration of donor nitrogen

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin // Fizika Nizkikh Temperatur, v.22, p.1063 (1996)

• EPR study of conduction electrons in heavily doped n-type 4H SiC

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, A. Pöppl, E.N. Mokhov, B.D. Shanina // Phys. Status Solidi B, v.248, №12, p.2952-2958 (2011)

• EPR study of paramagnetic centers in carbon-fumed silica adsorbent

  D.V. Savchenko, B.D. Shanina, E.N. Kalabukhova, A.A. Sitnikov, V.S. Lysenko, V.A. Tertykh // Proceedings of the young scientists conference on semiconductor physics «Lashkaryov’s readings 2013», Kyiv, Ukraine, April, 2-4, 2013, p.12-14 (2013)

• EPR study of paramagnetic centers in carbon-fumed silica adsorbent

  D.V. Savchenko , B.D. Shanina, E.N. Kalabukhova , A.A. Sitnikov, V.S. Lysenko, V.A. Tertykh // Journal of Applied Physics, 2014 – v.115, p.133704-1-133704-7 (2014)

• EPR study of paramagnetic centers in carbonized silica obtained by pyrolysis of surface compounds

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, A.A. Sitnikov, A.V. Vasin, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, V.A. Tertykh // Proceedings of 7th International Workshop "Functional Nanomaterials and Devices", Kyiv, Ukraine, April, 21-26, 2013, p.85-86 (2013)

• EPR study of the nitrogen containing defect center created in self-assembled 6H SiC nanostructure

  E.Kalabukhova, D.Savchenko, B.Shanina, N.Bagraev, L.Klyachkin, A.Malyarenko // Mat. Sci. Forum, v.740-742, p.389-392 (2013)

• ESR spectrum of nitrogen in 6Н SiC in the ground and excited states

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin // Materials Science Forum, v.338-342, p.791-794 (2000)

• Experimental evidence for the third level (A+) of Hg vacancy in Hg1-xCdxTe

  G.A. Shepelskii, M.V. Strikha, S.G. Gasan-zade // Infrared Physics & Technology, v.55, №6, p.481-484 (2012)

• Far-infrared spectroscopy of phonon-polaritons in GaAs- GaAs1-x Px strained-layer superlattices

  N.L. Dmitruk, A.V. Goncharenko, O.S. Gorea, V.R. Romaniuk O.M. Tatarinskaya, E.F. Venger // Phys. Low-Dim.Struct., v.1/2, p.149-154 (1998)

• Far IR photoelectric phenomena in gapless Hg1-xCdxTe

  S.G. Gasan-zade, E.A. Salkov, G.A. Shepelskii // Opto-Electronics Review, v.6, №4, p.257-262. (1998)

• Features of the Long-Term Photo EMF Relaxation in a Heteroepitaxial ZnSe–GaAs Structure

  L.V. Shekhovtsov, E.F. Venger, G.N. Semenova, Yu.G. Sadof'ev, N.E. Korsunskaya, M.P. Semtsiv, S.Yu. Sapko // Technical Physics Letters, v.26, №3, p.190-192(2000)

• Тензоэффекты в сильно деформированных кристаллах нейтронно-легированного и g-облученного кремния

  С.И. Будзуляк, Е.Ф. Венгер, Ю.П. Доценко, В.М. Ермаков, В.В. Коломоець, В.Ф. Мачулин, Д.В. Корбутяк, А.В. Федоров, В.И. Хиврич // Труды X-го Международного совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, Украина, с.145-149 (2000)

• Механізми тензоефектів, обумовлені дефектною структурою нейтронно легованих і g-опромінених кристалів n-Si(P)

  С.І. Будзуляк, Є.Ф. Венгер, Ю.П. Доценко, В.М. Єрмаков, В.В. Коломоець, В.Ф. Мачулин, Л.І. Панасюк, В.І. Хіврич // Доповіді НАН України, т.9, с.79-86 (2000)

• Особливості тензоефектів в нейтронно легованих g-опромінених кристалах n-Si(P)

  С.І. Будзуляк, Є.Ф. Венгер, Ю.П. Доценко, В.М. Єрмаков, В.В. Коломоєць, А.В. Федоров // Матеріали II Міжнародної школи-конференції з актуальних питань фізики напівпровідників, Дрогобич, c.34-48 (2001)

• Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности GaAs

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // ФТП, т.29, №2, с.244-254 (1995)

• Влияние отжига на электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности GaAs

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, И.А. Мазарчук, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.33, с.21-29 (1998)

• Система поверхневих електронних станів реальної і сульфідованої поверхні GaAs

  Є.Ф. Венгер, С.І. Кирилова, В.Є. Примаченко, В.А. Чорнобай // Український фізичний журнал, т.46, №1, с.77-82 (2001)

• Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs

  Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доповіді національної академії наук України, №7, с.72-78 (2007)

• Спектроскопія ІЧ-пропускання ультракороткоперіодних надграток GaAs/AlAs

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, М.М. Двойненко, В.Р. Романюк // Вісник Київського університету, Фіз.-мат. науки, вип.3-4, с.2-10 (1999)

• Исследование фононных поляритонов в сверхрешетках GaAs/GaPAs методами отражательной ИК спектроскопии

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, О.С. Горя, Н.Л. Дмитрук, В.Р. Романюк // Журнал прикладной спектроскопии, т.66, №4, с.460-466 (1999)

• К вопросу о механизме деградации светоизлучающих диодов на основе GaAs:Si

  Г.Н. Семенова, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан, В.И. Вдовин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып. 20, с.50-53 (1991)

• Электронные свойства границы арсенида галлия в гетеросистеме GaAs-ZnS

  Е.Ф. Венгер, Л.В. Завьялова, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников // Радиотехника и электроника, т.41, №12, с.1513-1517 (1996)

• g- and UV-induced CO2- radicals in tooth enamel

  V.V. Rudko, M.P. Baran, I.P. Vorona, S.S. Ishchеnko // Radiationsmeasurements, v.42. №6-7, p.1181-1184 (2007)

• Gao-Casimir force between composite materials containing nonspherical particles

  J.Sun, X.K.Hua, A.V.Goncharenko // Phys. Rev., v.A87, 042509 (2013)

• Диэлектрическая функция твердых растворов GaPAs в области колебательного поглощения

  А.В. Гончаренко, О.С. Горя, Н.Л. Дмитрук, А.А. Михайлик, В.Р. Романюк // Журнал технической физики, т.71, вып.8, с.39-47 (2001)

• Ge film Resistance and Si-based Diode Temperature Microsensors

  N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, V.F. Mitin, E.F. Venger // Proc. ASDAM-2000, Smolenice Castle, Slovakia, p.235-238 (2000)

• Ge film Resistance and Si-based Diode Temperature Microsensors for Gryogenic Applications

  N.S  Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, V.F. Mitin, E.F. Venger // Proc. the 14th European Conference on Solid State Transducers, Eurosensors XIV, Copenhagen, Denmark, p.527-530 (2000)

• Ge films on GaAs: low temperature electrical properties and application to cryogenic resistance temperature sensors

  V.F. Mitin, Yu.A. Tkhorik, E.F. Venger // Czechoslovak Journal of Physics, v.46, p.2855-2856 (1996)

• Поперечная фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре Ge-GaAs

  Л.В. Шеховцов, А.В. Саченко, Ю.М. Шварц // Физика и техника полупроводников, т.29, вып.3, с.566-574 (1995)

• Ge/GaAs(100) Thin Films: Large Effect of Film Growth Rate and Thicknesses on Surface Morphology, Intrinsic Stresses and Electrical Properties

  V.F. Mitin, P.M. Lytvyn, V.V. Kholevchuk, L.A. Matveeva, V.V. Mitin, O.S. Kulyk, E.F. Venger // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties, The Crimea, Alushta, Ukraine. 17-22 September 2012, v.1, №3, 03TF17(4pp) (2012)

• Effect of film growth rate and thickness on properties of Ge/GaAs(100)

  V.F.  Mitin, V.K. Lazarov, L. Lari, P.M. Lytvyn, V.V. Kholevchuk, L.A. Matveeva, V.V. Mitin, E.F. Venger // Thin Solid Films, v.550, №1, p.715-722 (2014)

• Влияние СВЧ излучения на особенности структурной релаксации гетеросистем Ge-GaAs и электронных свойств пленок Ge на полуизолирующем GaAs

  Е.Ф. Венгер, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук, Л.А. Матвеева, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова // Материалы 8-й Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердим телом», Беларусь,Минск, 23-25 сентября 2009, с.157-159 (2009)

• Остаточные деформации в гетероструктурах Ge-GaAs и Ge-Si

  Л.А. Матвеева, Г.Н. Семенова, Н.Н. Солдатенко, Ю.А. Тхорик // Электронная техника. Материалы, вып.7, с.57-63 (1980)

• Тонкие случайно нанонеоднородные пленки Ge на GaAs: получение, свойства и применение

  Е.Ф. Венгер, П.М. Литвин, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук // В кн.: Наноразмерные системы и наноматериалы: исследования в Украине / под общей редакцией академика НАН Украины А.Г. Наумовца, Киев: Академпериодика, c.175-179 (2014)

• Неоднородность пленки Ge в гетероструктуре Ge-GaAs

  В.Б. Попов, В.И. Приходенко, Л.В. Шеховцов // Сб. докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, Украина, с.311-312 (2001)

• Влияние Ge и избыточного Si на спектр ЭПР донорных состояний азота в 6НSiC

  Е.Н. Калабухова, С.Н. Лукин, Б.Д. Шанина, Е.Н. Мохов // Физика твердого тела, т.32, с.789-795 (1990)

• Электронные свойства сульфидированной поверхности германия и границ раздела Ge-SiO2

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Поверхность, №4, с.68-73 (1998)

• Исследование однородности гетероэпитаксиальных пленок Ge1-xSix на GaAs

  Н.А. Ариас, Р.В. Конакова, И. Лидаи, Л.А. Матвеева, Ю.А. Тхорик Л.С. Хазан, Р. Харман, Я. Шилдер // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.11, с.57-68 (1987)

• Ge1-xSix-GaAs Heterojunction IMPATT-Diodes

  E.Yu. Brailovski, L.A. Matveeva, G.D. Melnikov, I.F. Michailov, G.N. Semenova, Yu.A. Tkhorik, L.S. Khazan, V. Leichter, J. Chervenak // Crist. Res. Technol., v.21, №3, p.413-421 (1986)

• Generation of the reactive oxygen species by multy-walled carbon nanotubes under light irradiation

  A. Burlaka, S. Lukin, S. Prylutska, Yu. Prylutskyy, U. Ritter, P. Scharff // Біотехнологія, т.3, №4, с.62-66 (2011)

• Расслоение твёрдого раствора GeSi на подложках GaAs и Si

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Известия вузов. Материалы электронной техники, №4, с.8-11 (2012)

• Growth of III-V semiconductor layers on Si patterned substrates

  T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, P.S. Smertenko, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger, R. Ciach, M. Faryna // Thin Solid Films, v.336, №1-2, p.63-68 (1999)

• Guided-Wave Polaritons in ZnO/6H-SiC Structures

  E.F. Venger, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk, T.V. Shovkoplyas // XVI International Conference on Spectroscopy of Molecules and Crystals. Proceedings of The International Society For Optical Engineering, Kiev, Ukraine, v.5507, p.126-131 (2004)

• Электронные свойства обработанной HCl поверхности GaAs

  Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко // Физика и техника полупроводников, т.33, №10, c.1196-1199 (1999)

• Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide

  Ye.F. Venger, V.V. Milenin, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, D.I. Voitsikhovskiy, I. Hotovy, V.N. Ivanov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.2, №1, р.124-132 (1999)

• Образование энергетической щели у полуметалла Hg1-xCdxTe при одноосной деформации

  С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.21, вып.11, с.2066-2071 (1987)

• High-frequency electron paramagnetic resonance study of the as deposited and annealed carbon-rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films

  А.V.Vasin, E.N.Kalabukhova, S.N.Lukin, D.V.Savchenko, V.S.Lysenko, A.N.Nazarov, A.V.Rusavsky and Y.Koshka // MRS Symp. Proc, v.1069, Warrendale, PA, D07-11, p.175-180 (2008)

• Hypertermic Effect of Multi-Walled Carbon Nanotubes Stimulated with Near Infrared Irradiation for Anticancer therapy: in Vitro Studies

  A. Burlaka, S. Lukin, S. Prylutska, O. Remeniak, Yu. Prylutskyy, M. Shuba, S. Maksimenko, U. Ritter, P. Scharff // Experimental Oncology, v.32, №1, p.48-50 (2010)

• Оценка качества в медицинской рентгенодиагностике, ч.I

  А.Б. Сиднев // журнал MED @ TECH «Медицинская техника и оборудование», №4 ноябрь 2008, К.: «Издательский дом «МедиаФорсажГрупп», с.53-55 (2008)

• Фотоелектричнi властивостi структур n-Cd0,2Hg0,8Te/CdTe з анодним окислом

  С.Г. Гасан-заде // Український фізичний журнал, т.43, №10, с.1300-1302 (1998)

• Identification and Kinetic Properties of the Photosensitive Impurities and Defects in High-Purity Semi-Insulating Silicon Carbide in Properties and Applications of Silicon Carbide

  D.V. Savchenko, B.D. Shanina, E.N. Kalabukhova // edited by Rosario Gerhardt, InTech,536p. (33,5), Part A: «Thin Films and Electromagnetic Applications», Ch.1, pp.3-28, ISBN: 978-953-307-201-2 (2011)

• Оценка качества в медицинской рентгенодиагностике, ч. II

  А.Б. Сиднев // журнал MED @ TECH «Медицинская техника и оборудование», №5 декабрь 2008 - январь 2009, К.: «Издательский дом «МедиаФорсажГрупп», с.43-45 (2009)

• Influence of laser radiation on catalic properties of silicon electrodes

  V.E. Primachenko, L.L. Fedorenko, Ju.A. Tshyrkunov, S.A. Zyn’o, S.I. Kirillova, V.A. Chernobay, E.F. Venger // Semiconductors Physics, Quantum and Optoelectronics, v.10, №3, р.1-6 (2007)

• Influence of neutron irradiation on electrooptical and structural properties of silicon

  A.A. Groza, E.F. Venger, V.I. Varnina, R.Yu. Holiney, P.G. Litovchenko, L.A. Matveeva, A.P. Litovchenko, M.I. Starchik, V.I. Sugakov, G.G. Shmatko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.4, №3, p.152-155 (2001)

• Influence of oxidation of catalic active electrodes on silicon basis on water decomposition

  V.E. Primachenko, A.A. Serba, V.A. Chernobay, E.F. Venger // Semiconductors Physics, Quantum and Optoelectronics, v.10, №1, р.88-96 (2007)

• Influence of self heating and noise on accuracy limit of temperature measurement by diode temperature sensors. Modelling and experiment

  Yu.M. Shwarts, V.N. Sokolov, M.M. Shwarts, I.A. Fyodorov, E.F. Venger // 32 Всероссийское Совещание по физике низких температур, Казань, Розсип, с.106-107 (2000)

• Influence of some physics-chemical factors on electrode properties by catalic water decomposition

  V.E. Primachenko, A.A. Serba, V.A. Chernobay, E.F. Venger // Semiconductors Physics, Quantum and Optoelectronics, v.10. №2, р.40-45 (2007)

• Эпитаксиальные слои на пористых подложках InP и приборы на их основе

  Е.Ф. Венгер, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, П.М. Литвин, О.С. Литвин, В.В. Миленин, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, С.Г. Конников, А.А. Ситникова, В.П. Улин // Материалы Международной научно-практической конференции «Структурная релаксация в твердых телах», 13-15 мая, Винница, Украина, с.115-119 (2003)

• Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл-InP и металл-GaAs

  Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Г.С. Коротченков, В.В. Миленин, Э.В. Руссу, И.В. Прокопенко // Киев, КТНК, 234 с. (1999)

• Вирощування та дослідження напівпровідникових твердих розчинів (InSb)1-x(CdTe)x

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, Л.М. Кнорозок // Фізико-математичний збірник: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, с.5-23 (2005)

• Interactions between Phases and Thermal Stability of TiBx (ZrBx)-n SiC6H Contacts

  N.S. Boltovets, I.I. Ivanov, S.K. Abdizhaliev, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, O.E. Rengevych, E.F. Venger, S.I. Vlaskina // Proc. the Fourth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 14-16 October, Smolenice Casta, Slovakia, p.95-98 (2002)

• Interactions Between Phases in the Barrier Contacts for Power Schottky Diodes Based on Si and GaAs Epitaxial Structures

  N.S.Boltovets, R.V.Konakova, V.G.Lyapin, V.V.Milenin, E.A.Soloviev, E.F.Venger, D.I.Voitsikhovskyi, A.B.Kamalov, M.B.Tagaev, O.D.Smijan // Proc. 5rd International Seminar on Power Semiconductor, ISPS-2000, Prague, Czech Republic, p.115-120 (2000)

• Interdiffusion and quantum-dimensional effect in solar cells with fullerene

  R.V. Konakova, L.A. Matveeva, E.Yu. Kolyadina, V.V. Shynkarenko, P.L. Neluba // Материалы 3-й Международной конференции “Физика электронных материалов”, Россия, Калуга, 1-4 октября, 2008, т.1, с.196-200 (2008)

• Interface model of low temperature plastiсity in high unaxially strained monocrystalline semiconductors

  Yе.F. Venger, V.V. Kolomoyets, V.F.Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.3, №3, p.291-294 (2000)

• Internal stress in RF PECVD a-C:H films deposited on silicon substrate

  A.V. Vasin, L.A. Matveeva, A.G. Gontar, O.M. Kutsay // Сб. докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, Украина, с.148-150 (2001)

• Intrinsic Defects in nonstoichimoetric beta-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods

  D.V. Savchenko, A. Pöppl, E.N. Kalabukhova, E.F. Venger, M.P. Gadzira, G.G. Gnesin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.13, p.43-50 (2010)

• Intrinsic defects in SiC nanoparticles as studied by pulsed electron paramagnetic resonance

  D.V. Savchenko, A. Pöppl, J. Hoentsch, E.N. Kalabukhova, Y. Bulois, A. Kassiba // Solid State Communications, v.146, №1-2, p.83–87 (2008)

• Intrinsic defects in undoped semi-insulating 6H SiC

  E.N. Kalabukhova, D.V. Savchenko, S.N. Lukin, T.S. Sudarshan, Y.I. Khlebnikov, W.C. Mitchel, S. Greulich-Weber // Mater. Res. Soc. Symp. Proc., v.911, p.B05-07 (2006)

• Investigation of depth inhomogeneity of ZnTe, CdZnTe, ZnSe epilayers grown on (001)GaAs by MBE

  E.F. Venger, Yu.G. Sadof’ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Klad’ko, B. Embergenov, B.R. Dzhumaev, L.V. Borkovskaya, M.P. Semtsiv, M. Sharibaev // SPIE Proceedings, v.3890, p.170-176 (1999)

• Investigation of on the photoelastic effect in high values the absorptivity

  I.I. Boiko, Ye.F. Venger, Ye.V. Nikitenko, B.K. Serdega // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.2, №2, р.352-357 (1999)

• Investigation of physical mechanisms metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals

  S.I. Budsulyak, V.M. Ermakov, B.R. Kyjak, V.V. Kolomoets, V.F. Machulin, M.K. Novoselets, L.I. Panasuk, B.B. Suss, E.F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.6, №1, p.37-40 (2003)

• Investigation of surface excitations in optically-anisotropic 6H-SiC single crystals placed in a uniform magnetic field

  E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Сборник научных трудов, Грузия, Телавский государственный університет, №1(25), с.22-44 (2012)

• Investigation of surface excitations in optically-anisotropic ZnO single crystals placed in a uniform magnetic field

  E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Вестник БарГУ. Серия: физико-математические науки, вып.1, с.131-151 (2013)

• Investigation of the surface properties of fullerene films using the wetting method

  L.Yu. Ostrovskaya, V.M. Perevertailo, L.A. Matveeva, E.M. Shpilevsky, V.G. Ralchenko // Advances in science and technology, v.39, p.105-114 (2003)

• Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafer

  R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.2, №4, p.10-12 (1999)

• Избыточные токи и структурные дефекты в InxGa1-xAs:Si

  Т.В. Торчинская, Т.А. Бердинских, Е.Ю. Брайловский, Г.Н. Семенова, Л.А. Матвеева, Н. Ариас // Физика и техника полупроводников, т.18, вып.8, с.1397-1402 (1984)  

• Irradiation influence on properties of fullerene C60 coating on titanium alloy

  V.V. Lashneva, Yu.G. Tkachenko, I.P. Neshpor, L.A. Matveeva, P.L. Neluba // X International Conference “Hydrogen materials Science and Chemistry of Carbon Nanomaterials” ICHMS’2007, Ukraine, Sudak, September 22-28, 2007, p.584-587 (2007)

• Kinetics of the behaviour of photosensitive impurities and defects in high-purity semi-insulating silicon carbide

  D.V. Savchenko, B.D. Shanina, S.N. Lukin., E.N. Kalabukhova // Physics of the Solid State, v.51, №4, р.733-740 (2009)

• Lateral and depth inhomogeneities in Zn-based heterostructures grown on GaAs by MBE

  E.F. Venger, Yu.G. Sadof’ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Klad’ko, L.V. Shechovtsov, M.P. Semtsiv, L.V. Borkovskaya, S.Yu.Sapko // Thin Solid Films, №367, p.184-188 (2000)

• Lichtenecker’s equation: applicability and limitations

  A.V. Goncharenko, V.Z. Lozovski, E.F. Venger // Optics Communications, v.174, №1-4, p.19-32 (2000)

• Спектри ІЧ-відбивання монокристала LiNbO3 в області «залишкових променів»

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, О.В. Сенченко // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М.Гоголя, с.55-58 (2013)

• Сингулярні поверхневі збудження в оптично-анізотропних монокристалах LiNbO3

  Є.Ф. Венгер, Д.В. Корбутяк, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, c.71-78 (2014)

• Local-field enhancement of spontaneous decay in nanosystems: some estimations for dielectric particles

  A.V. Goncharenko, M.M. Dvoynenko, V.Z. Lozovski, K.S. Kim // Applied Physics B: Lasers and Optics, v.79, №7, p.863-870 (2004)

• Low-temperature anomalies of photomagnetic effect in p-Hg1-xCdxTe

  S.G. Gasan-zade, G.A. Shepelskii, M.V. Strikha // Proc.SPIE, v.3890, p.264-269 (1999)

• Low-temperature Ge film resistence thermometers

  V.F. Mitin, E.F. Venger, N.S. Boltovets, M. Oszwaldowski and T. Berus // Sensor and Actuators A, v.68, №1-3, p.303-306 (1998)

• Luminescence and EPR Characterization of Vanadium Doped Semi-Insulating 4H SiC

  E.N. Kalabukhova, D.V. Savchenko, S. Greulich-Weber, M.F. Bulanyi, S.A. Omelchenko, O.V. Khmelenko, A.A. Gorban, E.N. Mokhov // Mat. Sci. Forum, v.527-529, p.651-654 (2006)

• Magnetic Properties of Lewis Lung Carcinoma and Antitumor Magneto-Sensitive Complex

  V.E. Orel, A.D. Shevchenko, A.V. Romanov, A.P. Burlaka, S.M. Lukin, E.P. Sidorik, E.F. Venger // Proceedings of conference IFMBE, Riga, Latvia, February, 12-15, 2013, p.86-89 (2013)

• Magnetic Properties of the Nanosized Carbon Clusters in Hydrogenated Amorphous Silicon-Carbide Films

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, B.D. Shanina, A.V. Vasin, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, A.V. Rusavsky, Y. Koshka // Proc. of XI International Conference “Hydrogen Materials Science & Chemistry of Carbon Nanomaterials", ICHMS’2009, Yalta, Ukraine, August 25-31, 2009, р.492-495 (2009)

• Magnetic resonance and optical study of carbonized silica obtained by pyrolysis of surface compounds

  D. Savchenko , E. Kalabukhova , A. Sitnikov, A. Vasin, S. Starik, O. Gontar, G. Rudko, A. Nazarov, V. Lysenko, V. Tertykh // Adv. Mat. Res., v.854, p.99-104 (2014)

• Magnetron deposition of the Silicon-Carbon films on unheated Si substrate

  R. Ciach, T.Ya. Gorbach, L.A. Matveeva, J. Morgiel, S.V. Svechnikov, A.V. Vasin, E.F. Venger // EMRS Proceedings of New Photovoltaic Materials for Solar Cells, Cracow, Poland, p.117-120 (1996)

• Mechanical stresses in the heterosystems germanium-gallium arsenide

  I.I. Datsenko, A.P. Klimenko, L.A. Matveeva, I.V. Prokopenko, Yu.A. Tkhorik // Thin Solid Films, v.33, №3, p.275-281 (1976)

• Mechanism of Misfit Dislokation Network Formation in the Heteroepitaxial System Ge-GaAs (001)

  V.I. Vdovin, L.A. Matveeva, G.N. Semenova, M.Ya. Skorohod, Yu.A. Tkhorik, L.S. Khazan // Phys. Stat. Sol. (a), v.92, №2, p.379-390 (1985)

• Mechanism of nitrogen incorporation in the amorphous carbon films for different method of deposition

  A.V. Vasin, R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, V.G. Vysotsky // Proceedings of 4th International Symposium on Diamond Films and Related Materials, Kharkov, c.167-170 (1999)

• Microgeometry and effective permittivity of discontinuous metal films

  A.V. Goncharenko, E.F. Venger // Applied Physics A, v.74, p.649-654 (2002)

• Microscopic structure of shallow donors in silicon carbide

  J.-M. Spaeth, S. Greulich-Weber, M. März, E.N. Kalabukhova, S.N.L ukin // Mat. Res. Soc. Symp. Proceedings, v.442, p.619-624 (1997)

• Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals

  N.S. Boltovets, V.V. Basanets, V.N. Ivanov, V.A. Krivutsa, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, E.F. Venger, D.I. Voitsikhovskyi, V.V. Kholevchuk, V.F. Mitin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.3, №3, р.359-370 (2000)

• Низкотемпературные особенности фотоэлектрических характеристик MnxHg1-xTe

  С.Г. Гасан-заде, В.И. Каленик, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.30, вып.1, с.63-70 (1996)

• Molecular-beam epitaxial growth of CdZnTe/ZnTe QW structures and superlattices on GaAs (100) substrates for optoelectronics

  E.F. Venger, Yu.G. Sadof’ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Klad’ko, B. Embergenov, L.V. Borkovskaya, M.P. Semtsiv, M.Sharibaev // SPIE Proceedings, v.3890, p.537-451 (1999)

• Multifrequency EPR Study of Mineral-Organic Nano-Associated Systems and Their Synthetic Analogous

  S.N.Lukin, A.A.Sitnikov, A.B.Brik // VII International Youth Sceintific School Actual Problems of Magnetic Resonance and Application, Kazan, Russia, p.99-103(2004)

• Multipole expansions and generalized F-sum rules in the space-dispersive electrodynamics

  V.N. Piskovoy // Optiks. Communs, v.285, №1, p.46-50 (2012)

• Деградация параметров полупроводниковых структур при термоциклировании и электрическаая активность дислокаций в n-CdHgTe

  С.Г. Гасан-заде // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.33, с.91-93 (1998)

• Фотоэлектрические явления в n-CdxHg1-xTe при одноосной деформации

  С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.17, вып.11, с.1913-1917 (1983)

• Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси на оптические свойства n+-GaAs

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, Н.А. Дмитрук, А.Д. Прокофьев, Н.А. Фидря // Физика и техника полупроводников, т.26, вып.2, с.352-357 (1992)

• Контроль структурної досконалості епітаксійних плівок n-GaAs методом електровідбивання

  П.О. Генцарь, Л.О. Матвеєва, Л.А. Демчина, Є.Ф. Венгер // Фізика і хімія твердого тіла, т.5, №2, с.237-242 (2003)

• Улучшение структурного совершенства эпитаксиальных плёнок n-GaP под воздействием гамма-облучения

  П.А. Генцарь, Л.А. Матвеева, Е.Ф. Венгер // Материалы 5-й международной конференции «Взаимодействие излучений с твёрдым телом», Минск, Беларусь, с.231-233 (2003)

• Електровідбиття епітаксійних плівок n-GaP та n-GaAs

  Є.Ф. Венгер, П.О. Генцарь, Л.О. Матвеєва // Український фізичний журнал, т.51, №7, с.679-684 (2006)

• Зв’язок між осциляціями Келдиша-Франца та електронними параметрами в епітаксійних плівках n-GaP та n-GaAs

  Є.Ф. Венгер, П.О. Генцарь, Л.О. Матвеєва // Доповіді Національної академії наук України, №5, с.81-88 (2004)

• N-VSi-related center in non-irradiated 6HSiC nanostructure

  N. Bagraev, E. Danilovskii, D. Gets, E. Kalabukhova, L. Klyachkin, A.Malyarenko, D. Savchenko, B. Shanina // AIP Conference Proceedings, v.1583, p.243-247 (2014)

• ЭПР и электрополевые эффекты в монокристаллах NaCl:Еu2+ и NaCl:Мn2+

  Е.Н. Калабухова, В.М. Маевский, Б.К. Круликовский // Физика твердого тела, т.18, с.2136-2138 (1976)

• Nano-thin films of Ge on GaAs: preparation and properties

  V.F. Mitin, P.M. Lytvyn, V.V. Kholevchuk, L.A. Matveeva, E.Yu. Kolyadina, E.F. Venger, V.K. Lazarov, P.J. Hasnip, I.E. Kotenko, V.V. Mitin // Proceedings of the 2nd International Conference on Nanotechnology: Fundamentals and Applications, Ottawa, Ontario, Canada, 28-29 July 2011, Paper № 283-1-8 (2011)

• Nanostructure of a-C:N films characterized by Raman spectroscopy

  A.V. Vasin, O.V. Vasylyk, L.A. Matveeva // Proceedings SPIE, v.3359, p.359-362 (1998)

• Nanostructure of hydrogenated amorphous carbon films

  A.V. Vasin, E.F. Venger, L.A. Matveeva, I.A. Kossko // International journal of hydrogen energy, v.10, №23, p.945-947 (1998)

• Nanostructured metamaterials with broadband optical properties

  A.V. Goncharenko, V.U. Nazarov, Chen Kuan-Ren // Opt. Mater. Express, v.3, №2, p.143-156 (2013)

• Исследование неоднородности легирования в области истощения контакта Шоттки NbN-GaAs

  Е.Ф. Венгер, И. Готовы, В.Б. Попов, С.Ю. Сапко, Л.В. Шеховцов // Сборник докладов 14-го Международного симпозиума “Тонкие пленки в оптике и электронике”, Харьковская научная ассамблея, 22-27 апреля, Харьков, Украина, с.143- 146 (2002)

• Термічна модифікація контакта Шоттки NbN-GaAs

  І. Готови, Л.В. Шеховцов // Тези доповідей ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, Чернівці, Україна, 20-24 вересня, 2004, т.2, с.440-441 (2004)

• Межфазные взаимодействия в гетеропереходах NbNx-GaAs, стимулированные термической и радиационной обработками

  И. Готовы, А.А. Беляев, Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, В.Г. Ляпин, В.В. Миленин, Ю.А. Тхорик, Г.Н. Кашин // Физика и химия обработки материалов, №4, c.72-77 (1999)

• Near-field Characterization on Light Emanated from Subwavelength Plasmonic Double Slit of Finite Length

  Kim Ki Young, A.V. Goncharenko, Jian-Shiung Hong, and Kuan-Ren Chen // Journal of the Optical Society of Korea, v.15, №2, p.196-201 (2011)

• New Ideas Concerning the Nitrogen Donor States in Noncubic SiC Basing on the High-Resolution EPR Data

  B.D. Shanina, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov // Defect and Diffusion Forum, v.103-105, p.619-626 (1993)

• New insight in Scandium-mediated growth techniques: Sc-related defects in 4H-SiC and 6H-SiC

  U. Gerstmann, S. Greulich-Weber, E. Rauls, J.-M. Spaeth, E.N. Kalabukhova, E.N. Mokhov, F. Mauri // Mat. Sci. Forum, v.556-557, р.469-472 (2007)

• New type of thin film germanium resistance for use in a wide temperature range

  V.F. Mitin, Yu.A. Tkhorik, E.F. Venger // Proc. 16th International Cryogenic Engineering Conference, Kitakyshu, Japan, May 20-24, p.117-120 (1996)

• Niobium nitride- gallium arsenide contacts: Physical-chemical properties and electrophysical characteristics

  I. Hotovy, G.N. Kashin, R.V. Konakova, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, Yu.A. Tkhorik, E.F. Venger, A.E. Belyaev // Proc. Of the Int. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, October 20-24, Smolenice Slovakia, p.49-58 (1996)

• Nitrogen donor aggregation in 4H-SiC investigated via g-tensor calculations

  U. Gerstmann, E. Rauls, S. Greulich-Weber, E.N. Kalabukhova, D.V. Savchenko, A. Pöppl, F. Mauri // Mat. Sci. Forum, v.556-557, р.391-394 (2007)

• Центры (NO3)2- в синтетическом гидроксилапатите

  И.П. Ворона, С.С. Ищенко, Н.П. Баран, В.В. Рудько, И.В. Затовский, Н.А. Поварчук, В.Ю. Городилова // ФТТ, т.52, №11, с.2211-2215 (2010)

• Центры NO32- и СО2- в синтетическом гидроксилапатите: особенности образования при γ- и УФ-облучении

  Н.П. Баран, И.П. Ворона, С.С. Ищенко, В.В. Носенко, И.В. Затовский, Н.А. Горoдилова, В.Ю. Поварчук // ФТТ, т.53, вып.9, с.1791-1794 (2011)

• Novel Method for Optimization of Diode Temperature Sensors

  Yu.M. Shwarts, V.L. Borblik, N.R. Kulish, E.F. Venger, V.N. Sokolov // Proceeding of the 13th European Conference on Solid-State Transducers, Session 13P: Physical Sensors and Systems, p.403-406 (1999)

• (O2)- and NO-effects of neutrophils on Matrix Metalloproteinases -2 and -9 activity in gastric cancer

  A. Burlaka, I. Ganusevich, S. Lukin, E. Lukyanchuk, E. Sidorik // Український біохімічний журнал, т.81, вып.4, с.148 (2009)

• Observation of surface and interface phonon-polaritons in superlattices

  N.L. Dmitruk, A.V. Goncharenko, O.S. Gorea, A.S. Keyanu, V.R. Romaniuk, O.M. Tatarinskaya, E.F. Venger // Proc. of Int. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice, Slovakia, v.2, p.383-386 (1996)

• On the microscopic structures of shallow donors in 6H SiC: studies with EPR and ENDOR

  S. Greulich-Weber, M. Feege, J.-M. Spaeth, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov // Sol. St. Comm., v.93, p.393-397 (1995)

• On the nature of transition layer and heat tolerance of TiBx/GaAs-based contacts

    N.L. Dmitruk, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, O.S. Lytvin, P.M. Lytvin, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, E.F. Venger, D.I. Voitsikhovskyi, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov // Applied Surface Science, v.166, p.520-525 (2000)

• Optical and electron paramagnetic resonance study of sponge silicon carbide prepared by direct synthesis

  V.S. Kiselov, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, A.A. Sitnikov, V.A. Yukhymchyk, R. Yakimova // Mat. Sci. Forum, v.556-557, р.399-402 (2007)

• Optical and magnetic resonance study of a-SiCxNy films obtained by magnetron sputtering

  D. Savchenko, V. Kulikovsky, V. Vorlíček, J. Lančok, V. Kiselov, E. Kalabukhova // Physica Status Solidi (b), v.251, p.1178-1185 (2014)

• Optical phonon damping in the ultrathin-layer GaAs/AlAs superlattice

  M.M. Dvoynenko, A.V. Goncharenko, V.R. Romaniuk, E.F. Venger // Superlatt. Microstruct., v.26, №5, p.333-342 (1999)

• Optical properties of core-shell particle composites. I. Linear response

  A.V. Goncharenko // Chemical Physics Letters, v.386, №1-3, p.25-31 (2004)

• Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system

  R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovskyi, A.B. Kamalov, E.Yu. Kolyadina, P.M. Litvin, O.S. Litvin, L.A. Matveevа, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.4, №4, p.122-126 (2001)

• Сorrelation of the deposition parameters, film thickness and mechanical stresses in a-C:H films on silicon substrates

  A.V. Vasin, L.A. Matveeva, A.G. Gontar, A.M. Kutsay // Functional materials, №1, p.173-175 (2000)

• Низкотемпературные аномалии фотоелектромагнитного еффекта в p-CdxHg1-xTe, обусловленные перезарядкой поверхностных состояний

  С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский // ФТП, т.42, №4, c.431-437 (2008)

• Фотомагнитный эффект в Pb1‑xSnxTe при низких температурах

  С.Г. Гасан-заде, В.В. Орлецкий, Л.Ф. Прокопчук, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.10, вып.12, с.2370-2373 (1976)

• Peculiarities of injected phenomena in heavily doped silicon structures and developing radiation-resistance diode temperature sensors

  Yu.M. Shwarts, V.N. Sokolov, M.M. Shwarts, E.F. Venger //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.6, №2, p.233-237 (2003)

• Percolation threshold for Bruggeman composites

  A.V. Goncharenko, E.F. Venger // Physical Review E, v.70, №5, 057102 (1-4) (2004)

• Phonon modes of short-period (GaAs)n/(AlAs)n superlattices

  T.R. Yang, M.M. Dvoynenko, A.V. Goncharenko // Physics Letters A, v.293, p.272-276 (2002)

• Photo EPR and Hall measurements on undoped high purity semi-insulating 4H-SiC substrates

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, W.C. Mitchel, W.D. Mitchell // Materials Science Forum, v.457-460, p.501-504 (2004)

• Photoelectromagnetic effect in Hg1-xCdxTe epitaxial layers

  S.G. Gasan-zade, S.V. Stariy, M.V. Strikha, G.A. Shepelsky // Український фізичний журнал, т.49, №2, p.160-166 (2004)

• Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals

  E.B. Kaganovich, S.I. Kirilova, E.G. Manoilov, V.E. Primachenko, S.V. Svechnikov, E.F. Venger, I.R. Bazylyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, v.5, №2, p.125-132 (2002)

• Physical properties of C60 fullerene nanostructures

  E.Y. Kolyadina, L.A. Matveeva, P.L. Neluba, V.V. Shlapatskaya // Materials Science and Engineering Technology, №2-3, p.144-149 (2013)

• Physico-chemical properties and electrophysical caracteristics of niobium nitride-gallium arsenide heterostructures

  A.A. Belyaev, R.V. Konakova, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, Yu.A. Tkhorik., E.F. Venger, I. Hotovy, G.N. Kashin // Journal of Electr. Engineering, v.50, №3-4, р.98-101 (1999)

• Physico-chemical properties of fullerene C60 based coatings

  V.V. Lashneva, V.A. Dubok, Yu.G. Tkachenko, L.A. Matveeva, A.V. Rusakovsky, V.A. Yuhimchuk, A.P. Klimenko // Proc. of VIII International Conference ICHMS, September 14-20, Sudak, Crimea, Ukraine, p.720-723 (2003)

• Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes

  A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, E.F. Venger, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, G.V. Milenin // Under the general editorship of Corresponding Member of NASU Prof. A.E. Belyaev, Dr. Phys.-Mat. Sci., Prof. R.V. Konakova, Dr. Tech. Sci., Kyiv. Akademperiodyka, 182 p. (14,79), 300екз, ISBN 978-966-360-176-2 (2011)

• Влияние примеси золота и отжига на фотолюминесцентные и электронные свойства системы por-Si/p-Si

  Е.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.37, с.132-142 (2002)

• Porous silicon / silicon structure investigation by the method of photovoltage

  E.F. Venger, E.B. Kaganovich, S.I. Kirilova, E.G. Manoilov, V.E. Primachenko, S.V. Svechnikov // Proc. of Nanomeeting “Physics, Chemistry and Application of Nanostructures”, Minsk, p.44-47 (1999)

• Possible Role of Hydrogen within donor-like X centre in Semi-Insulating 4H SiC

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, W.C. Mitchel, S. Greulich-Weber, E. Rauls, U. Gerstmann // Mat. Sci. Forum, v.527-529, p.559–562 (2006)

• Probing plasmonic system by the simultaneous measurement of Raman and fluorescence signals of dye molecules

  M.M. Dvoynenko, Z.I. Kazantseva, V.V. Strelchuk, O.F. Kolomys, E.G. Bortshagovsky, E.F. Venger, P. Tronc // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.14, №2, p.195-199 (2011)

• Prospects of usage of materials with fullerene coatings for endoprosthesis of joints

  V.V. Lashneva, Yu.G. Tkachenko, V.A. Dubok, D.V. Schur, V.V. Sychev, L.A. Matveeva // Nanostructured Materials and Coatings for Biomedical and Sensor Applications, Kluwer Academic Publishers, printed in Netherland, p.103-109 (2003)

• Pulsed ENDOR study of the nitrogen donors in 6H SiC grown under carbon-rich conditions

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, A. Pöppl, B.D. Shanina, E.N. Mokhov // Proceedings of the International Conference «Modern Development of Magnetic Resonance», Kazan, Russia, September, 24-28, 2013, p.162-163 (2013)

• Pulsed EPR and ENDOR Study of SiC Nanopowders

  D. Savchenko  // Acta Physica Polonica A, v.126, №5, p.1063-1065 (2014)

• Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals

  L. Karachevtseva, S. Kuchmii, O. Kolyadina, O. Lytvynenko, L. Matveeva, O. Sapelnikova, O. Smirnov, O. Stroyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.17, №2, p.168-173 (2014)

• Rabi splitting at intersubband transition assisted by longitudinal optical phonon

  M.M. Dvoynenko and Juen-Kai Wang // Physical Review B, v.75, №24, р.24315 (1-5) (2007)

• Radiation-enhanced change of electron parameters of polymeric solar cell with fullerene-derivative composite

  R.V. Konakova, L.A. Matveeva, E.Yu. Kolyadina, P.L. Neluba, V.V. Shynkarenko, O.N. Ivanyuta, S.A. Nevmerzhytzkiy, L. Weber, U. Ritter, P. Scharff // Abstracts 6-th International conference of Electronic Processesin Organic Materials, September 25-29, Gurzuf, Crimea, Ukraine, p.58-59 (2006)

• Radiation Resistance of GaAs-Based Microwave Schottky-barrier devices

  A.E. Belyaev, J. Beza, E.F. Venger, M. Vesely, I.Yu. Il’in, R.V. Konakova, J. Liday, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, Yu.A. Tkhorik // Kiev, Interpress Ltd. -128c. (1998)

• Radiation-resistant silicon diode temperature sensors

  Yu.M. Shwarts, V.N. Sokolov, M.M. Shwarts, E.F. Venger // Sensors and Actuators A, Physical, v.88, p.271-279 (2002)

• Radiation-stimulated relaxation of internal stresses in heteroepitaxial systems

  E.Yu. Brailovskii, L.A. Matveeva, G.N. Semenova, Yu.A. Tkhorik, L.S. Khazan // Phys. Stat. Sol. (a), v.66, №1, p.K59-K62 (1981)

• Raman scattering of the plasma treated C60 films

  A.V. Vasin, L.A. Matveeva, V.O. Yuchimchuk, A.T. Bogorosh, E.M. Spilevsky // VII International conference “Hydrogen Materials Science and Chemistry of Metal Hydrides”, 16-22 September, Alushta, Ukraine, p.654-657 (2001)

• Relaxation of intrinsic stresses in Au-Ti(TiBx)-n-n+-GaAs surface barrier structures induced by microwave radiation

  E.Yu. Kolyadina, A.V. Kamalov. R.V. Konakova, K.H. Ismailov, P.M. Lytvin, L.A. Matveeva, V.V. Milenin // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції «Структурна релаксація у твердих тілах», 23-25 травня, Вінниця, Україна, с.225-227 (2006)

• Relaxation of mechanical stresses in heterosystems and interfacial electrical characteristics

  O.Yu. Borkovskaya, E.Yu. Braylovskii, N.L. Dmitruk, L.S. Khazan, T.D. Khmelik, R.V. Konakova, L.A. Matveeva, G.N. Semenova, Yu.A. Tkhorik // Proc. of the 9 Intern. Vacuum Congress. Cannes, France, v.1, Thin Films, p.203-206 (1980)

• Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it

  V.E.Primachenko, S.I.Kirillova, V.A.Chernobay // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.11, №3, p.266-285 (2008)

• Research of films of ZnO on the substrate with optical ro flew down the method IR-spectroscopy of reflection

  E.F. Venger, D.V. Korbutyak, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Transactions (Iakob Gogebashvili Telavi State University), №1(27), c.64-69 (2014)

• Revisiting strong coupling between a single molecule and surface plasmons

  M. Dvoynenko, Wang Juen-Kai // Optics Letters, v.38, №5, p.760-762 (2013)

• Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси S-полляризованные поляритоны на шероховатой поверхности полупроводника

  Е.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, Ю.А. Пасечник // Письма в ЖТФ, т.18, вып.3, с.63-66 (1992)

• Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors

  N.R. Kulish, Yu.M. Shwarts, V.L. Borblik, E.F. Venger, V.N. Sokolov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.2, №2, p.15-27 (1999)

• Separation of the contribution from gamma and UV-radiation to the EPR spectra of tooth enamel plates

  I.P. Vorona, N.P. Baran, S.S. Ishchenko, V.V. Rudko // Applied Radiation and Isotopes, v.65, №5, p.553-556 (2007)

• Система дискретных электронных состояний на границе раздела Si(100)-SiO2

  С.И. Кирилова, В.Е. Примаченко А.А. Серба, В.А. Чернобай // Микроэлектроника, т.29, №5, с.390-394 (2000)

• Отражательная способность микрорельефных поверхностей Si и Ge

  Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева, С.В. Свєчников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.4, с.41-46 (1983)

• Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл-диэлектрик

  С.И. Будзуляк, Е.Ф. Венгер, Ю.П. Доценко, В.Н. Ермаков, В.В. Коломоец, В.Ф. Мачулин, Л.И. Панасик // Физика и техника полупроводников, т.34, вып.9, с.1063-1065 (2000)

• Исследование влияния углерода на свойства гетероструктур Si/SiGe

  М.Я. Валах, В.М. Дражан, Л.А Матвеева, А.С. Оберемок, Б.Н. Романюк, В.А. Юхимчук // Физика и техника полупроводников, т.37, вып.4, с.460-464 (2003)

• Температурні залежності потенціалу і заряду в системах Si-SiO2

  С.І. Кирилова, В.Є. Примаченко, П.І. Діденко, Г.П. Романова, В.А. Чорнобай // Мікроелектроніка, т.22, №3, с.51-57 (1993)

• Влияние технологии изготовления на параметры границы раздела в классических и низкоразмерных структурах Si-SiO2

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Нові технології. Науковий вісник (КУЕІТУ), №2 (20), c.39-42 (2008)

• Электронные состояния на границе раздела Si-SiO2

  Е.Ф. Венгер, В.Е. Примаченко, С.И. Кириллова, В.А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, №38, с.45-60 (2003)

• Влияние внутренних механических напряжений на спектры электроотражения гетероструктур (Si2)1-x(GaAs)x-n(p)Si

  Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, Л.А. Матвеева, А.С. Саидов, Б. Сапаев, И.Б. Сапаев // Труды конференции «Рост, свойства и применение кристаллов», 27-29 октября, 2005 г., Нукус, Республика Узбекистан, с.49-51 (2005)

• Исследование электронных свойств поверхности SiC-6H и SiC-15R

  С.Ф. Авраменко, Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.С.Киселев, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.32, с.49-57 (1998)

• Silicon Diode Temperature Sensor for cryogenic application

  Yu.M. Shwarts, V.N. Sokolov, M.M. Shwarts, I.A. Fyodorov, E.F. Venger // The MTEC Intern. Conf. on Sensors & Transducers, NEC, Birmingham, UK, p.1-10 (2000)

• Фотолюминесценция в наноструктурированных композитах на основе SiO2:C

  А.В. Васин, А.В. Русавский, А.Н. Назаров, В.С. Лысенко, Е.Н. Калабухова, Д.В. Савченко, Г.Ю. Рудько, В.А. Тертых, Ю.П. Пирятинский // В кн.: Наноразмерные системы и наноматериалы: исследования в Украине / под общей редакцией академика НАН Украины А.Г. Наумовца, Киев: Академпериодика, c.180-185 (2014)

• Релаксационные процессы в структурах SiO2-SiC, обусловленные СВЧ воздействием

  Ю.Ю. Бачериков, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, А.Н. Кочеров, О.С. Литвин, П.М. Литвин, О.Б. Охрименко, А.М. Светличный // Труды восьмой международной научно-технической конференции ПЭМ-2002 «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», 14-19 сентября, Дивноморское, Россия, с.135-137 (2002)

• Контроль структурного совершенства и состава твердого раствора SixGe1-x в монокристаллах и тонкопленочных гетеросистемах

  Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Материалы 7-ой научно-практической конференции «Организация неразрушающего контроля качества продукции в промышленности», Турция, г.Анталия (Кемер), 9-16 мая 2010г., с.14-18 (2010)

• Оптические свойства и энергетический спектр SixGe1-x-GaAs гетеросистем

  Л.А. Матвеева, Е.Ф. Венгер // Неорганические материалы, т.32, №9, с.973-978 (1996)

• Solid electrolyte elements on the basis of ZrO2 for small-sized fuel cells and oxygen sensors

  V.V. Lashneva, V.A. Dubok, L.A. Matveeva // Materials XI Int. Conf. Hydrogen materials science and chemistry of carbon nanomaterials, 25-31 august 2009, Yalta, Ukraine, p.856-857 (2009)

• Some features of transverse photovoltage in heterostructures and Schottky contacts

  L.V. Shekhovtsov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.4, №4, p.253-259 (2001)

• Some physico-chemical characteristics of nanostructured fullerene C60 coating on heatproof alloys

  P.L. Neluba, L.A.Matveeva, V.V. Lashneva, A.D. Kostenko, I.I. Maksuta, Yu.G. Kvasnitska // Materials XI Int. Conf. Hydrogen materials science and chemistry of carbon nanomaterials, 25-31 august 2009, Yalta, Ukraine, p.526-529 (2009)

• Special type of surface states in Hg1-xCdxTe

  S.G. Gasan-zade, G.A. Shepelskii, M.V. Strikha // Physica Status Solidi B, v.247, №6, р.1492-1494 (2010)

• Spin-Coupling and Hyperfine Interaction of the Nitrogen Donors in 6H-SiC

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, V.S. Kiselev, J. Hoentsch, A. Pöppl // Phys. Status Solidi В, v.246, №8, р.1908-1914 (2009)

• Spin-coupling in heavily nitrogen-doped 4H-SiC

  D.V. Savchenko, A. Pöppl, E.N. Kalabukhova, S. Greulich-Weber, E. Rauls, W.G. Schmidt , U. Gerstmann // Mat. Sci. Forum, v.615-617, р.343-346 (2009)

• Stimulated and spontaneous far infra-red emission from uniaxially strained gapless Hg1-xCdxTe

  M. Strikha, G. Shepelskii, S. Gasan-zade // Opto-Electronics Review, v.18, №3, p.111-115 (2010)

• Stimulated emission of far infra-red radiation from uniaxially strained gapless Hg1-xCdxTe

  S.G. Gasan-zade, G.A. Shepelskii, S.V. Staryi, M.V. Strikha, F.T. Vasko // Proc. SPIE, v.3890, p.35-39 (1999)

• Strain-induced MI transition in n-Si and n-Ge: Physical mechanisms and transport phenomena

  S.I. Budzulyak, A.E. Gorin, V.M. Ermakov, V.V. Kolomoets, E.F. Venger, P. Verma, M. Yamada, E. Liarokapis, D.P. Tunstall // Phys. Stat. Sol. (B), v.223, p.519-523 (2001)

• Structural and light emission properties of silicon-based nanostructures with light excess silicon content

  L. Khomenkova, N. Korsunska, M. Baran, B. Bulakh // Physica E. Low-dimensional Systems and Nanostructures, v.41, c.1015-1018 (2009)

• Structural-phase ordering in Ta2O5-p-Si heterosystem enhanced by microwave processing

  E. Atanasova, N.S. Boltovets, E.Yu. Kolyadina, R.V. Konakova, J. Koprinarova, L.A. Matveeva, V.F. Mitin, V.V. Milenin, V.V.Shinkarenko, D.I. Voitsikhovskyi  // Proc. 23th International Conferenсe of Microelectronics, May 12 - 15, Nis, Yugoslavia, v.2, p.531-534 (2002)

• Structure and electric properties of films tin-fullerene C60

  S.F. Zhdanok, E.M. Shpilevsky, M.E. Shpilevsky, L.A. Matveeva // IX International Conference ICHMS’2005, 5-11 September, Sevastopol, Crimea, Ukraine, p.570-573(2005)

• Studies of Complex Magnetic Nanoparticles with Anticancer Agents for Cancer Therapy

  V. Orel, T. Mitrelias, A. Shevchenko, A. Romanov, C. Barnes, M. Tselepi, S. Lukin, A. Burlaka, I. Schepotin // Journal of Basic and Applied Physics, v.2, №1 , p.8-12 (2013)

• Study of Structure and Intrinsic Stresses of Ge Thin Films on GaAs

  V.V. Kholevchuk, V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, L.A. Matveeva, V.F. Mitin // Scientific Journal Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties, v.2, №1, 01PCSI20(4pp) (2013)

• Superhyperfine interactions of the nitrogen donors in 4H SiC studied by pulsed ENDOR and TRIPLE ENDOR spectroscopy

  D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, E.N. Mokhov, A. Pöppl // Mat. Sci. Forum, v.740-742, p.439-442 (2013)

• Surface polaritons in 6H-SiC single crystals placed in a strong uniform magnetic field

  E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Physics and Chemistry of Solid State, v.12, №3, p.579 - 584 (2011)

• Surface Structure and Electrical Properties of Ge Films on Semi-insulating GaAs Substrates

  V.F. Mitin, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, E.F. Venger, V.A. Odarich, O.V. Rudenko, M.P. Semenko, M.V. Khimenko // Proc. 23rd International Conference on Microelectronics, 12-15 May, Niš, Yugoslavia, v.1, p.401-404 (2002)

• Tailoring the electrical properties of Ge/GaAs by film deposition rate and preparation of fully compensated Ge films

  V.F. Mitin, V.K. Lazarov, P.M. Lytvyn, P.J. Hasnip, V.V. Kholevchuk, L.A. Matveeva, E.Yu. Kolyadina, I.E. Kotenko, V.V. Mitin, and E.F. Venger // Physical Review B, v.84, p.125316-1-6 (2011)

• Temperature sensors applicable to operate under space conditions

  Yu.M. Shwarts, E.F. Venger, M.M. Shwarts, V.L. Borblik // Proceeding of the Tenth Conference on Sensors and their Applications, Cardiff, Wales, September 5-8, p.253-257 (1999)

• Temperature sensors with high irradiation resistance for atomic application (technology, design, experiment, theory, application)

  Yu.M. Shwarts, V.N. Sokolov, M.M. Shwarts, E.F. Venger // Digest of technical papers of the 11th International Conf. on Solid - State Sensors and Actuators, Session 4B2: Flow & Thermal Sensors , Munich, Germany, p.1500-1503 (2001)

• The content of Si-SiO2 layers with high excess Si content preparated by magnetron sputtering

  M. Baran, B. Bulakh, Ye. Venger, N. Korsunska, L. Khomenkova, T. Stara // Thin Solid Films, v.517, p.5468-5473 (2009)

• The Effect of Anticancer Nanotherapy on Lewis Lung Carcinoma

  V.E. Orel, A.D. Shevchenko, N.A. Nikolov, N.N. Dzyatkovskaya, A.V. Romanov, A.Yu. Richalskiy, A.P. Burlaka, S.M. Lukin, V.N. Uvarov, I.B. Schepotin // Nanotech, v.3, Ch.5: Cancer Nanotechnology, p.388-391 (2011)

• The effect of heterojunction properties of the diode temperature sensors on low temperature current and temperature response curves

  Yu.M. Shwarts, A.V. Kondrachuk, M.M. Shwarts, L.I. Spinar, E.F. Venger // Conf. Proc. The Third Intern. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice Castle, Slovakia, p.453-456 (2000)

• The Effects in Ta2O5-p-Si Heterostructures Induced by Microwave Treatment

  E. Atanasova, E.Yu. Kolyadina, R.V. Konakova, J. Koprinarova, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, L.A. Matveeva, V.V. Milenin, V.F.Mitin, V.V. Shinkarenko, D.I. Voitsikhovskyi // Proc. of 14th International Symposium “Thin Films in Optics and Electronics”, Part 1, April 22 – 27, Kharkov, Ukraine, 84-87 (2002)

• The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon-rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, B.D. Shanina, A.V. Vasin, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, A.V. Rusavsky, J. Hoentsch, Y. Koshka // Phys. Rev. B, v.88, №15, р.155319-1-155319-9 (2010)

• The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals

  B.K. Serdega, E.F. Venger, I.E. Matyash // Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics, v.37, №10, p.1188-1192 (2003)

• The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta2O5-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment

  E. Atanassova, E.Yu. Kolyadina, R.V. Konakova, L.A. Matveeva, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.11, №4, p.311-318 (2008)

• The interface features of SiO2/SiC heterostructure according to methods for producing of the SiO2 thin films

  Yu.Yu. Bacherikov, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, E.Yu. Kolyadina, T.M. Ledn’ova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.11, №3, p.125-130 (2011)

• The mechanism of (CO2)- radical formation in biological and synthetic apatites

  V.V. Rudko, I.P. Vorona, N.P. Baran, S.S. Ishchenko, I.V. Zatovsky, L.S. Chumakova // Health Physics, v.98, р.322-326 (2010)

• The real band diagram for the metal-semiconductor heterojunction

  L.V. Shekhovtsov // Proc. of the 22nd International Conference on Microelectronics Niš, Yugoslavia, v.1, p.193-195 (2000)

• The study of the interface in GaAs-Ge and GaAs-Ge1-xSix heterosystems

  L.A. Matveeva, Yu.A. Tkhorik // Crystal Properties Preparation, v.12, p.41-44 (1987)

• The use anisotropical etched Gallium Arsenide surfaces in optoelectronics

  T.Ya. Gorbach, S.V. Svetchnikov, Yu.A. Tkhorik // Trans. Techn. Publication, v.12, c.13-16 (1987)

• Thermally stimulated transformation of the EPR spectra in gamma-irradiated bone tissue

  V.V. Rudko, S.S. Ishchenko, M.P. Baran, I.P. Vorona // Rad Meas, v.44, №3, p.239-242 (2009)

• Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impuriti studied by light polarisation modulation technique

  B.K. Serdega, Ye.F. Venger, Ye.V. Nikitenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.2, №1, p.153-156 (1999)

• Изменение фазового состава и структуры трёхслойных плёнок Ti-C60-Ti при отжиге в вакууме

  Л.В. Баран, Э.М. Шпилевский, Л.А. Матвеева, Г.П. Окатова, В.А. Ухов // Материалы ІІІ Международного симпозиума «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах», 22-25 июня, 2004, Минск, Беларусь, с.30-31 (2004)

• Переходной слой в контактах Шоттки TiB2-GaAs и Au-TiB2-GaAs

  Є.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, О.Б.Охрименко, С.Ю.Сапко, Л.В. Шеховцов, В.Н. Иванов // Физика и технмка полупроводников, т.35, вып.4, с.439-444 (2001)

• Tip-enhanced Raman spectroscopy of graphite irradiated by focused ion beam

  Tsu-Shin Chan, M. Dvoynenko, Chih-Yi Liu, Juen-Kai Wang and Yuh-Lin Wang// Optics Letters, v.34, р.2246-2246 (2009)

• Transversal photovoltage in Heterostructure and Schottky Contact

  L.V. Shekhovtsov // Proc. of the Third International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Slovakia, p.437-440 (2000)

• Trapping Recombination Process and Persistent Photoconductivity in Semi-Insulating 4H SiC

  E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, A.A. Sitnikov, W.C. Mitchel, S.R. Smith, S. Greulich-Weber // Mat. Sci. Forum, v.527-529, p.563-566 (2006)

• Исследование процесса реориентации комплексов Еu2+-вакансия в NaCl с помощью электрополевого эффекта в ЭПР

  Е.Н. Калабухова, Б.Д. Шанина, Х.К. Максимович // Физика твердого тела, т.20, с.3710-3712 (1978)

• Патент України на корисну модель по заявці № u200906663 «Перестроюваний циліндричний резонатор спектрометра електронного парамагнітного резонансу для спостереження спінової луни у міліметровому діапазоні довжин хвиль»

  Є.Ф. Венгер, С.М. Лукін // рішення від 8 жовтня 2009р. про видачу патенту України на корисну модель по заявці № u200906663 від 24.06.09 (2009)

• Деклараційний патент на корисну модель UA № 58891 «Передавальний модуль мікрохвильового мосту для імпульсного когерентного спектрометру електронного парамагнітного резонансу 8 міліметрового діапазону довжин хвиль»

  К.М. Калабухова, О.О. Сітніков, А.В. Цвір, М.Г. Іщенко, В.В. Олійник // Опублік. 26.04.2011, Бюл. «Промислова Власність» №8 (2011)

• Патент UA70057U МПК G01Т 1/04 (2006.01) «Детектор g-випромінювання для EPR-дозиметрії»

  О.А. Бугай, Є.Ф. Венгер, В.М. Максименко // Патент UA70057U МПК G01Т 1/04 (2006.01) від 25.05.2012

• Variation of the wettability of cluster-assembled TiO2 films under the action of annealing and ultraviolet irradiation

  L.Yu. Ostrovskaya, A.P. Dementiev. P. Milani, I.N. Kholmanov, L.A. Matveeva // Physics and chemistry of solid state, v.6, №1, p.39-43 (2005)

• Vibrational spectra of Cu-C60 films

  O.P. Dmitrenko, M.P. Kulish, M.M. Biliy, M. Hietschold, S. Schulze, L.A. Matveeva, E.M. Shpilevsky, Yu.I. Prylutsky, I. Ulanski, R. Wojciechowski, M. Kozanecki // Proc. of VIII International Conference ICHMS, September 14-20, Sudak, Crimea,Ukraine, p.706-709 (2003)

• Wear resistance of fullerene C60 coating in body simulated fluid

  V.V. Lashneva, V.A. Dubok, Yu.G. Tkachenko, L.A. Matveeva // IX International Conference ICHMS’2005, 5-11 September, Sevastopol, Crimea, Ukraine, p.802-803 (2005)

• Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon

  V.E. Primachenko, S.I. Kirillova, E.G. Manoilov, I.M. Kizyak, B.M. Bulakh, V.A. Chernobai and E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, v.8, №4, p.5-13 (2005)

• Вплив механічних і хімічних обробок на оптичні властивості поверхневих шарів монокристалів ZnAs2

  Є.Ф. Венгер, І.М. Матіюк, Л.О. Матвеєва, М.Ю. Кравецький, І.О. Лазарчук // Фізика і хімія твердого тіла, т.7, №2, с.207- 211 (2006)

• Поверхностные поляритоны в системе ZnO на сапфире

  Е.Ф. Венгер, А.В. Мельничук, Ю.А. Пасесник, Е.И. Сухенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.31, с.120-128 (1996)

• Дослідження поверхневих поляритонів ZnO у сильному однорідному магнітному полі

  Є.Ф. Венгер, А.І. Євтушенко, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М.Гоголя, с.35-43 (2009)

• Дослідження оптичних властивостей монокристалів ZnO в області максимуму залишкових променів

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, Л.В. Стрельнікова // Фізико-математичний збірник. Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДПУ ім. М. Гоголя, с.88-95 (2004)

• Исследование монокристаллов ZnO и 6Н-SiC методами ИК-спектроскопии

  Е.Ф. Венгер, А.И. Евтушенко, А.В. Мельничук, Л.Ю. Мельничук // Сборник научных трудов (Грузия. Телавский государственный университет), №2 (24), с.30-34 (2009)

• Магниторефлекционный эффект в тонких пленках ZnO на «полубесконечной» подложке 6H-SiC

  А.И. Евтушенко, А.В. Мельничук // Сборник научных трудов (Грузия. Телавский государственный университет), №1 (27), c.58-63 (2014)

• Дисперсія та коефіцієнти затухання поверхневих фононних поляритонів у структурах ZnO/6HSiC

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, Л.В. Стрельнікова // Фізико-математичний збірник. Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДПУ ім. М. Гоголя, с.81-88 (2004)

• Дослідження тонких плівок ZnO на поверхні SiO2 методом ІЧ-спектроскопії відбивання

  Є.Ф. Венгер, Л.Ю. Мельничук, О.В. Мельничук, Ю.І. Хроколова // Фізико-математичні записки: Збірник наукових праць, Ніжин: Видавництво НДУ ім. М.Гоголя, с.59-65 (2013)

• Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига

  Н.Е. Корсунская, Ю.Ю. Бачериков, Т.Р. Стара, В.П. Кладько, Н.П. Баран, А.В. Жук, Ю.О. Полищук, А.В. Кучук, Е.Ф. Венгер // ФТП, т.47, №5, с.702-709 (2013)

• Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и монослойных структурах

  Е.Ф. Венгер, Ю.Г. Садофьев, Г.Н. Семенова, Н.Е. Корсунская, В.П. Кладько, М.П. Семцив, Л.В. Борковская // Физика и техника полупроводников, т.34, вып.1, с.13-18 (2000)