V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Department for Diffraction Analysis of the Structure of Semiconductors

 


Head of Department,

Corresponding Member of NAS of Ukraine,

Doctor of Science (Phys.&Math),

Professor Vasyl Kladko

Phone: 525-57-58; in.:4-36

e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Staff

The Group of High-resolution of X-ray Diffraction and Computer Simulations of the Diffraction Processes:

DSCN4203

  Vasyl Kladko,

  Head of Department, Correspondig Member of

  NAS  of Ukraine, Doctor of Sci. (Phys.&Math)Professor

  Phone:525-57-58; in.:4-36
  e-mail:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

 

 AIbEiAIAAABECN-Gjb2dybC4igEiC3ZjYXJkX3Bob3RvKigwYjExM2Q4ZTJhMDg5NzMyNDBlMTVlNTgyZTk3N2M1MzIyNTc4MzhlMAHv Vp FMT2bNopumubl8flgezgUg
   Stanchu Hrigoryi ViktorovichGraduate Student, 
  Phone: 525-58-53; in.: 5-32;      
  e-mail:h. This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
 

 

The Group of High-resolution X-ray Diffractometry of Nanosystems:

Gudyenko

  Gudymenko Olexandr Yosypovich Cand. Sci.

  in Phys.&Math., Researcher
  Phone: 525-58-53;  in.: 4-39; 
  e-mail:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

19005

   Slobodian Mykola Vasylyovich,
  
Cand. Sci. in Phys.&Math., Researcher
  Phone: 525-58-53;  in.: 5-32; 
  mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
IMG 1498 4

   Kryvyi Serhiy Borysovich, Graduate Student,  

  Phone: 525-58-53; in.: 5-32; 

  e-mail This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Lubchenko

Lubchenko Oleksiy, Graduate Student,
Phone: 525-58-53; in.: 5-32; 

Ел. пошта:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

  

The Group of X-ray Structural of Semiconductors and Heterosystems: 

19007   Kuchuk Andrian Volodymyrovych,
Cand. Sci. in Phys.&Math., Senior Researcher
Phone: 525-58-53;  in.: 5-32
e-mail:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
99401

Safriuk Nadiya Volodymyryvna,

Cand. Sci. in Phys.&Math., Researcher
Phone: 525-58-53;  in.: 5-32; 

e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

foto001

 

Maksimenko Zoya Vasylivna,   

Junior Research, Phone: 525-58-53;

in.: 5-32
e-mail:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Polischuk

 

Polischuk Yulya Olehivna,          

Junior Research,

Phone: 525-58-53; in.: 5-32
e-mail:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

 

 

The Group of Molecular - Beam Epitaxy:

19010

Stadnik Olexandr Anatoliyovych,

Cand. Sci. in Phys.&Math., Senior Researcher

Phone: 525-62-50; in.: 5-71
e-mail:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

 

Department's manager:

19009

Proskurenko Nataly Mykolayivna

Leading Engineer,

Phone: 525-57-58;in.: 4-34
e-mail:  This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

 

Laboratory №31. Laboratory of Electron probe methods of structural and elemental analysis of semiconductor materials and systems

Head of the Department Prokopenko Igor

 

 

Field of Research

    • Study of coherent interaction of X-ray radiation with real crystals and epitaxial multilayer structures and identification of the fundamental physical principles of radiation transformation during dynamic diffraction.
    • Simulation of processes of dynamic diffraction in multilayer structures.
    • Physics of defect creation processes, structural relaxation and inter-phase interactions in semiconductor materials and systems.
    • The physical bases of X-ray diffraction determination of the parameters of real structure of multilayer epitaxial films.
    • Anomalous X-ray diffraction in semiconductor nanostructures in the range of K-edges of absorption.
    • The surface, near-surface layers, boundaries and thin films. I The study of structure and properties.
    • The development of nondestructive methods of control of structural perfection and elemental analysis of the crystals, epitaxial systems and instrumentation structures.

Achivements

Основні наукові результати за 2013 рік:

1. Встановлено вплив деформацій на зміну товщини квантової ями (КЯ) в короткоперіодних надграткових структурах AlN/GaN, вирощених методом молекулярно-пучкової епітаксії на підкладках с-сапфіру. Методом теорії функціонала густини встановлено, що термічно активований механізм заміни між адатомами Al і поверхневими атомами Ga впливає на деформаційний стан GaN КЯ. Розрахункми ab-initio підтверджений висновок про залежність зміни товщини КЯ від внутрішніх деформацій.

2. Співробітниками відділу в 2013 р. отримана Премія президента України для молодих вчених (А.В. Кучук, Н.В. Сафрюк).

Фундаментальнi результати в дослiдженнi структури напiвпровiдникiв та дифракції рентгенiвських променiв в реальних кристалах, отримані у відділі №19

Першi приклади топограм кристалiв Ge, SiC з дислокацiями, тонкоплiвкових гетероепiтаксiйних систем з так званою фрагментарною структурою, одержанi в нашiй лабораторiї М.Я. Скороходом. Найцiкавiшi топографiчнi данi по дефектних структурах, що виникають в процесi росту кристалiв, а також при пластичнiй їх деформацiї узагальненi в його кандидатськiй дисертацiї. 

Для опису дифракцiйних явищ в так званих «майже довершених» кристалах, що мiстять деяку кiлькiсть структурних дефектiв, використовується динамiчна теорiя розсiяння.

Л.I. Даценком та А.М. Гуреєвим був розвинутий неруйнуючий метод аналiзу структури кристалів з використанням товщинних залежностей стрибкiв (вiдношення) iнтегральних iнтенсивностей для довжин хвиль гальмiвного спектру рентгенівських променів (РП) поблизу К-краю поглинання атомів компонентів кристала. 

Плiднi експериментальнi методи, що полягають у вивченнi закономiрностей варiювання величини дифузної складової повної iнтенсивностей дифракцiйного максимуму реального кристала, як у разi Лауе-, так i бреггiвської дифракцiї РП, а також при використаннi явища так званого рентгеноакустичного резонансу (РАР) були запропонованi В.I. Хрупою i В.Ф. Мачулiним. 

В.I. Хрупою було встановлено, що вiдносний внесок дифузної iнтенсивностi в повну вiдбивну здатнiсть кристала з дефектами збiльшується в широкому дiапазонi поглинання РП iз зростанням порядку дифракцiї таким чином, що при деякому рiвнi спотворень структури вiдбувається поступовий перехiд закономiрностей динамiчного розсiяння до кiнематичного режиму дифракцiї. В умовах РАР вплив дефектiв на iнтенсивнiсть динамiчного максимуму посилюється, супроводжуючись придушенням когерентної складової розсiяння, iз-за чого провал величини вiдношення iнтенсивностi дифрагованого пучка рiзко зменшується в кристалi з дефектами структури. 

В.I. Хрупою було також встановлено факт рiзного впливу локалiзованих i розподiлених деформацiйних полiв на характер просторової структури дифрагованого пучка в умовах РАР, як в геометрiї Лауе, так i Брега. 

В.Ф. Мачулiним в докторськiй дисертацiї виявлений важливий для дiагностики структурного стану кристала ефект неадитивного впливу на вiдбивну здатнiсть середовища локалiзованих (статичних) i акустичних (динамiчних) деформацiй. Механiзм цього ефекту полягає в нелiнiйнiй взаємодiї рентгенiвських когерентних i некогерентних (дифузних) хвилевих полiв в процесах їх багатократного перерозсiяння на флуктуацiйних хвилях концентрацiї дефектiв.

Вперше встановлено, що в умовах реалiзацiї РАР можна дискримiнувати внесок когерентної i дифузної складових iнтенсивностi дифракцiйного максимуму, що створює сприятливi умови для визначення структурних характеристик кристалiв. При динамiчних спотвореннях структури виявлений i дифракцiйний ефект втрати чутливостi iнтенсивностi дифракцiйного максимуму в реальному кристалi до ультразвукових деформацiй, який має мiсце i при комбiнованих статичних деформацiйних полях. 

Вперше обгрунтована можливiсть визначення iнтегральних характеристик структурної досконалостi слабо спотвореного (бездислокацiйного) кристала, який мiстить комбiнованi спотворення структури (наприклад, деформацiйнi поля вiд кластерiв SiOx в кремнiй i макроскопiчно розподiленi пружнi деформацiї). Експериментальний пiдхiд, що полягає в комплексному застосуваннi аналiзу товщинних залежностей iнтенсивностей i даних ультразвукових експериментiв, дозволив не тiльки встановити природу дефектiв в цьому найбiльш складному випадку розсiяння РП, але i визначити величину статичного фактора Дебая-Валлєра, а також рiвень пружних деформацiй. 

Є.М. Кисловським було вирiшено важливе питання фiзики розсiяння РП реальним кристалом в найбiльш складному випадку комплексної дефектної структури, що складається одночасно з локалiзованих i розподiлених деформацiй. При вирiшенні цього завдання вперше було пiдтверджено експериментально (на кiлькiсному рiвнi) основнi висновки узагальненої теорiї розсiяння РП пружно зiгнутим кристалом при бреггiвськiй дифракцiї. Була показана можливiсть роздiлення внескiв в розсiяння дислокацiй i пружних деформацiй вiд ансамблiв цих дефектiв при використаннi iнтенсивностей так званих фрiделiвських пар вiдбиттiв при ефектi Бормана в окремому випадку адитивної моделi спотворень перiодичного середовища. 

Добре вiдомо, що в бiнарних кристалах, грати яких складаються з атомiв сорту А i В, iстотний вплив на механiчнi, оптичнi, електричнi та iншi властивостi цих матерiалiв роблять не тiльки дефектна структура, але i композицiйний склад. Завдання одночасного визначення не тiльки структурних характеристик, але i параметра, який характеризує ступiнь вiдхилення реального складу вiд стехiометричної композицiї, була вперше вирiшена в докторськiй дисертацiї В.П. Кладька. Для цiєї мети вiн застосував друге наближення теорiї Борна в описi величини iнтенсивностi так званих надструктурних (квазiзаборонених) вiдбиттiв (КЗВ), яка пропорцiйна рiзницi структурних або атомних формфакторiв бiнарного кристала. Такий пiдхiд, на вiдмiну вiд робiт ряду японських авторiв, адекватнiше описує структурну ситуацiю в бiнарному кристалi, не нехтуючи впливом дефектiв структури на розсiяння РП. Крiм того, ним був розглянутий бiльш загальний випадок динамiчного розсiяння, коли не можна нехтувати уявною частиною коефiцiєнта Фур'є поляризованостi в порiвняннi з його дiйсною частиною. Це дало можливiсть коректно описати ситуацiю у областi довжин хвиль гальмiвного спектру, де iстотну роль грають явища аномальної дисперсiї в реальних бiнарних кристалах GaAs, GaP. 

До iнших фундаментальних результатiв В.П. Кладька слiд вiднести встановлення факту дифракцiйного розсiяння РП в областi довжин хвиль, де дiйсна частина структурного фактора рiвна. При цьому iнтенсивнiсть дифракцiї визначається тiльки внеском уявної частини коефiцiєнтiв Фур'є-поляризованостi. Ще один важливий для додаткiв висновок, що випливає з цих дослiджень, полягає в тому, що вiдношення iнтенсивностей для нецентросиметричних площин (закон Фрiделя) у областi аномальної дисперсiї залежить в реальному кристалi вiд структурної досконалостi кристалiв. 

Для контролю параметра нестехiометрiї В.П. Кладьком були використанi два незалежнi експериментальнi пiдходи. Перший з них полягає в побудовi товщинних залежностей IВЗ в наближеннi тонкого кристала, коли спостерiгаються так званi маятниковi коливання iнтенсивностi. Для цiєї мети була обгрунтована доцiльнiсть використання тiльки дiапазону довжин хвиль гальмiвного спектру РП в довгохвильовiй областi К-краю поглинання легшого атома (Ga в GaAs). Вiдстанi мiж максимумами маятникових коливань залежать вiд екстинкцiйної вiдстанi, яка дає можливiсть розрахувати шуканий параметр. Iнший експериментальний пiдхiд полягав в аналiзi енергетичних (вiд довжини хвилi випромiнювання) залежностей вiдбивних здатностей для довжин хвиль, розташованих помiж К-країв поглинання галiю i миш'яку. 

Поширюючи далi область дослiджень КЗР на об'єкти наноструктурних розмiрiв (надгратки (НГ), квантовi точки i дроти, ланцюги квантових точок, лазернi багатошаровi структури) В.П. Кладьком i Л.I. Даценком iз спiвавторами був встановлений ряд цiкавих закономiрностей: можливiсть сепарацiї внеску в розсiюючу здатнiсть таких структур кожного з шарiв окремо, високу чутливiсть КЗР до складу субшарiв, що мiстять твердi розчини, а також вибiркову чутливiсть сателiтiв НГ до дефектної структури того або iншого шару. 

Область аномальної дисперсiї РП виявилася вельми перспективною також для якiсного i кiлькiсного аналiзу структурної однорiдностi бiнарних кристалiв (наявнiсть макровидiлень фаз компонент). Так аналiз особливостей динамiчного розсiяння РП при Лауе-дифракцiї для структурних вiдбиттів в тонких бiнарних кристалах, проведений В.П. Кладьком i Л.I. Даценком, показав, що величина стрибка iнтенсивностей, на вiдмiну вiд згаданого вище наближення товстого кристала в областях довжин хвиль поблизу К-країв поглинання компонент, не залежить вiд структурної досконалостi зразка. 

Професором В.П. Кладьком i аспірантом О.М. Єфановим з перших принципів створено теоретичну модель динамічної N-хвильової дифракції в багатошарових структурах адекватну для шарів довільної товщини; зокрема, враховано ефекти відбиття та дифракції при малих кутах падіння і виходу, а також при кутах 45 та 900. Знайдено точний напрямок дифрагованого в кристалі променя. Показано, що запропоновані рішення найчіткіше проявляються при аналізі експериментальних кривих гойдання далеко від бреггівського положення, а також дають можливість точного аналізу структур, які складаються з матеріалів, що значно відрізняються параметрами гратки та при використанні сильно асиметричної геометрії дифракції. Проаналізовано дисперсійну поверхню (як дійсну, так і уявну її частини) для геометрій Брегга та Лауе для 2-х, 3-х та N-хвильових випадків. Встановлено, що дисперсійна поверхня для поглинаючих кристалів в геометрії Брегга кардинально відрізняється від випадку Лауе. Показано, що лише у випадку дійсного дисперсійного рівняння можна говорити про діаметр дисперсійної поверхні у випадку Брегга – тоді зникає як поглинання, так і асиметрія дисперсійної поверхні і з'являється область повного відбиття.

Вперше на основі розробленої теоретичної моделі дифракції запропоновано методику контролю структури і деформації частково релаксованих шарів, яка полягає у вимірюваннях азимутальних залежностей кривих дифракційного відбиття;з’ясовано роль форми градієнта розподілу компонентів на межах поділу в багатошарових InGaAs/GaAs структурах на форму кривих дифракційного відбиття у випадку дифракції Брегга.  Зокрема, було встановлено, що найбільш адекватно криві відбиття описуються при введенні гіперболічного закону зміни градієнта складу на границі шарів.

В результаті дослідження впливу вмісту азоту в розпилювальній плазмі на формування тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, В.П. Кладьком i А.В. Кучуком отримані та узагальнені наступні наукові результати: вперше виділені три особливі зони розпилення плівок W-Ti-N, в яких спостерігаються три відмінні механізми їх формування: 1) МР – металічний режим, 2) ПР – перехідний режим, 3) НР – нітридний режим. З’ясовано, що в МР, плівки формуються переважно атомами металів W та Ti, для ПР, переважними є нітридні молекули W-N та Ti-N, а в НР, синтез плівок відбувається завдяки реакціям Ме + N = МеN (Ме: W, Ti) на зростаючій поверхні; вперше експериментально встановлено еволюцію фазового складу плівок W-Ti-N, із збільшенням в них концентрації азоту (полікристал (металічна)  - квазіаморфна - полікристал (нітридна), відповідно до режимів металічний - перехідний - нітридний), на підставі чого пояснюється збільшення атомної густини та питомого опору плівок;  виявлено, що вбудовування атомів азоту в плівках Ta-Si-N, приводить до структурно-фазового переходу нанокристалічна - аморфна плівка, який пояснюється „пасивацією” нанозерен Ta1-xSix атомами азоту, а також до переходу металоподібна плівка → ізолятор, що приводить до збільшення питомого опору плівок;  запропоновано модель формування структури плівок Ta-Si-N, яка полягає на вбудовуванні в нітрид кремнієву аморфну матрицю суміші нітриду танталу, на основі якої пояснюється аморфна структура, збільшення питомого опору, атомної густини та термостабільності плівок;• з’ясовано роль атомів кремнію в модифікації властивостей плівок нітридів тугоплавких металів, яка полягає в утворенні аморфної матриці завдяки міцного зв’язку Si-N, на підставі якої пояснюється більша ефективність ДБ Ta-Si-N, по відношенню до W-Ti-N.

Всi перелiченi вище результати стали фiзичною базою нових неруйнуючих способiв контролю ряду параметрiв, що описують структурну досконалiсть реального кристала. 

Завершуючи перелiк найважливiших результатiв по фiзицi розсiяння випромiнювань реальними кристалами, що мiстять структурнi дефекти рiзної природи, а також порушення композицiї в бiнарних сполуках, вiдзначимо, що вони узагальненi в 9 монографiях спiвробiтникiв вiддiлу. Розробки нових неруйнуючих методiв дiагностики кристалiчного стану захищенi 25 авторськими свiдоцтвами та 2 патентами України. П’ятеро спiвробiтників вiддiлу стали Лауреатами Державних премiй України в галузі науки i технiки (1983 р. - Даценко Л.І., 1994 р. - Даценко Л.І., Мачулін В.Ф., Хрупа В.І., 1995 р. - Прокопенко І.В., 2003 р. - Мачулін В.Ф., 2007 р. - Кладько В.П.). 


Developments

    •  HiCalc - OpenSource C++ програма для розрахунку структурного фактору та поляризацiйної здатностi комплексних структур. В архiвi мiститься readme файл з детальною iнструкцiєю по використанню.
    •  Accessible region in 3D reciprocal space for Bragg and Laue geometries

The program describes the dawn of reciprocal space building and geometrical explanation of diffraction: how does different type of sample and detector moving scans reciprocal space. Correct accessible region in reciprocal space for both Bragg and Laue geometries could be calculated for any crystal with any normal orientation and for any plane of incidence. Formulas for calculation of this figures could be found in appendix A. For visualization of accessible reciprocal nodes beam-passes could be plotted fig.1. Also the program shows basis of reciprocal space mapping for 1-layer and 2-layered systems. The program is very dynamic in 3 dimensions - user can change many parameters (what does every control do is described as Hint).

bragginas

    • Iншi цiкавi та кориснi програми

      RCs & Xoh - Потужнi розробки Степанова. Демо-версiї програм для розрахунку дифракцiйних спектрiв (RCs) та поляризацiйної здатностi кристалiв (Xoh).

Equipment


High-Resolution X-Ray Diffractometer X'Pert PRO MRD

XPert PRO 3                                                                  

Загальне
Високороздiльний рентгенiвський дифрактометр X'Pert PRO MRD (Голландія) у рентгенівській дифракційній системі є основною платформою для широкого застосування у аналітичній рентгенівській дифракції як у наукових, так і у індустріальних дослідженнях. Ці застосування охоплюють:

    • аналіз високороздільних кривих гойдання, знімання мап оберненого простору, Х-променеву топографію епітаксійних шарів на монокристалічних підкладинках.
    • рефлектометрію тонких шарів і матеріалів підкладинки.
    • картографування зразка.
    • дифракція в площині від тонких плівок.
    • Х-променевий аналіз серій зразків.
    • фазовий аналіз зразків з плоскими та шорохуватими поверхнями, а також тонких плівок.
    • аналіз залишкових напруг в плоских зразках та в зразках довільної форми.
    • текстурний аналіз всіх видів матеріалів з переважаючою орієнтацією кристалітів.
    • аналіз малих плям на неоднорідних зразках.

Diffractometer X'Pert PRO MRD за допомогою використання PreFІХ модуля дозволяє проводити більш ніж один тип аналізу однієї системи.
PreFІХ дозволяє змінювати систему з однієї конфігурації на іншу через декілька хвилин без необхідності додавання інших системних блоків.
Через це X'Pert PRO MRD XL є надзвичайно ефективним, коли ви працюєте в наступних галузях:

    • структури III-V
    • SiGe и SiGe: C
    • напружений кремній
    • мезопористий кремній
    • нано-матеріали
    • ферро-електричні запом’ятовуюві пристрої
    • квантові точки
    • покриття жорстких дисків
    • надмірно великі та важки зразки
    • високотемпературні надпровідники.

Powder diffractometer ARL X'TRA

ARL XTRA  powder diffract

Опис системи ARLXTRA

Вертикальний ширококутовий гоніометр q:q системи XTRA:

·      Гнучка геометрія гоніометра з регульованим діаметром 400-520мм (стандартна комплектація 520мм).

·      Діапазон кутів від –8° до 164° 2q (діапазон може скорочуватись для діаметра гоніометра менше 520 мм і/або установці деяких системних приставок)

·      Система цифрового серво-приводу високої роздільної здатності з оптичним декодером.

·      Точність декодера +/- 0.00025 градуса.

·      Гнучка система щілин падаючого/відбитого випромінювання, яка постійно підстроюється мікрометром в діапазоні 0-10 мм.

·      Коліматорні щілини Соллєра +/-1.3° (обмеження осьового відхилення) і розсіюючі щілини на оптичних системах первинного і дифрагованого пучка.

·      Універсальний корпус для рентгенівської трубки призначений для стандартних скляних чи керамічних рентгенівських трубок. В корпусі трубки передбачено електромагнітний затвор захисту від рентгенівського випромінювання. Бета-фільтри Ni, V, Fe і Zr можна встановити вручну, в залежності від анода рентгенівської трубки (по замовчуванню встановлюється лише Ni фільтр, інші фільтри – по замовленню).

·      Корпус трубки встановлюється безпосередньо на гоніометр і забезпечує максимальну стабільність і простоту юстування.

·      Реєстрація випромінювання в режимі лінійного або точкового фокуса

·       Базовий столик, розрахований на твердий зразок розміром 10x3x2,5 см або базовий тримач зразків.

·      Універсальна базова оправа для швидкої зміни систем рентгенівської оптики.

При використанні тета:тета гоніометра зразок залишається нерухомим в горизонтальному положенні, в той час як переміщуються рентгенівська трубка і детектор. Така геометрія особливо рекомендується для важко встановлюваних зразків (непресовані порошки, рідини, тощо).

Вигляд гоніометра

ARL XTRA  powder diffract gonio

Monographys

tytul 1a

X-ray diffraction diagnostic of semiconductor crystals and heterostructures
Kladko VP Fodchuk IM / / Monograph, Chernivtsi,  "Ruta",  154 P. (2017).

 

Physical and Technological Problems of GaN Electronics

Belyaev AE, Bessolov VN Boltovets NS, Zhylyaev UV, Kladko VP Konakova RV, Kuchuk AV Sachenko AV, Sheremet V.N. Kyiv, "Naukova dumka", 260 pp. (2016).

 1

Problems of diagnostics real semiconductor crystals

P.I. Baranskiy, A.E. Belyaev, S.P. Gaydar, V.P. Kladko, A.V. Kuchuk

 Kyiv, Naukova dumka, – 459 p. (2014).

 fiz met diagn

Physical methods of diagnostics in micro- and nanoelectronics

А.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Е.F. Venger, Е.G. Volkov, V.P. Kladko, R.V. Коnakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, G.V. Milenin, V.А. Pilipenko, R.А. Redko, А.V. Sachenko, 
Kharkiv: „ИСМА”, – 384 P. (2011).

 xray klad efa

X-Ray Dynamical Diffraction in Multilayers

O.M. Yefanov, V.P. Kladko, V.F. Machulin, V.B. Molodkin
Kyiv, Naukova dumka, – 219 p. (2008).

 optics

X-Ray Optic Effects in Multilayered Periodic Quantum Structures

V.P. Kladko, V.F. Machulin, D.O. Grygoriev, I.V. Prokopenko

Kyiv, Naukova dumka, - 288 p.  (2006).

difrnano

Diffractometry nanoscale defects and crystal heterolayers
Molodkin VB Nizkova AI, AV Shpak, Machulin VF Kladko VP Prokopenko IV, Kütt RN, Kislovskiy EN, Olihovsky C . I., EV Pervak​​, Fodchuk IM, Dyshekov AA Hapachev YP
Kiev, Akademperіodika, - 386 p. (2005).

dkmm2002

Dynamic X-ray scattering by real crystals in the region of anomalous dispersion
LI Datsenko, VP Kladko, VF Machulin VB Molodkin.
Kiev, "Akademperіodika", - 352. (2002).

hrupa

X-ray diagnostics of structural perfection of weakly distorted crystals
Machulin VF, Khrupa VI
Naukova Dumka, - 191 p. (1995).

diffuse

Dynamic X-ray scattering by real crystals
LI Datsenko, Molodkin VB Osinovsky ME
Kiev. Naukova Dumka, - 198 p. (1988).

{tab

Publications

2017